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相似文献
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Fe-Ni合金系中,如果Ni含量为29~33wt%时,可产生针状或块状的马氏体,产生孪晶组织的马氏体相变,对合金的因瓦特性,往往导致不良后果,本实验在M_3点以下的-10~-60℃正电子展宽谱中的线性参数S值急剧增加,低于-60℃以后则趋向稳定,在A→M正相变过程中,正电子湮没寿命和S值都随退火加回火的温度升高而下降。  相似文献   

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据文献报导,激光已应用于许多化学过程,如 SiC 和 Si_3N_4超细粒的制备,高活性催化物(Fe/Si/C,Ni/Si/C,W/Si/C)的合成。激光化学沉积法,可有效地制造出高质量的欧姆接触,P-N结,光波导器件等半导体器件和集成光学器件。应用激光技术合成超导材料,开辟了一个获得新超导材料的途径和技术。  相似文献   

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研究了Bi系2223单相超导材料表面和内部的正电子寿命谱,利用三态捕获模型对材料的本征寿命和缺陷分布作了估算,讨论了湮没过程的物理机制以及和材料结构特征之间的联系。  相似文献   

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本文制备了T_c=95K的Y-Ba-Cu-O超导体。用热分析方法研究了Y-Ba-Cu-O超导体固相反应的烧结温度。并就烧结温度对超导体性能的影响机制进行了探讨。  相似文献   

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Kovachev等人曾报道了Y-Ba-Cu-Pt-O多相化合物及其超导性质。我们于1987年5月12日在Y-Ba-Cu-Pt-O多相材料中,成功地生长出Y-Ba-Cu-Pt-O单晶体。 实验所用原料为Y_2O_3、CuO、BaO,按Y:Ba:Cu=1:2:3配料。湿混后压成40×4×3 mm的矩形块,将其平放在Pt坩埚中,放入高温炉中烧结。先在300℃保温半小时,然后升温至1000℃保温20小时,然后在炉中自然冷却至室温。对样品观测结果表  相似文献   

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80年代初,氧化钒系大功率PTC陶瓷热敏电阻出现了,关于这种材料的PTC效应的机理尚处在研究中。本文首次用正电子湮没技术研究这种材料随温度发生的金属-绝缘体(M-I)相变,讨论了正电子湮没参量与材料微观结构变化之间的关系。1.样品制备及实验  相似文献   

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本文用正电子湮没寿命方法研究了形变纯铜缺陷产生的特点及其运动规律,讨论了位错密度和形变量之间的关系以及正电子寿命方法研究形变缺陷的适用范围。对试样所作的TEM观测得到与正电子寿命方法定性一致的结果。  相似文献   

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不久前C.Mechel等与H.Maeda制得了一种不含稀土元素的Bi—Sr—Ca—Cu-O体系超导体.这就为进一步弄清高温超导电机制,以及为超导材料在工业上的广泛应用、降低使用成本带来了新的生机.中科院物理所研制成功另一种不含稀土的Tl  相似文献   

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本文用正电子湮没技术研究了BaFCL晶体的不同氟氯比的正电子湮没参数,发现第一、第二寿命值及强度与氟氯比呈有规律的变化,说明阴离子空位F(CL)心对正电子湮没的第二成份有贡献。  相似文献   

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对于合成莫来石,大多数通过显微镜、扫描电镜进行定性分析,至今未找出一种较合理适用的方法来描述合成莫来石的显微结构。本文采用正电子湮没技术研究这一问题。1.实验方法与结果 本文工作用烧结法合成莫来石,工艺为配料、细磨混合、成型、烧结。按原料Al_2O_3/SiO_2的不同配比,制成HM3,HM4,A,B_2,HM5,B,HM6共7组不同的试样,样品为φ12×2(mm)的圆片。烧结温度分别为1600℃,1650℃,1700℃,均保温3h。莫来石的分子式为3Al_2O_3·2SiO_2。 莫来石的合成原料化学组成见表1.表1中只给出了6组,样品成分是通过化学分析的方法获得的,Al_2O_3/SiO_2指的是它们的重量比。  相似文献   

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利用正电子湮没技术寿命谱测量系统首次细致地测量了高Tc超导体Y-Ba-Cu-O材料在Tc转变点附近的正电子湮没寿命谱参数的变化特性,发现在Tc处正电子湮没寿命呈峰。根据超导涨落的KSS理论和BCS超导理论的形式,推导出了正电子在超导转变温度Tc附近超导态和正常态内的湮没率公式。经计算机数值积分得到与实验一致的结果,从而解释了实验上发现的异常现象。  相似文献   

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本文在论述正电子湮没技术的基本原理、实验方法及其应用领域的基础上,评介了目前国外正电子湮没技术的研究动态、发展趋势和我国正电子湮没技术研究的现状。为了开创我国正电子湮没技术的新局面,作者提出了一些有意义的设想。  相似文献   

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