(Ba,Sr)TiO_3系线性PTCR陶瓷的电性能研究

通过对材料的复阻抗频谱、霍尔系数及零功率电阻 温度等电学特性的测试和分析 ,对 (Ba,Sr)TiO3系线性PTCR陶瓷进行了相关研究 .结果表明 :微量元素Sb的掺杂量对线性电阻 温度特性影响较大 ;晶粒体内的载流子浓度n大约只有 2 .83× 1 0 2 2 m-3;而晶界处的有效表面态密度ns 仅有 2 .3 5× 1 0 16 m-2 ;晶界势垒φ0 约为 0 .1 1eV ,这比常规的PTCR陶瓷的晶界势垒差不多小了一个量级 .这些很可能是决定该类材料具有较好线性电阻 温度特性的根本原因     

使用铝电极的BaPbO3陶瓷的PTCR效应

为了研究开发具有低电阻率和正电阻温度系数(PTCR)的高居里点陶瓷材料,以BaCO3和PbO为原料制备了一组La掺杂的陶瓷材料．实验发现,烧结的陶瓷样品在室温下具有极低的电阻率,且呈现出和金属导体一样的电导体特征;使用铝电极的BaPbO,基陶瓷体表现出PTCR特性,并且这种特性可以通过调整掺杂物的量进行改善．利用扫描电子显微镜和透射电子显微镜对陶瓷的微观结构进行了表征．微观结构分析表明,一薄层的烧结陶瓷表层为具有金属性质的正交结构BaPbO,纳米相,并由此使其表现出极低的电阻率;具有PTCR特性的陶瓷体内部是由具有畴结构的铁电相组成,所以除去烧结陶瓷表层后,喷镀铝电极的陶瓷体表现出正电阻温度效应．     

钛酸锶钡PTCR材料的研究

PTCR热敏电阻是一种有正电阻温度系数的电子陶瓷材料,具有广泛应用价值。其主要参数如,居里温度和开关温度;室温电阻率;电阻温度系数;电阻相对落差;     

PTCR陶瓷材料的半导化及显微组织的研究

研究了PTCR陶瓷半导化过程。使用sol-gel法合成（Ba0.8Sr0.2)TiO3超细微粉,掺入钇元素及烧结助剂,在合理的温度制度下浇成PTCR陶瓷。为跟踪陶瓷半导化过程,在不同温度阶段冷却陶瓷样品和在升温阶段不同温度点冷却陶瓷样品,利用SEM、XRD进行分析陶瓷的结构,利用交流阻抗仪分析陶瓷施主浓度,结果表明PTCR陶瓷半导化仅与升温阶段有关。     

低电阻率高性能BaTiO3基PTCR陶瓷材料

目的研制低电阻率高性能BaTiO3基PTCR陶瓷材料.方法采用"溶胶-凝胶一步法"新技术和改进的烧结工艺.结果获得了室温电阻率ρ为6.76Ω·cm,电阻率突变ρmax/ρmin为105,温度系数α30为11.63,耐电压Vb为104.8V·mm-1,居里温度TC为100℃的PTCR陶瓷材料.结论液相添加剂ST掺杂中,各掺杂量的不同对PTCR陶瓷的电性能有不同程度影响.室温电阻率ρ随Si含量或Ti/Ba含量的增加呈U形变化;温度系数α30随Si含量增加单调递减,而随Ti/Ba含量的增加呈倒U形变化.     

固相法制备细晶高性能PTCR

针对正温度系数热敏电阻(PTCR)片式化技术对陶瓷晶粒尺寸提出的较高要求,利用固相法制备PTCR,结合提高施受主掺杂比(n(Y∶Mn)21效果明显),高温预烧(1 220℃),低温烧结(1 300℃)等方法抑制晶粒长大;制备出平均晶粒尺寸小于2μm,室温电阻率为205Ω.cm,升阻比为4.082×104的BaTiO3基多层片式细晶PTC陶瓷,使多层片式PTCR产业化成为现实.     

基于炭黑填充导电橡胶的温度传感器工作原理

文章给出了炭黑填充导电橡胶(导电炭黑/橡胶)的"正电阻-温度系数"(positive temperature coefficient of resistance,PTCR)近似计算方程;采用该方程并结合形变和电阻率对PTCR效应的影响程度,分析了温度敏感导电炭黑/橡胶的工作原理。结果表明:基体的体积膨胀导致炭黑体积分数被稀释的过程对PTCR效应存在重要影响,基体的体积膨胀导致材料几何外形的改变对PTCR效应无显著影响;此外,当导电炭黑/橡胶分别用于温度传感和压力传感时,其工作原理不同,用于温度传感时,其工作原理仅为炭黑填料体积分数的被稀释而导致的材料电阻率的变化。     

氮化硼掺杂对（Ba,Pb）TiO3陶瓷特性的影响

讨论了氮化硼（BN）掺杂对（Ba,Pb)TiO3热敏陶瓷的热学性能、电学性能及晶粒尺寸的影响,指出了传统的PTC陶瓷电阻达到最大值后下降较快的原因,在BaTiO3中掺入BN,样品的相变点发生了变化,并使样品中晶界变宽,晶粒变得均匀,这可改善BaTiO3样品的高温相电阻随温度升高而快速下降的性能。     

（Pb、Ca、La）TiO_3陶瓷的溶胶－凝胶制备和特性

用溶胶－凝胶工艺制备了Ｐｂ_（０．９５－ｘ）Ｃａ_（０．０５）Ｌａ_ｘＴｉ_（１－ｘ／４）Ｏ_３（Ｘ＝０．０５～０．２）系统的微粉和陶瓷，该材料密度可达理论密度值的９０％以上。研究了该陶瓷的物理和电性质，所测得热释电系数ｐ＝２．２０×１０~（－８）～３．１７×１０~（－８）Ｃ／ｃｍ~２·Ｋ，并具有负温度系数效应。讨论了对应Ｔｉ—Ｏ_Ｉ伸缩振动铁电软模和Ｏ_Ｉ－Ｔｉ－ＯＩＩ、（Ｐｂ、Ｃａ、Ｌａ）－（ＴｉＯ_３）的弯曲振动红外和远红外吸收光谱。根据陶瓷极化前后ＸＲＤ谱强度的变化，计算了该陶瓷极化后电畴在空间的择优取向分布。     

Bi2O3—ZnO—Nb2O5系陶瓷介电常数及温度系数的优化

研究了Ｂｉ２Ｏ３－ＺｎＯ－Ｎｂ２Ｏ５（ＢＺＮ）系复相区陶瓷介电常数的温度稳定性及其温度系数的优化。讨论了不同的预烧工艺以及掺杂不同晶型的ＴｉＯ２对所得ＢＺＮ系陶瓷的相组成以及介电性能的影响。结果表明,预烧工艺中合理的预烧升温速率的选择,对其介电常数的温度稳定性有决定性影响,锐钛型ＴｉＯ２的掺杂可优化温度系数,得到介电性能优异的ＢＺＮ陶瓷。     

添加剂BN对钛酸锶铅基陶瓷材料性能的影响

研究了添加剂ＢＮ对（Ｓｒ０．４Ｐｂ０．６）ＴｉＯ３Ｖ型ＰＴＣＲ陶瓷材料电性能和显微结构的影响，试验结果表明，ＢＮ含量在０．１％￣０．４％范围内可以改善材料的显微结构，降低室温电阻率和烧结温度，从而使材料获得良好的Ｖ型ＰＴＣＲ电性能。     

施主杂质引入方式对BaTiO3材料PTCR效应的影响

采用了不同的施主掺杂方式，通过过剩施主的一次和二次掺杂材料的室温电阻率和PTCR效应的研究，从缺陷化学的角度，讨论了引入方式与施、受主相互补偿机制的关系和对材料电学性能的影响。     

PTCR半导陶瓷老化后的复阻抗研究

根据ＰＴＣＲ半导体陶瓷在湿热条件下的老化试验结果，对ＰＴＣＲ半导体陶瓷老化前后分别提出了不同的等效电路模型，通过对阻抗－频率关系曲线的测量，求出了ＰＴＣＲ半导瓷的特性参数．计算结果表明，老化后室温阻值增加，这主要是电极氧化引起的．对实验结果进行了物理本质的初步探讨．     

陶瓷热敏电阻氢处理降阻的研究

陶瓷热敏电阻氢处理降阻的研究樊玉薇，贾连娣，吴冲若（东南大学电子工程系，南京２１００１８）为使钛酸钡系陶瓷正温度系数热敏电阻（ＰＴＣＲ）的电阻率在一定范围内，一般方法是通过控制原材料纯度、微量元素分布均匀性与工艺过程一致性来减小阻值分散［１］，而对烧...     

高性能PTCR陶瓷材料的制备

采用正交试验法设计实验,用溶胶－凝胶一步法制备了具有较高性能的低阻 ＰＴＣＲ（Ｐｏｓｉｔｉｖｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ　ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）陶瓷材料;考察了包括钛、锰、硅、 钇等 ４种元素掺杂量的改变和烧结制度的改变对ＰＴＣＲ陶瓷材料性能的影响,结果在一定的锰掺杂物浓度范围内,只要各掺杂物彼此搭配合理,利用较高受主浓度掺杂也能获得高性能的低阻 ＰＴＣＲ陶瓷材料。     

钛酸钡粉体的表面包覆与电子陶瓷改性

为实现改性杂质与钛酸钡粉体的均匀混合，达到对材料微结构、相结构和电学特性的准确控制，对水热纳米晶钛酸钡粉体进行了改性杂质的非均匀形核表面淀积包覆．文中利用包覆Y（OH），后的钛酸钡粉体在水中的毛细管浸润性得到改善、以及两种工艺方法制备的粉体在液一固分离离心过程中离心转速对液一固分离率的影响，判断Y（OH），对钛酸钡粉体的包覆效果；探讨了掺杂工艺对Y掺杂钛酸钡陶瓷半导化和室温电阻率的影响，以及用非均匀形核表面淀积包覆工艺制备的陶瓷PTCR和细晶介质陶瓷的性质．润湿性实验显示，利用表面淀积包覆工艺确实能获得良好的包覆效果．     

TiO2/SbXSn1-XO2复合导电粉制备技术研究

采用化学共沉淀法在TiO2表面包覆掺锑氧化锡,制备复合导电粉.利用透射电子显微镜(TEM)对样品的形貌进行观察.考察了制备条件,如SnCl4·5H2O用量、Sb掺杂量、反应的pH值、温度、煅烧温度等对复合粉体电阻率的影响.     

锑矿区土壤和植物中重金属污染初探

对锑矿区土壤和植物中Sb及其他重金属污染进行了初步调查.结果表明:锑矿区土壤受到较高含量的Sb污染As,Hg,Cr,Zn,Cd,Pb和Cu也有一定程度的污染;在污染地区采集的萝卜样品中有较高的Sb含量,特别是叶片中的含量更高,与土壤中Sb含量趋势一致.