低掺杂多晶硅TFT阈值电压的确定和提取

通过对低掺杂多晶硅薄膜晶体管表面势的分析, 建立基于物理过程的阈值电压模型。当其表面势偏离亚阈值区时沟道电流将迅速增加,将此时所对应的栅压定义为阈值电压。基于多晶硅薄膜的陷阱态密度为单指数分布,通过对表面势进行化简与求解,建立了解析的阈值电压模型。器件数值仿真结果表明,采用二次导数法所提取的阈值电压值与本文所提出的阈值电压模型较好的匹配。     

小尺寸MOS场效应管弱反型饱和特性

考虑到小尺寸ＭＯＳ（金属－氧化物－半导体）场效应管耗尺区电荷和空间电荷的减少，推导出了小尺寸ＭＯＳ场效应管弱反型漏极电流的解析表示式，用来描述漏极饱和电流随漏极电压上升而增大的现象，理论与实验符合得较好，本文结果可用于集成电路的计算机模拟设计中。     

40纳米MOSFET毫米波等效电路的弱反区关键参数提取

以双端口网络的分析方法为依托,对40纳米MOSFET的毫米波小信号等效电路的弱反区参数进行提取.该等效电路基于准静态逼近,包括完整的本征准静态MOSFET模型、串联的栅极电阻、源极电阻、漏极电阻以及衬底耦合网络.元件参数提取分为寄生参数提取和本征部分提取,是通过其等效电路的开路短路法来简化等效电路以及分析Y参数所得,提取的结果具有物理意义以及其方法能够去嵌寄生效应,如器件衬底耦合.     

基于晶界离散分布的多晶硅薄膜晶体管直流模型

基于表面势的多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)漏电流模型无法体现晶界的离散分布特性,而基于阈值电压模型的各工作分区电流表达式存在不连续性.为克服此缺点,根据基于表面势模型的建模思想,考虑晶界势垒在沟道中离散分布的特点,提出了多晶硅薄膜晶体管的直流漏电流模型.该模型采用单一的解析方程描述多晶硅TFT各工作区的电流.研究结果表明:TFT工作于线性区且栅压一定时,随着漏压的增大,沟道有效迁移率降低;随着栅压的增大或沟道的缩短,漏电压对沟道有效迁移率的影响减弱.     

基于表面势的有机薄膜晶体管漏电流的解析模型

考虑到有机薄膜晶体管(OTFT)带隙中存在指数分布的陷阱态密度,提出了基于表面势的电流解析模型.在模型建立过程中,使用薄层电荷近似区分扩散电流和漂移电流;采用泰勒展开来实现表面势的解析求解,得到较高的求解精度.基于变程跳跃理论,即载流子在局域态之间的热激活特征的隧穿输运机理,解释了OTFT的转移特性和温度特性.模型计算...     

伴随极值分布函数的弱收敛

设{(X_n,Y_n)}是i.i.d.随机向量序列,共同d.f.为F。本文在更弱的条件下证明了A_n^-1(Y_{(n, n)}-B_n)→I对某准d.f.I成立,从而推广了Nagaraja和David的结果。此外还指出：对于(a_n^-1(X_{n, n}-b_n),A_n^-1(Y_{(n, n)}-B_n))的联合分布的弱收敛,本文的条件不仅充分,而且必要。最后,揭露了二元极值弱收敛与(a_n^-1 (X_{n, n}-b_n), A_n^-1 (Y_{(n, n)}-B_n))的联合分布弱收敛之间的紧密联系。     

伴随固定边值分布函数的弱收敛

得到了固定秩次序统计量和它的伴随次序统计量联合分布弱收敛的一个充分必要条件,同时给出了一组选定的伴随次序统计量的极大值的分布函数弱收敛的充分条件。     

由N-E-V 分布及赝势法研究有弱相互作用的费米子气体

采用赝势法及完全开放系统的统计分布(N-E-V分布)求出了有弱相互作用的费米气体的热力学函数,计算结果对用赝势法及正则分布的计算的结果给出了一些修正;并由N-E-V分布计算了广延量的相对涨落,得出广延量的相对涨落正比于1,而不是其他分布的1/√N.     

任意线电荷圆弧的空间势分布研究

在静电学中,任意线电荷圆弧的空间势分布是一个典型而有意义的非线性物理学问题.但是,由于涉及椭圆积分,一般又不具有均匀电荷环空间势分布的对称性,求解和讨论是比较困难的.关于这个问题的一些研究仅讨论了线电荷圆环的空间势分布.这篇论文应用椭圆积分的性质和数学技巧,给出任意线电荷圆弧空间势分布函数;绘出相应的空间势分布图.问题的讨论有助于我们掌握解决涉及椭圆积分物理学问题的方法.     

基于弱测量和量子反弱测量的三能级量子系统稳定研究

利用弱测量和量子反弱测量方法研究了一个V-型三能级量子系统处在振幅耗散退相干环境作用下的问题.得到了相应的最优化条件、保真度以及成功率解析表达式.通过数值模拟,发现到当弱测量和量子反弱测量强度在满足一定条件下,该退相干的三能级量子系统能有效稳定.     

GPC法测定聚酯型高分子表面活性剂的分子量及其分布

本文采用ＧＰＣ法，测定了不同工艺条件下合成的聚酯型高分子表面活性剂的分子量及其分布，从而为确定最佳工艺条件提供了依据。     

联合分布函数的条件反失效率刻画

基于条件反失效率函数,得到了联合分布函数的一种表示.     

改进表面分流型二维PSD传感器线性度的实验研究

介绍了日本HAHAMATAU公司改进表面分流型二维PSD传感器S1880及专用信号处理电路C4674，对传感器线性度进行了大量实验研究。实验结果表明，传感器在A区应用时其非线性度误差≤1％。     

用散射光测量正弦表面粗糙度参数的反计算问题

本文利用光的角散射分布技术,一般性地解决了正弦表面粗糙度参数的反计算问题。其方法是首先利用 P.Beck-mann 提出的光散射标量理论,计算出光的角散射分布光强。根据光栅方程,得到表面轮廓的平均波长λ_(?);根据角散射分布光强的标准偏差σ,找到了平均斜率Δ_(?)与σ之间的关系,从而得到Δ_(?)的反计算值;再由Δ_(?),λ_(?)与平均粗糙度 R_(?)之间的关系,确定 R_(?)的反计算值。仿真结果表明了该方法的正确性,本文的结果对解决表面粗糙度参数的反计算问题作了有益的探索。     

分布布拉格反射光纤激光器实验研究

介绍了分布布拉格反射光纤激光器的实验原理,设计并搭建了一支用于教学的分布布拉格反射光纤激光器实验平台。实验得到波长为1550nm的激光输出,测量了激光的输出特性及光谱特性。     

180°弯道水槽表面流速分布研究

自然界中河流多是弯曲的,弯道水流结构分析是水力学及河流动力学最重要的课题之一,对河道管理和河流开发利用也有着重要意义.基于粒子跟踪测速(particle track velocimetry,PTV)技术对180°弯道水槽不同流量下的水流表面流速进行测量与分析.试验结果表明:除进口断面,凹岸侧表面纵向流速均大于凸岸侧表面...     

极性晶体中表面磁极化子研究进展(Ⅱ)

本文综述了我们近年来在极性晶体表面磁极化子性质方面的部分工作。第二节从磁场中表面极化子一声子系的哈密顿量出发,用线性组合算符方法研究强耦合表面磁极化子的温度效应。第三节中用线性组合算符法讨论了与表面光学声子耦合强,与体纵光学声子耦合弱的表面磁极化子的温度特性,研究了表面磁极化子的振动频率和诱生势的温度依赖性。第四节用线性组合算符和拉格朗日乘子法研究了二维非极性晶体通过形变势与声学声子强、弱耦合的表面磁极化子的性质。     

二维势箱函数的可视化研究

运用分离变量法和数值仿真,得到了量子理论中二维势箱函数波函数及其相关特性的理论和可视化结果.结果表明:二维势箱函数的能级是量子化的;能量随着量子数的增加而增加,但势箱长度和宽度越大,能量越小.对于二维的正方势箱函数,粒子波函数的简并度为nx+ny-1,峰值个数为nx?ny,且与Ψ=0平面的交线数也为nx?ny;几率密度...     

河南省啮齿动物分布型的研究

本文首次对河南省啮齿动物的分布型进行了分析与论述，将河南省现生啮齿动物的分布型划分为５类