LaFeO_3酒敏元件材料掺杂后的结果分析

采用柠檬酸络合法，通过改变制取复合稀土氧化物ＬａＦｅＯ３材料的工艺条件，有效地控制了晶粒尺寸，提高了元件的稳定性．对ＬａＦｅＯ３酒敏元件材料的不同掺杂后的结果进行了分析．     

LaFeO3酒敏传感器特性与应用研究

讨论了ＬａＦｅＯ３酒敏传感器研制工作的突破和应用研究中的技术难点的解决方法，该传感器用于饮酒测定仪，汽车多功能报警仪和ＸＨ－Ｉ型全方全汽车多功能报警器中，可以满足预热时间短，分辩率高，抗高湿能力强，性能稳定可行的要求。     

氧化物掺杂稀土的上转换材料研究进展

综述非稀土氧化物基质和稀土氧化物基质上转换发光材料的研究进展.介绍氧化物基质上转化材料的制备方法、基质结构和激发条件等对上转化发光强度及发光波长的影响;阐述氧化物基质上转换材料的发光机理.认为氧化物是今后上转化材料的重点研究方向,随着研究的深入它将替代氟化物和氯化物而成为上转换材料的主要基质材料,同时,提出了氧化物基质改进的方向.     

Dy、Yb掺杂稀土锰氧化物的磁性和电性

在La0.67Ga0.33MnO3中用Dy和Yb对La进行了部分替代，随替代量的增加，材料的居里温度单调下降。掺Dy使峰值电阻迅速增加，而Yb的掺杂对电阻率的影响较小，说明样品的磁性和输运性质受掺杂离子的影响。     

YFeO3复合氧化物半导体材料的制备,掺杂和气敏性能研究

用化学共沉淀法制备了ＹＦｅＯ３及其掺锌固溶体Ｙ１－ｘＺｎｘＦｅＯ３气敏材料，并对其制备条件、相结构、电导和气敏性能进行了研究。结果表明：Ｆｅ与Ｙ物质的量比为１：１，８５０℃以上热处理一定时间可得钙钛矿结构的纯相ＹＦｅＯ３；电导测量显示，该系列材料呈ｐ型半导体导电行为，且固溶体导电优于纯相。Ｙ０．９４Ｚｎ０．０６ＦｅＯ３电导突变温度４００℃，较纯相ＹＦｅＯ３低７０℃，９００℃下热处理４ｈ所得微粉制作     

稀土掺杂氧化物的电磁特性及磁电阻效应

本文以具有钙钛矿结构的Mn基稀土掺杂氧化物Lal-xTxMnO3为重点，结合近年来国内外的最新研究成果，概括介绍了这类材料的晶格结构、电磁特性及其电阻效应等，并对其可能的机理进行讨论。     

掺杂稀土锰氧化物磁电阻效应研究的一些进展

回顾了掺杂稀土锰氧化物研究工作所取得的一些成就,提出目前尚未解决的问题,并简要介绍了掺杂稀土锰氧化物样品的制备方法。     

用掺杂和表面修饰技术改进LaFeO3乙醇气体传感器的特性

采用掺杂和表面修饰技术制备ＬａＦｅＯ３乙醇气体传感器，明显地改善了传感器的特性。元件的灵敏度β≥１０（当乙醇气体浓度为２００×１０＾－６时），乙醇气体和汽油的分离度α为１４．３，在整个相对湿度变化范围内，元件阻值的相对变化在４％￣６％之间，元件不通电存放７ｄ，其初期恢复时间为７０ｓ，不通电贮存２７０ｄ，其初期稳定时间小于３ｄ，在使用环境中连续工作９０ｄ其阻值相对变化率小于５％。     

不同掺杂元素对GaN基材料发光性能影响研究进展

由于GaN材料本身具有的极大优越性,如大禁带宽度、高临界场强、高热导率、高载流子饱和速率、高异质结界面二维电子气浓度等,决定了GaN基材料及其器件在发光半导体材料领域中的重要地位,而高质量GaN的掺杂制备一直是研究者关注的热点.本文根据近几年国内外对掺杂GaN基材料的研究成果,总结概括了IIA族、过渡族以及稀土族元素对GaN的掺杂,分析讨论了不同掺杂元素对GaN基材料发光性能的影响,并以Mg掺杂GaN为例,对比了各种掺杂技术的优缺点.     

LaCoO3与LaFeO3结构与CO催化氧化性能比较研究

采用柠檬酸－乙醇络合溶胶－凝胶法合成了两个单一相钙钛矿型稀土复合氧化物LaCoO3和LaFeO3并对其进行了结构,电阻率,比表面积,表面氧特性和CO氧化催化活性比较研究,结果表明,它们有几乎相近的大比表面积,但它们的晶系不同,LaCoO3属三方晶系,LaFeO3属正交晶系,LaCoO3比LaFeO3高的吸附氧量和导电性及CO低温催化氧化活性,初步解释了它们的结构与性能的关系。     

半导体电热膜的研究

对稀土掺杂和复合稀土氧化物半导体电热膜的制备和薄膜特性进行了研究，并和ＳｎＯ２电热膜进行了研究对比，讨论了新型半导体电热膜的掺杂效应和电阻随的变化规律及导电机理。     

萤石掺杂稀土发光材料的合成与应用

天然萤石材料是一种很好的制备发光材料的基质,可以通过稀土离子掺杂的手段来制备优质的发光材料。本文综述了稀土掺杂CaF2晶体的制备方法和具体应用。     

Nb~(5+)的低温掺杂对La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_3结构、磁性和电性的影响

将Nb2O5掺杂到用溶胶一凝胶法制备的La0.67>Sr0.33MnO3(LSMO)微粉中,XRD结果表明:随掺杂量的增多,样品中出现相分离,其一为具有菱方结构的钙钛矿材料,另一相为LaNbO4.随Nb掺入量的增多,TP单调下降而Tc没有明显变化,说明低温烧结减弱了B位替代效应.在x=0.07的样品中得到最大电阻率为23.7 Ωcm,比LSMO高三个数量级,这主要是尺寸效应所决定.     

Ce掺杂对BaTiO3陶瓷微观结构的影响

采用溶胶-凝胶法制备了稀土元素Ce掺杂的BaTi1-xCexO3（x=0.001,0.002,0.005,0.01）陶瓷.研究了Ce掺杂对BaTi1-xCexO3物相结构、晶粒生长和微观结构的影响.结果表明BaTi11-xCexO3为单一钙钛矿结构,随Ce掺杂量增加,晶格参数c/a逐渐减小;在烧结过程中,Ce掺杂可以抑制晶粒生长,有效的控制晶粒尺寸;陶瓷密度随Ce掺杂量增加而逐渐增大,最高可达理论密度的94.1%.     

掺杂钙钛矿La0.7Ca0.3MnO3的制备及结构研究

使用高温固相反应法制备了具有钙钛矿结构的锰基氧化物La0.7Ca0.3Mn1-xTixO3,利用X射线衍射、红外光谱等实验技术手段研究其结构和性质。发现在进行掺杂的样品中金属钛离子占据了锰离子的位置,并且所制备的一系列样品均为单相结构。     

CeO2掺杂的SnO2基材料的气敏特性

报道了ＣｅＯ２掺杂的ＳｎＯ２基敏感材料的制备及其气体第三性能的研究。结果表明，含５％ＣｅＯ２和ＳｉＯ２的ＳｎＯ２基敏感元件在低温下对ＣＯ具有最高的灵敏度和良好的造反性。此外，对ＣｅＯ２掺杂的ＳｎＯ２敏感元件，在合适的ＣＯ浓度范围内所呈现的一种自振荡现象进行了讨论。     

La3+、Nd3+掺杂的TiO2纳米薄膜的制备及其光催化降解硝基苯的研究

以钛酸四丁酯为前驱物,无水乙醇为溶剂,盐酸为抑制剂,采用溶胶-凝胶法制备了TiO2纳米光催化薄膜。为了提高TiO2薄膜的光催化活性,根据稀土离子特殊的电子层结构,对其进行了稀土离子的掺杂改性。通过薄膜样品的表面形貌测定和光催化降解实验,探讨了稀土离子掺杂的规律。实验结果表明：经过稀土离子掺杂的薄膜光催化活性有显著提高,La^3＋掺杂摩尔分数为0．5％时性能最好,Nd^3＋掺杂摩尔分数为0．35％时性能最好。     

掺杂氧化物对Ni-ZrO_2-Al_2O_3催化剂的性能影响

用水热合成法分别制备Ni-ZrO2-Al2O3和Ni-MxOy-ZrO2-Al2O3催化剂,并用XRD、H2-TPR、H2-TPD和CO2-TPD方法对对催化剂的晶相结构、活性中心、表面酸碱性等进行表征,同时以CO2重整CH4反应为探针考察催化剂的活性及稳定性。结果表明,在Ni-ZrO2-Al2O3催化剂中掺杂不同的金属氧化物MxOy能改变催化剂的晶相结构,对催化剂表面活性和碱性中心有一定程度的调控作用。掺杂BaO、CeO2和K2O后的催化剂反应的初活性明显增加,在850℃时,使CH4的转化率分别达到92.31%、90.29%和90.06%,CO2的转化率分别达到94.37%、93.94%和93.22%。800℃条件下反应100h后,Ni-BaO-ZrO2-Al2O3催化剂上的CH4转化率基本上维持在85%。     

Ca和Ba掺杂对La4/3Sr5/3Mn2O7的磁电阻效应的影响

用溶胶-凝胶法制备了双层钙钛矿锰氧化物La4/3(Sr1-xAx)5/3Mn2O7 (A是Ca或者Ba,x=0,0.1,0.2)系列多晶样品,并对其结构及电、磁输运性质进行了研究.研究结果表明:Ca和Ba的掺入虽然导致绝缘体-金属(I-M)转变温度(TI-M)降低,但可以明显提高低温区的磁电阻效应.对于x=0.2的Ca或Ba掺杂的样品,在60 K以下,磁电阻值接近100 %,且为一恒定值.对于这一实验结果可以作如下解释:Ca或Ba掺杂引起了MnO6八面体的畸变,导致eg电子占据dx2-y2轨道和d3z2-r2轨道的状态偏离了x=0时的优化组合状态,铁磁性被削弱.     

颗粒系统稀土掺杂氧化物的磁电阻效应

具有钙钵矿结构的稀土掺杂氧化物具有很强的磁电阻效应，该类材料所显示的复杂的物理现象和可能的应用前景引起人们的很大兴趣。但是其磁转变温度一般低于室温，而且需要很高的外加磁场才能够饱和。为实现室温和低场磁电阻，人们采用多种方法，如制备复合材料或尺寸在纳米量级的多晶体系。本文重点介绍了锰酸盐颗粒体系的结构特点、磁电阻效应以及产生成电阻效应的可能机理。