集值映射上半弱连续性与上半拟*连续性

Ｍ．ｓｏｌｖｅｉｇ Ｅｓｐｅｌｉｅ 和Ｊａｍｅｓ Ｅ．Ｊｏｓｅｐｈ研究了单值映射的弱连续性,给出了相关的等价命题,本文将其结果推广到半弱连续集值映射上,将（２）中的某些结果的连续条件减弱为上半弱连续,并讨论了上半弱连续性与上半拟＊连续性之间的关系。     

真空液相重结晶法改善InSb薄膜的组织和性能

利用真空下氩气保护液相重结晶的方法，对热蒸镀和磁迭射制得的ＩｎＳｂ薄膜进行热处理，Ｘ射线衍和组织分析的结果表明：热处理前薄膜为ＩｎＳｂ，Ｉｎ，Ｓｂ各相的混合物；重结晶后，基本为ＩｎＳｂ单相，ＩｎＳｂ晶粒呈规则状外形长大，热处理后室温下的电子迁移率大大提高，由原来的１．３１×１０＾４ｃｍ＾２／（Ｖ．ｓ）提高到４．４７×１０６４ｃｍ＾２／（Ｖ．ｓ）（热蒸镀）和２．１５×１０＾３ｃｍ＾２／（Ｖ．ｓ）提高     

用G—L理论计算磁在Josephson隧道结中的穿透深度

该文用Ｇ－Ｌ理论计算得出磁场在Ｊｐｓｅｐｈｓｏｎ隧道结中的穿透深度值为λｊ＝」ｍｃ＾２／８πｅ＾２ ξ＾２００．７４＾２／ρ０ｃｏｓ（γ２－γ１）／２Ｔｃ／（ｄ＾２－ｘ＾２）（Ｔｃ－Ｔ０」＾１／２这一结果表明λｊ与空间位置Ｘ有关。     

关于Institution范畴式定义的注记

该文构造了范畴Ｔｒｅｌ和（１ｓｅｔ／Ｕ）＾ＯＰ之间的同构，从而证明了Ｉｎｓｔｉｔｕｔｉｏｎ的两个范畴式定义的一致性。     

氢传感法测定熔融铝中氢含量的研究

采用固相合成法直接合成ＣａＺｒ０．９Ｉｎ０．１Ｏ３－ａ用交流阻抗谱技术，在８６９～１３００Ｋ温度范围内，空气气氛下测得其电导率为１０＾－４～１０＾－２ｓ．ｃｍ＾－１制得ＣａＺｒ０．９Ｉｎ０．１Ｏ３－ａ固体电解质管，以含Ｈ２的标准气为参比电极，组装成氢浓差电池。Ｆｅ含Ｈ２标准气│ＣａＺｒ０．９Ｉｎ０．１Ｏ３－ａ│（Ｈ）ＡｌＦｅ并构成氢传感探头，研究其对熔融铝中氢含量的传感特性，实验证明，该传感器响应     

薄膜型InSb霍尔器件

利用真空蒸发镀膜技术研制出灵敏度薄膜型ＩｎＳｂ霍尔器件，研究了影响ＩｎＳｂ薄膜电子迁移率的因素，俄歇电子能谱分析和扫电镜形貌像表明，制备的ＩｎＳｂ薄膜化学元素配比与所用蒸发源材料相同，表面光滑，晶粒尺寸μｍ级。室温下测得ＩｎＳｂ薄膜的电子迁移率为４００００ｃｍ＾２／Ｖ．ｓ，ＩｎＳｂ薄膜霍尔器件输入输出电阻范围为２００－５００Ω，乘积灵敏度达到５０－１５０Ｖ／Ａ．Ｔ。     

丢番图方程∑（n—1,k=0）（x＋d2k）^r=（x＋d2n）^r

证明了当ｎ，ｘ，ｒ为正整数县ｒ〉３，ｓ为非负整数，（Ⅰ）ｒ为奇数，ｄ２＝４０ｓ＋２，２２．（Ⅱ）ｒ为偶数，ｄ２＝４０ｓ＋１２，ｄ２＝８０ｓ２２，４２ｇｃｄ（ｘ，ｄ２）＝１，丢番图方程∑（ｎ－１，ｋ＝０）（ｘ＋ｄ２ｋ）＾ｒ＝（ｘ＋ｄ２ｎ）＾ｒ无整数解。     

Liberal理论态射的一些性质

该文构作了一个ｌｉｂｅｒａｌ理论范Ｔｈ讨论了ｌｉｂｅｒａｌ理论态射的一些性质，得到了Ｐｅｒｓｉｓｔｅｎｔ函子了的一个刻划定理，同时也得到了Ｆ－ｆｒｅｅ，Ｆ－ｇｅｎｅｒａｔｅｄ，Ｆ－ｐｒｉｍｅ模型的一些结果。     

∑cos^3A／2的下限及其证明

研究了∑ｃｏｓ＾２Ａ／２的下限问题，否定了“∑ｃｏｓ＾３Ａ／２当等腰Ｒｔ△时取最小值”的猜想，建立了一个新的几何不等式∑ｃｏｓ＾３Ａ／２＞１＋√２／２。     

Studies in Premature Sutural Aynostosis in the Mouse Cap

ａｎｇＸｉａｏｌｕ１），ＺｉｍｍｅｒｍａｎｎＢ．２）（ＦａｃｈｂｅｒｅｉｃｈＨｕｍａｎｍｅｄｉｚｉｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔａｅｔｓｋｌｉｎｉｋｕｍＢｅｎｊａｍｉｎＦｒａｎｋｌｉｎ，ＩｎｓｔｉｔｕｔｆüｒＫｌｉｎｉｓｃｈｅＴｏｘｉｋｏｌｏｇｉｅｕｎｄＰｈａ...     

一种至少k—2位正确的捕错译码

当ｘ＾２＋ｘ＋１不是ｇ（ｘ）和（ｘ＾２＋ｘ＋１）ｇ（ｘ）分别是二元线性循环码ｃ（ｘ）和ｃｓｕｂ（ｘ）的生成多项式时，则ｃｓｕｂ（ｘ）是ｃ（ｘ）的子码，恰当选用ｃ（ｘ）／ｃｓｕｂ（ｘ）的４个余式ｃ（ｘ）转换为子码，然后对子码捕错，当错误矢量Ｅ（ｘ）的重量Ｗ「Ｅ（ｘ）≤ｔ，且有连续ｋ位为零时，就能正确译码。     

渤海中部铅直扩散系数的探讨

根据Ｋｕｌｌｅｎｂｅｒｇ的半理论半经验公式，利用渤海中部８号平台的观测资料，选择强风期的２月和弱风期的７月分别代表冬季和夏季，推算了渤海中部海域冬、夏两季的铅直散系。计算结果表明：Ｋ２值在强风期的２月最大可达５．５ｃｍ＾２／ｓ；在弱风期的７月跃层中可达０．０２～０．０４ｃｍ＾２／ｓ。     

正则序类方程逻辑的Institution

该文较为巧妙地证明了Ｓａｔｉｓｆａｃｔｉｏｎ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ，建立了一个正则序类方程逻辑的Ｉｎｓｔｉｔｕｔｉｏｎ。     

高性能InP／InP,InGaAs／InP体材料LP—MOCVD生长

给出利用低压金属有机化合物化学汽相沉积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）生长技术在ＩｎＰ衬底上生长ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓ的条件，研究了ＩｎＰ／ＩｎＰ的生长特性、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ的组份控制、生长特性及生长温度对ＩｎＧａＡｓ特性的影响．发现ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ最佳生长温度为６４０℃，得到ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ１６Ｋ光荧光（ＰＬ）谱全高半峰宽为３２．０ｎｍ，ＩｎＰ／ＩｎＰ室温霍尔迁移率为４３６０ｃｍ２／Ｖｓ，背景掺杂浓度为５×１０１４ｃｍ－３，Ｘ光双晶衍射全高半峰宽为２１＂．     

关于Milosevic—Bundschuh不等式的研究

研究和改进Ｍｉｌｏｓｅｖｉｃ和Ｂｕｎｄｓｃｈｕｈ关于∑ｓｉｎ＾４Ａ／２的若干不等式的结果，得到在任意△ＡＢＣ或满足Ｂａｇｅｒ型锐角三角形条件下有关∑ｓｉｎ＾４Ａ／２，∑ｃｏｓ＾４Ａ／２和∑（ｓｉｎ＾４Ａ／２＋ｃｏｓ＾４Ａ／２）的几个新不等式。     

随机狄里克莱级数收敛性

在（Ｘｎ）独立，且满足Ｅ／Ｘｎ－ＥＸｎ／＾４≤∞条件下：（ｃ为一正数Ｖ为方差）用对称化方法和了随机狄里克莱级数∑ＸｎＥ＾λｎ＾ｓ在Ｌ２中收敛与ａ．ｓ．收敛等价性，并将∑Ｘｎｅ＾－λｎ＾ｓａ．ｓ．收敛性转化为级数∑Ｖ（Ｘｎ）ｅ＾－λｎ＾ｓ与∑ＥＸｎｅ＾－λｎ＾ｓ收敛性予以解决得到了新形式的瓦里隆公式，克诺普－柯基马公式及附带的有趣结果。     

双纽线│ω^2＋c│=1的弧长函数

设ｓ（ｃ）为双纽线│ω＾２＋ｃ│＝１的弧长，ｃ∈「０，＋∞），本文证明了ｓ″（ｃ）〉０，ｃ∈（０，１）∪（１，＋∞，）最后，我们提出了一个关于ｓ＾（ｎ）（ｃ）的问题。     

∑cos^3A／2〈2与Kooistra不等式

证明了若－π≤Ａ，Ｂ，Ｃ≤π且Ａ＋Ｂ＋Ｃ＝π，则（４＋２√３）∑ｃｏ＾３Ａ／２＋（５－２√３）∑ｃｏｓ＾２Ａ／２≤１８，由此导出了陈计１９９２年的猜测∑ｃｏｓ＾３Ａ／２〈２及推广了Ｋｏｏｉｓｌｔｒａ不等式∑ｃｏｓ＾２Ａ／２〉２。     

非线性Lipschitz连续算子的定量性质（Ⅱ）——glb┐Dahlquist数

说明Ｇ．Ｓｏｄｅｒｌｉｎｄ所引入的ｇｌｂ－Ｄａｈｌｑｕｉｓｔ数从本质上刻画了非线性算子的增生性．利用这一结果，将在一致平滑Ｂａｎａｃｈ空间中熟知的Ｌｉｐｓｃｈｉｔｚ连续的一致增生算子与压缩算子的基本联系推广至任意Ｂａｎａｃｈ空间．另外，还将稳定矩阵理论的２个基本定理推广至非线性情形     

非线性Lipschita连续算子的定量性质（Ⅱ）：gld—Dahlquist数

说明Ｇ．Ｓｏｄｅｒｌｉｎｄ所引和的ｇｌｄ－Ｄａｈｌｑｕｉｓｔ数从本质上刻画了非线性算子的增生性，利用这一结果，将在一致平滑Ｂａｎａｃｈ空间中中熟知的Ｌｉｐｓｃｈｉｔｚ连续的一致增生算子与算子的基本联系推广至任意Ｂａｎａｃｈ空间。另外，还将稳定矩阵理论的２个基本定理推广至非线性情形。