温度补偿对氮化铝(AIN)薄膜择优取向的影响

氮化铝(AIN)薄膜不同的择优取向直接影响其压电性和声波传递速度.本文通过改变衬底补偿温度对AIN薄膜的择优取向进行了研究.在正常实验溅射完成后继续通入氮气对衬底进行温度补偿.应用XRD和AFM对氮化铝薄膜的取向性和表面形貌进行表征分析,结果表明本实验制备出了较好的(002)面和(100)面取向的A1N薄膜,而且薄膜沉积均匀,比较致密.     

常温低氮氩比下（002）择优取向氮化铝薄膜的制备

常温下采用反应射频磁控溅射方法在玻璃基底上制备出（002）单一择优取向柱状结构的氮化铝薄膜,通过XRD分析发现溅射功率为80 W、溅射气压为0.20 Pa、氮气与氩气比为5％时,氮化铝（002）晶体衍射峰最强,通过FESEM表面及截面分析表明在此条件下得到的氮化铝薄膜表面较平整、致密性较好.     

溅射气压对ZnO薄膜的影响

采用射频磁控溅射的方法,通过改变溅射气压,在玻璃衬底上沉积出具有C轴择优取向的ZnO薄膜。用X射线衍射仪（xRD）、扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）对不同溅射气压下ZnO薄膜的结构、断面和表面形貌进行研究分析。结果表明,随着溅射气压的降低,ZnO薄膜的（002）取向增强,薄膜的厚度增加,沉积速率加快,氧化锌薄膜的沉积速率从4nm／min升高到21nm／min。在溅射压强为2．5Pa时制备的ZnO薄膜粗糙度最小,大小为5．45nm。     

溅射参数对Fe-Si化合物的相形成及结构的影响

对直流磁控溅射方法制备Fe—Si化合物的工艺过程进行了研究．首先通过改变溅射气压,溅射功率和Ar气流量,在Si（100）衬底上沉积约100nm纯金属Fe膜,随后在真空退火炉中800℃长时间退火形成Fe—si化合物．由X射线衍射（XRD）对所形成的Fe—Si化合物的物相和晶体结构进行分析,给出了一组最优化的溅射工艺参数：溅射Ar气压1．5Pa,溅射功率100W,溅射Ar气流量20SCCM．     

HClO4掺杂PANI／PdPc复合膜及其气体传感器研究

本文阐述了用化学合成法合成HCIO。掺杂聚苯胺（PANI）和酞菁钯（PdPc），以松油醇为溶剂，将它们以不同比例相互杂化混合，再以微加工技术和溅射镀膜技术制作了平面微电极陶瓷基片，用涂膜工艺制作了7种不同混合比例的有机复合膜元件（PANI）x（PdPc）1-x用静态配气法在气体浓度为0．01％时，对多种毒性气体逐一进行气敏特性测试．结果表明，PdPc对NO，呈N型半导体，灵敏度为0.06倍；HClO4掺杂PANI对SO2呈N型半导体，灵敏度为0．0023倍；x=1／6时，敏感膜对SO2、NO、Cl2也呈N型半导体，灵敏度分别为0．02倍，0．09倍，0．046倍．可通过选择不同的配比实现传感器的气敏选择性．     

射频磁控溅射参数对AIN薄膜光学性能的影响

采用高真空射频磁控溅射技术,在玻璃基片上,分别于不同沉积条件下制备了AIN系列薄膜,测量了从紫外到近红外波段AIN系列薄膜的透射率谱线,利用一种较简单的透射谱包络线法,对薄膜的光学常数进行拟合分析.研究表明,气体流量和工作气压是影响薄膜光学性能的重要参数;在镀膜过程中,增加氮气流量能使铝充分地与氮气结合,有利于薄膜折射率的提高,而在较低的工作气压下获得的薄膜的折射率较大.     

射频磁控溅射参数对A1N薄膜光学性能的影响

采用高真空射频磁控溅射技术,在玻璃基片上,分别于不同沉积条件下制备了A1N系列薄膜,测量了从紫外到近红外波段A1N系列薄膜的透射率谱线,利用一种较简单的透射谱包络线法,对薄膜的光学常数进行拟合分析。研究表明,气体流量和工作气压是影响薄膜光学性能的重要参数;在镀膜过程中,增加氮气流量能使铝充分地与氮气结合,有利于薄膜折射率的提高,而在较低的工作气压下获得的薄膜的折射率较大。     

用于FBAR的C轴取向AlN压电薄膜的研制

用射频（RF）反应磁控溅射法,在硅基片上制备出了具有较低表面粗糙度、C轴择优取向的AlN压电薄膜.讨论了溅射功率对AlN压电薄膜结构和形貌的影响、氮气含量对AlN压电薄膜成分的影响以及低温退火对薄膜表面粗糙度的影响.XRD和SEM结果表明：随溅射功率增大,AlN压电薄膜C轴择优取向增强;当功率为350W时,AlN压电薄膜（002）面摇摆曲线半高宽为4.5°,薄膜表现出明显的柱状结构.EDS成分分析表明：随氮气含量的提高,AlN压电薄膜的元素比接近于化学计量比.低温退火工艺的引入将薄膜表面的均方根粗糙度由4.8nm降低到2.26nm.     

一维结构AlN的宏量合成

介绍了一种将电弧等离子体射流和热处理联用制备宏量一维结构AIN的新工艺路线,即首先用电弧等离子体的手段将Al的粗粉末存氮气等离子体的条件下纳米化,接着将这些纳米粒子在氮气氛下于1100℃下加热,制备得到产率约为40％的AIN纳米线．该方法对于AIN纳米线的生产和应用具有价值。     

氨化时间和膜厚对Si(Ⅲ)上AIN薄膜生长取向的影响

采用磁控溅射技术在Si（Ⅲ）衬底上沉积了Al膜，在高温炉中使之与氨气反应制备／AIN薄膜．利用X射线衍射、X射线光电子能谱、扫描电镜等研究了薄膜的结构、成分以及表面形貌．结果表明不同氨气作用时间会使薄膜表现出不同的择优生长取向，同时不同厚度的Al薄膜也会在氨气作用后生成不同择优生长取向的A1N薄膜．