空位缺陷对过渡金属表面电子态及化学吸附的影响

本文用Ｅｉｎｓｔｅｉｎ和Ｓｃｈｒｉｅｆｆｅｒ的单电子化学吸附理论及Ｙａｎｉｖ的空位理论研究了空位缺陷对过渡金属表面态密度及化学吸附引起的表面态密度变化的影响。结果表明，空位离表面格点愈近，对其表面态密度影响愈大，空位的存在有利于表面复合物的形成。这与实验符合得很好。     

基于格林函数与并矢格林函数对电磁场进行讨论

格林函数问题是讨论点源激励的辐射问题。本文从格林函数的概念出发,讨论了格林函数非齐次标量Helmholtz方程'2φ(r'→) k2φ(r'→)=-P(εr'→)的求解,同时利用并矢概念引入了并矢格林函数,对非齐次矢量方程××Ee→-k2Ee→=iωμJ→的求解进行了讨论,从结果来看,格林函数和并矢格林函数的引入,给复杂电磁问题的讨论带来了极大方便。     

对格林函数法的边值问题的讨论

讨论了用格林函数法求解静电学边值问题的边界条件。     

热传导问题的通用格林函数及格林函数解

给出了对于各类线性热传导问题均适用的格林函数及格林函数解,从而为导热问题的求解提供了一种系统便捷的方法,也为其它数理问题的求解提供了一种借鉴     

杂质对ZnO/Ni反担载催化剂表面H化学吸附的影响

本文在紧束缚近似下，利用格林函数方法和ＥＳ化学吸附理论研究杂质对Ｈ在反担载催化剂ＺｎＯ／Ｎｉ表面化学吸附的影响。研究结果表明，微扰Δε＜０的杂质削弱化学吸附，Δε＞０的杂质增强化学吸附，并且杂质位于载体第一层时对化学吸附影响最大。     

金属层厚对金属—半导体界面性质的影响

本文用一维紧束缚模型和格林函数方法研究了金属薄层的厚度对金屑一半导体界面电子态和界面能的影响。文中给出了计算局域电子态密度及界面能的公式,并以Pt-ZnO系统为例,计算了金属处于不同层厚时,界面处的电子态密度及界面能,讨论了薄层厚度对二者的影响。     

简立方晶体(110)面的化学吸附能及由吸附所引起的表面态密度变化

本文利用W.HO等人所用的LCAO及Green Function(GF)方法计算了简立方晶体(110)面的化学吸附能及由吸附所引起的表面态密度变化,并对它们随吸附原子与表面之间的相互作用势v′及孤立吸附原子能级Ea而变化的特征进行了分析,而且还与简立方晶体(100)面的结果进行了比较。     

CO在双金属催化剂上的化学吸附

本文用Anderson-Newns模型及一维紧束缚近似,研究了CO在双金属催化剂Pd/Cu上的化学吸附.通过对CO-Cu及CO-Pd/Cu两个不同吸附系统的电荷转移和化学吸附能的计算比较,结果表明,由于Pd在Cu上的覆盖,改变了CO和衬底之间的电荷流向,从而加强了对CO的吸附作用,改善了催化剂对CO的催化性能.     

化学吸附与表面多层偏析的相互影响:H/Au-Ag

采用格林函数(GF)方法和多重耦合自洽相干势近似(CPA)方法,研究了氢在Au Ag多层偏析无序二元合金表面的化学吸附,详细地讨论了DBA表面的多层偏析和化学吸附间的相互影响·结果表明,化学吸附引起的表面偏析能够在很大程度上改变合金表面成分和化学吸附能·对于H/Au Ag系统,可以看到随着计入的原子层数的增加,化学吸附能值表现出波动的特征·     

散射振幅的极点和束缚能级的关系——格林函数方法

对于一维散射给出了透射振幅的格林函数表示,对于三维散射近似给出了散射振幅的格林函数表示,利用散射振幅的格林函数表示,更一般性地说明了一维和三维情况下散射振幅的极点与束缚态能极的关系。     

分段函数在数学分析中的应用

本文通过举例说明了分段函数在数学分析的问题与反例中所起的重要作用。     

关于po—半群的Green关系类

Ｎ．ｋｅｈａｙｏｐｕｌｕ将一般半群中的Ｇｒｅｅｎ关系引入到偏序半群之中，得到了一系列重要结论本文的目的就是利用偏序半群中Ｇｒｅｅｎ关系类满足某些特殊条件来刻划ｐｏ－半群。     

计算相对论电子束与等离子体波导系统色散关系的格林函数方法

本文对于有限和无限磁场下的电子束——冷等离子体系统,应用格林函数方法得出了色散方程,此方程可用逐级近似求解,在一阶近似下,对不太复杂的几何形状,求得了相应的色散关系.本文发展的分析方法适合于研究有限磁场强度和不同的电子束几何形式对电磁辐射的影响.     

铁磁系统的玻色型Green函数

本文利用玻色型Green函数,选取不同于N.N.Bogolyubov和S.V.Tyablikov的对称截断近似,对自旋为1/2的铁磁系统作了讨论。指出了用玻色型Green函数求相关函数需用待定常数方法,而Boyolyubov和Tyablikov的结果恰好对应着某些待定常数为零的特殊情况。     

非均质地基弹性薄板分析的Green函数法

本文对非均质地基弹性薄板的静力、自由振动和动态响应进行了详细的研究。在静力和动力分析中统一应用薄板静力弯曲的奇性控制方程的基本解作为其 Green 函数,避免应用复杂的动力问题基本解,使动力分析大为简化。本方法是一种特殊的边界元法。它不须计算奇异积分,能分析具有任意边界形状和任意边界条件的非均质地基弹性薄板,还能方便地分析单点或多点支承板以及连续板。算例表明本方法兼具计算量小而精度高等优点。     

Au吸附在GaAs（110表面的研究

研究了Au吸附在GaAs(110)表面的吸附构型,并计算了表面态密度和表面能带结构.计算结果表明,可以认定Au与Ga的悬挂键杂化成键,从而引起2条附加的能带,一条位于禁带之中,距价带顶为0.9ev;另一条与价带共振,离价带顶为0.7ev,所得结果与实验结果相一致.     

掺杂晶体表面顶位、桥位和心位化学吸附的研究

本文用Green函数方法研究了不同类型的杂质对简立方晶体(SCC)(100)面顶位、桥位和心位化学吸附的影响。并讨论了分裂态的产生与吸附位置。杂质(△ε)以及吸附原子和衬底之间的相互作用势(v)之间的关系。     

双金属催化剂表面上的化学吸附

本文应用Einstein和Schrieffer的化学吸附理论和复平面能量积分技术研究了紧束缚近似下原子(或分子)吸附在双过渡金属(纯净的和含杂的)上的化学吸附特征。对杂质,本文用了Koster和slater模型。数值运算例子通过对CO分别吸附在Ni/Cu、Cu/Ni、Cu/Ni(C_0)和Cu/Ni(Cu)上而给出。