类金刚石薄膜的喇曼光谱高斯分解研究

采用过滤式阴极电弧沉积的方法获得类金刚石薄膜.喇曼光谱的分析表明,这种薄膜是典型的无氢类金刚石薄膜.喇曼光谱的高斯分解研究表明:随着偏压的增加,D线和G线的位置__d、__g向低频移动,半高宽F_g减小、F_d增加,在偏压为-100V时,D线和G线强度比I_d/I_g有最大值.     

低能量PLD方法沉积的a—C薄膜结构及光学性能研究

用低能量脉冲激光沉积（PLD）方法在单晶硅片、石英玻璃片、载玻片等基底材料上分别沉积了一层碳膜、X射线衍射谱膜为非晶态,喇曼散射实验表明膜无明显类金刚石特征,紫外－可见分光光度计测试结果表明：膜在紫外、可见光区折射率低于石英、玻璃等材料,红外透过率谱显示膜在红外区有宽范围,显著增透作用。     

从微观结构探讨Nb2O5含量对NiZnCu铁氧体电磁性能的影响

在基本配方Ｎｉ＿（０．３）Ｚｎ＿（０．７）Ｃｕ＿（０．０４）Ｆｅ＿（２．０４）Ｏ＿（４＋δ）中，掺入不同含量的Ｎｂ＿２Ｏ＿５，将使材料的微观结构产生明显的变化，而这种结构的变化是导致材料性能改变的主要原因．实验表明：Ｎｂ＿２Ｏ＿５既能促进烧结，又能阻滞巨晶生长，并能有效地提高材料的烧结密度和电阻率；对晶格常数、起始磁导率和磁损耗均产生了很大的影响．文中还讨论了Ｎｂ＿２Ｏ＿５含量对烧结机制的作用，和分析了Ｎｂ＿２Ｏ＿５含量对材料电磁性能的影响．     

B-N共掺p型ZnO薄膜的制备及性质研究

利用射频磁控溅射技术用N2和02作为溅射气体在石英沉底上制备了B-N共掺的P型ZnO薄膜．Hall测量结果表明,室温电阻率、载流子浓度、迁移率分别为2．3D．cm,1．2×10^17cm^-3,11cm^2／Vs．制备了ZnO基同质p-n结,研究了它们的I—V特性．探讨了B—N共掺的P型ZnO薄膜低温光致发光的微观机制．同时阐明了B—N共掺的P型ZnO薄膜的导电机制．     

基片温度对ZnO薄膜结构和发光性能的影响

采用对靶直流反应磁控溅射方法,在不同温度的Si（100）基片上制备了一系列的ZnO薄膜．利用X射线衍射仪和荧光分光分度计对ZnO薄膜的结构和发光性能进行了研究．结果表明：所有的ZnO薄膜都具有六角纤锌矿结构,且都表现出了（002）织构．随基片温度增加,ZnO薄膜结晶质量提高,其颗粒尺寸单调增加,并且薄膜应力状态发生改变,由压应力转变为拉应力．同时光致发光谱实验结果表明：室温沉积的ZnO薄膜出现了365nm和389nm的紫外双峰,并且出现了弱的蓝光发射带．随着基片温度升高到350℃,365nm附近的紫外峰红移到373nm,并且强度增强,而389nm处的紫外峰强度明显减弱．当基片温度增加到500℃时,373nm的发光峰强度减弱并蓝移到366nm处,蓝光带强度减弱并红移到430nm-475nm处,并且出现了396nm的近紫峰．     

掺锡氧化锌变阻器的制备和性能研究

本文采用液相沉淀法以SnC l2.H2O代替SbC l3制备了ZnO(含有5%的B i,Mn,Co,Sn)变阻器.通过SEM和XRD技术确定了我们制备的ZnO基变阻器的晶相及其分布情况,结果表明微观结构包括ZnO主相,Zn2SnO4尖晶石相和富B i2O3相.分析了SnO2对变阻器电性能的影响.当SnO2含量增加时,漏电流明显增大;而非线性系数只对低浓度的SnO2有明显的依赖关系,且存在一个使非线性系数达到极值的临界浓度(1.0 mol%).SnO2的含量对压敏电压没有明显的影响.添加适当含量的B i2O3会提高变阻器的电性能,而过量时则会使变阻器性能劣化.我们得到了漏电流为0.34 A,非线性系数为62,压敏电压为1063V1 mA/mm性能良好的变阻器.     

Cadion类试剂的合成及其结构与分析性能的关系

合成了六种Ｃａｄｉｏｎ类试剂，并研究了在ＴｒｉｔｏｎＸ－１００存在下试剂与镉的显色反应。讨论了试剂结构与分析性能的关系。     

直流反应磁控溅射制备Zn_(1-x)Cd_xO薄膜的结构和光学性能研究

利用直流反应磁控溅射的方法在玻璃衬底上沉积了(002)方向高度择优生长的纤锌矿结构的Zn1-xCdxO(x=0,0.2)合金薄膜.利用XRD、XPS、TEM、PL对薄膜的结构和光学性能进行了详细研究.结果表明,随着x=0到x=0.2,(002)衍射峰从34.36°偏移到33.38°,(002)方向的晶面间距从0.260 nm增加到0.268 nm,Zn1-xCdxO薄膜的光学带隙也从3.20 eV减小到2.70 eV,相应的近带边发光峰从393 nm红移到467 nm.另外,我们还从能带结构观点对Zn1-xCdxO薄膜的发光机理进行了研究.     

Ni-Cr合金钎焊单层金刚石砂轮界面结构的研究

以Ni-Cr合金粉做钎料适当控制钎焊工艺条件,成功研制了单层钎焊金刚石砂轮.利用扫描电镜和X射线能谱,结合金相及试样逐层的X射线衍射结构分析,剖析了Ni-Cr合金与金刚石和钢基体钎焊界面的微区组织结构,揭示了Ni-Cr合金对金刚石和钢基体的浸润性及钎焊机理.钎焊过程中Ni-Cr合金中的Cr元素在金刚石界面形成富Cr层并与金刚石表面的C元素反应生成Cr₇C₃;在钢基体结合界面上Ni-Cr合金和钢基体中的元素相互扩散形成冶金结合.这是实现合金层与金刚石及钢基体之间都有较高结合强度的主要因素,为开发新一代超硬磨料砂轮奠定了基础.     

PAN基碳纤维的微观结构对电阻率影响的研究

本文对不同碳化温度下制备的ＰＡＮ基碳纤维的电阻率、结构参数、微晶择优取向度Ｚ°及层面内Ｃ－Ｃ原子键距ａ０进行了测量,给出了ＰＡＮ基碳纤维的电阻率随结构参数（Ｌａ、Ｌｃ、Ｌ００２）的变化规律,同时对碳纤维的电子特性进行了初步讨论．     

具有高催化和吸附活性的片层状石墨相氮化碳的制备与表征

以尿素为原料,采用管式炉高温加热的方法制备出片层状石墨相氮化碳（g-C3N4）纳米材料,通过X射线衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）、红外光谱（FT—IR）、紫外可见漫反射光谱（DRS）对样品进行了测试分析．研究了样品在模拟可见光下的光催化活性,结果表明制备出的g-C3N4纳米材料不仅具有高效率的光催化活性,还兼具有对有机染料的高效吸附性能．     

碳毡表面BN涂层的制备

为了提高碳毡的抗氧化性能,采用化学转化法在碳毡表面制备BN涂层.首先将碳毡浸渍在硼酸和尿素的混合溶液中,干燥后在N2气氛和不同温度下（800℃、900℃和1 000℃）热处理2h.利用红外光谱仪（IR）和扫描电镜（SEM）对BN涂层的成分和形貌进行分析,研究热处理温度对BN涂层结构的影响,得到制备BN涂层的最佳热处理温度.结果表明：浸涂了硼酸和尿素溶液的碳毡在N2气氛下于800℃热处理2h,可制得较为均匀的BN涂层.     

硼离子注入对硅基Si3N4薄膜驻极体性质的影响及力学性能的改善

利用硼离子B⁺注入方法来改善Si₃N₄薄膜的力学性质,并就B⁺注入对Si₃N₄薄膜驻极体性质的影响进行了较为系统的研究.实验结果表明,B⁺注入能够有效地降低薄膜的内应力,而对薄膜的驻极体性质有不利的影响;用化学表面修正能够在一定程度上提高材料的抗恶劣环境能力。     

氧化铝陶瓷／金刚石膜复合材料的表征及介电性质研究

采用ＭＰＣＶＤ和ＨＦＣＶＤ在氧化铝陶瓷基片上沉积金刚石薄膜,用抛电镜,Ｘ躬一衍射和Ｒａｍａｎ散射分析表征了沉积膜的质量,并测这和分析了氧化铝／铝金刚石膜复合材料的介电性质。     

镀镍单壁碳纳米管镁基复合材料的微观组织研究

用化学镀法在单壁碳纳米管(SWNTs)外表面包覆Ni-P层,厚度约为20 nm.采用全液态搅拌铸造的方法,制备了镀镍单壁碳纳米管镁基复合材料,随镀镍单壁碳纳米管加入量的增加,复合材料的晶粒尺寸减小,但过多的加入会导致增强体团聚现象严重.观察复合材料的拉伸断口,发现碳纳米管在基体中能起到连接作用和阻碍裂纹行进的作用,提高复合材料的性能.     

Ni-Al2O3复合镀层的组织形貌与性能

通过电沉积方式制备Ni一纳米Al2O3，复合镀层，并用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）等测试方法研究了Ni-Al2O3复合镀层的组织与性能．结果表明：所得复合镀层中Al2O3粒子分布均匀，结晶细密，表面光滑平整．在本试验范围内，镀层的硬度和应力随着Al2O3含量的增加而升高．     

PAN基炭纤维微孔缺陷的表征及其对力学性能的影响

对不同热处理温度的PAN基炭纤维（PAN-CFs）进行小角X射线散射（SAXS）测试.基于材料分形理论和小角X射线散射理论,计算给出了炭纤维内微孔缺陷的大小、分布及微孔表面分形维数.探讨了纤维内微孔缺陷对其力学性能的影响.     

SnAgCuRE系钎料合金的显微组织和力学性能研究

对真空条件下制备的SnAgCuRE钎料合金的显微组织和力学性能进行了研究。试验结果表明:SnAgCuRE系钎料合金的显微组织和力学性能会随合金中Ag和RE添加量的变化而改变,Ag含量增加有助于共晶组织比例的增加和拉伸强度的增大,而RE含量为0.1wt%时延伸率和拉伸强度都达到最佳,但当RE添加量达到0.5wt%时,会由于钎料中出现CeSn3和LaSn3稀土化合物相而导致延伸率的下降。     

电弧放电法中碳纳米管的微结构控制

通过分析不同放电条件下得到的阴极沉积物形貌和微结构,提出整体温度较低的沉积物边缘具有较高的局部温度和较大的碳离子流;并提出阴极上存在两种电子反射机制:边缘区域的冷阴极场致电子发射,引起边缘硬壳的形成;中心区域的热电子发射,为碳纳米管的生长提供必要的条件.