Ce_(1-x)Y_xPt_2Si_2(x=0.2,0.55,0.9)的晶场模拟

采用点电荷晶场理论模型,通过对Ce1-xYxPt2Si2(x=0.2,0.55,0.9)磁化率倒数—温度曲线的模拟,得到了其晶场分裂能和相应波函数,计算表明:晶场分裂能随x的增大而减小,晶场作用使得Ce3+六重简并基态分裂得到混合的双基态.     

化合物CeCuIn和PrCuIn的磁性与晶场效应

基于晶场理论,模拟Szytu(l)a小组的磁化率实验结果,得到了稀土化合物CeCuIn,PrCuIn的晶场分裂能和相应波函数.计算表明,Kramers离子Ce3+在晶场效应的作用下,基态简并部分消除得到了双重态,而非Kramers离子Pr3+分裂为5个双态.模拟得到的磁化率倒数随温度变化曲线与实验结果吻合得很好.     

稀土化合物RCuAs_2(R=Ce,Pr,Nd,Tb)的晶场效应研究

通过对稀土化合物RCuAs2(R=Ce,Pr,Nd,Tb)的磁化率倒数—温度曲线的晶场模拟,得到了该系列化合物的晶场系数和晶场分裂能.并从理论上分析了晶场效应对化合物磁性的影响,计算结果与实验获得了较好的吻合.     

稀土化合物RPt2In2(R=Ce,Pr,Nd)的磁性和晶场效应

基于晶场理论,通过对Chen测量的稀土化合物RPt2In2(R=Ce,Pr,Nd)磁化率倒数-温度曲线的模拟,得到了RPt2In2的晶场系数、分裂能和相应波函数,计算结果与实验吻合较好.计算表明:Kramers离子Ce3 和Nd3 在晶场效应的作用下基态简并部分消除得到了双基态,而非Kramers离子Pr3 基态分裂后得到了单基态.     

稀土化合物CePtAl和PrPtAl的晶场效应研究

通过模拟Kitazawa小组的磁化率实验结果,得到了稀土化合物CePtAl和PrPtAl的晶场分裂能和相应波函数.计算表明,Kramers离子Ce3 在晶场效应的作用下,基态简并部分消除得到了双基态,而非Kramers离子Pr3 分裂为9个单态.计算得到PrPtAl的第一激发能和第二激发能与中子散射实验结果吻合较好.     

Ce5Ni2Si3 CeNiGe3和Ce2NiGe3晶场分裂能的理论计算

通过模拟Mari偄n Mihalik、Piku和Huo测量的Ce5Ni2Si3、CeNiGe3和Ce2NiGe3的磁化率倒数-温度曲线来计算稀土化合物的晶场系数、分裂能和相应波函数,并从理论上分析了晶场效应为Ce3 基态的影响.本文的计算值与Mari偄n Mihalik、Piku和Huo分别通过模拟Schottky比热得到的值获得了较好的吻合.     

化合物Ce_3Rh_2Ga_2和Ce_3Rh_3Si_2的晶场效应计算

通过对D.Kaczorowski等人磁化率倒数—温度曲线的模拟,得到了稀土化合物Ce3Rh2Ga2和Ce3Rh3Si2的晶场系数、分裂能和相应波函数,计算结果与实验吻合较好.计算表明:Kramers离子Ce3+基态简并部分消除得到了双基态.     

镨离子基态分裂的晶场模拟

通过对A.Szytula小组测量的稀土化合物PrAg2Ge2磁化率倒数-温度曲线的晶场模拟,得到了PrAg2Ge2的分裂能和相应波函数.并从理论上分析了晶场效应对Pr3 基态的影响,计算结果与实验吻合较好.计算表明:非Kramer离子pr3 的九重简并基态在四方晶场的影响下分裂为五个单态和两个双态.     

四方晶系下钕离子的基态分裂

采用点电荷晶场模型,通过模拟四方晶系化合物NdCuAs2和Nd2Ge2In的磁化率倒数-温度曲线,得到了Nd3+的各级分裂能和相应波函数,并分析了晶场效应对化合物磁性质的影响.结果表明,Kramers离子Nd3+的十重简并基态4I9/2在晶场效应的作用下分裂为5个双态,计算结果与实验吻合得较好.     

KMgF_3和KZnF_3中Mn~(2+)离子晶场参量研究

本文从电子顺磁共振实验测出的立方零场分裂常数 a 导出了 KM_gF_3:Mn~(2+)和 KZnF_3:Mn~(2+)的晶场参量 D_q,由此计算出了激发态能级,结果与光谱实验符合很好,而用点电荷模型计算出 D_q 要大～10%,光谱的计算值与实验值相差很远.这表明,本文提出的方法是可行的.     

Ce∶YIG磁光薄膜法拉第旋转谱的理论计算

考虑到Ce3 + 的 5d ,4f以及Fe3 + 的 3d电子轨道形成具有较大自旋 轨道相互作用的耦合轨道 (Ce4f+Ce5d+Fe3d) ,将Ce3 + 离子的含量与耦合轨道联系起来 ,并给出了Ce3 + 离子的含量与跃迁中心数之间的定量关系式 .在ω =0 .8～ 3.2eV的范围内 ,计算了x =0 .3和x =0 .7时Y3 -xCexFe5O12 的法拉第旋转谱 .结果表明 ,Ce∶YIG的法拉第旋转角的增加主要是由于Ce3 + 的掺入形成耦合轨道 ,使其自旋 轨道劈裂增加所导致     

Ce(Y,Eu)-Ba-Cu氧化物超导性能的研究

研究分别由 CeO_2和 Ce_2(C_2O_4)_3作为起始原料制备的名义成分为 CeBa_2Cu_3Oy样品以及 Ce(Y,Eu)-Ba-Cu-O 系列样品的工艺过程和测量结果.实验表明,Ce和 Ba 氧化物具有极强的形成 BaCeO_3的趋势,阻止了缺氧钙钛矿结构的形成.在 CeBa_2Cu_3Oy 中非化学计量添加 Y 获得了转变温度为85K 的超导体,本文给出了其电阻、磁化率及元素含量分析结果.     

均匀磁场中二维运动的二电子系的能级分裂

应用定态微扰理论，研究均匀弱磁场中，两电子体系的能级分裂情况．理论推导结果表明：一级近似下，基态能级无移动；第一激发态的能级分裂为五条，简并度由十六降为十一，也说明，外磁场使体系的对称性降低．     

Cd1—xMnxTe的巨大法拉第旋转效应

测量了半磁半导体Cd_(1x)Mn_xTe单晶的巨大法拉第旋转效应,并研究了Cd_(1-x)Mn_xTe法拉第旋转随组分x及温度的变化规律。局域的Mn~(2+)离子与导带类s电子及价带类P电子之间的自旋—自旋相互作用引起了Cd_(1-x)Mn_xTe中反常大的塞曼分裂,从而导致巨大法拉第效应的产生。激子跃迁在半磁半导体法拉第效应中起主导作用。