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磁性多层膜研究进展:各向异性磁电阻效应,巨磁电阻效应和特巨磁电阻… 总被引:3,自引:0,他引:3
磁性和非磁性层交替重叠构建的金属磁性多层膜通常具有巨磁电阻效应,其中每层膜的厚度约纳米数量级。本文拟就讨论各向异性磁电阻效应,巨磁电阻效应和特巨磁电阻效应。 相似文献
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自从磁多层膜体系的巨磁电阻效应被发现以来,它广阔的应用前景引起了人们对此问题研究的极大兴趣,但其物理本质目前仍不太清楚.我们拟从磁电阻系数与温度的依赖关系出发,来对其机制作一些初步的探讨.由Mathiessen定则,可以将体系的总的电阻表示为下面的两项之和:R=R_0+R(T),其中R_0为剩余电阻,而R(T)表示与温度T 相似文献
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自1988年Baibich等人在Fe/Cr多层膜中发现巨磁电阻(GMR)效应以来,人们对各种磁/非磁金属多层膜做了大量的研究.Fe/Cr,Co/Cu和Fe/Cu是最为人们熟悉的存在GMR效应的多层膜系统.金属多层膜中出现GMR效应的必要条件之一是相邻磁性层之间必须存在反铁磁耦合.最初人们对Fe/Ag多层膜的研究没有观察到反铁磁耦合.然而,Bruno等人对磁性过渡族金属/贵金属多层膜的理论计算表明,其中存在铁磁-反铁磁层间耦合振 相似文献
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瑞典皇家科学院2007年10月3日宣布,将该年诺贝尔物理学奖授予法国科学家费尔(A.Fen)及德国科学家格林贝格(P.Grünberg),以表彰他们在1988年发现巨磁电阻效应(giant magnetoresistance,GMR)的重大贡献.这次诺贝尔物理学奖的一个显著特点是该科学发现所产生的巨大价值正改善着我们每个人的生活质量,其原冈在于不仅我们日常用的计算机硬盘得益于这一物理发现,其他诸多数码产品(如数码相机、手机、MP3、游戏机等)都离不开它. 相似文献
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磁隧道巨磁电阻效应及应用 总被引:2,自引:0,他引:2
磁隧道磁电阻效应具有饱和磁场低,工作磁场小,磁电阻大,灵敏度高等优点,从而在计算机信息存贮和高灵敏传感器方面有着广泛的应用前景。本文着重介绍磁隧道结的原理,制备技术及应用前景。 相似文献
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磁性多层膜研究进展──各向异性磁电阻效应、巨磁电阻效应和特巨磁电阻效应 总被引:1,自引:0,他引:1
磁性和非磁性层交替重叠构建的金属磁性多层膜通常具有巨磁电阻效应、其中每层膜的厚度约纳米数量级。本文拟就讨论各向异性磁电阻效应、巨磁电阻效应和特巨磁电阻效应。由于在信息存储技术中的应用潜力,人们对巨磁电阻效应发生了浓厚的兴趣。 相似文献
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Ni80Fe20/Cu多层膜巨磁电阻与微结构的关系 总被引:2,自引:0,他引:2
采用磁控溅射方法,在不同溅射气压下制备了取向的具有巨磁电阻效应的Ni80Fe20/Cu金属多层膜。室温下,饱和磁电阻值随着Cu层厚主的增加呈振荡变化,在Cu层厚度tCu=1.0,2.2nm时。 相似文献
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近年来研究发现,由磁性材料和非磁性材料交替沉积而构成的金属多层膜和三层(Sandwich)结构系统中,非磁性层厚度发生变化时,相邻磁性层之间出现铁磁性耦合和反铁磁性耦合的交替变换,这种现象称为层间耦合的振荡.零场时若多层膜的相邻磁层呈反铁磁耦合,在外磁场作用下将导致多层膜电阻的大幅度下降,即产生巨磁电阻(Giantmagnetoresistance)效应.巨磁电阻效应最初在Fe/Cr多层膜系统中发现,随之在Fe/Cu, 相似文献
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<正>目前有关磁性多层膜的巨磁电阻效应许多理论在处理时虽然并不尽相同,但就其物理本质和机制来说都源于自旋相关散射,这一点是大家普遍公认的.巨磁电阻的产生来自于自旋散射的不对称,也即散射势与自旋有关,然而更为重要的是依赖于自旋的散射势究竟是怎样产生的,这个问题至今尚无定论,是当前人们所关注的焦点. 相似文献
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人们一般把磁性金属和合金的电阻随磁场大小而改变的现象称为磁电阻效应.磁电阻效应的大小通常用[ρ(H)-ρ(O)]/ρ(O)×100%来衡量,其中ρ(H)和ρ(O)分别是有磁场和无磁场时的电阻值.磁电阻效应,早在1857年就被英国的开尔文(L.Kelvin)发现了.不过,这种改变的幅度并不大,通常只在1%到2%之间. 相似文献
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2007年诺贝尔物理学奖授予巨磁电阻(Giant Magnetoresistance)效应的发现者。他们是法国物理学家阿尔贝8226;费尔(Albert Fert)和德国物理学家彼得8226;格伦贝格(Peter Grünberg)。在探索基本磁性问题(人工结构中的交换作用)过程中发现了巨磁电阻现象。随后,巨磁电阻效应和金属多层薄膜被用于读取计算机硬盘数据。近十年来的开发,使得计算机硬盘的密度和容量提高了几百倍。这个发现使人们对自旋极化电子输运过程产生特别的兴趣,并导致自旋电子学(Spintronics)的创立。 相似文献
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纳米Fe-In2O3颗粒膜的磁性和巨磁电阻效应 总被引:3,自引:0,他引:3
采用射频溅射法制备了纳米“铁磁金属-半导体基体”Fe-In2O3颗粒膜,研究了Fex(In2O3)1-x颗粒膜样品的磁性和巨磁电阻效应,实验结果表明;当Fe体积百分比为35%时,颗粒膜样品的室温磁电阻变化率△ρ/ρ0数值达到4.5%,Fe0.35(In2O3)0.65颗粒膜样品的磁电阻变化率△ρ/ρ随温度(T=1.5-300K)的变化关系表达;当温度低于10K时,△ρ/ρ0数值随温度的下降而迅速增大,在温度T=2K时△ρ/ρ0达到85%,通过研究颗粒膜低场磁化率X(T)温度关系和不同温度下的磁滞回线,证实当温度降低到临界温度Tp=10K时,颗粒膜中结构变化导致磁化状态发生“铁磁态-类自旋玻璃态”转变,Fe0.35(In2O3)0.65颗粒膜样品的磁电阻变化率△ρ/ρ0在温度低于10K时的迅速增大,可能是由于纳米“铁磁金属-半导体基体”Fe0.35(In2O3)0.65颗粒膜样品处于“类自旋玻璃态”时存在特殊的导电机制所造成的。 相似文献
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镀NiFeB膜的绝缘层包裹BeCu丝的巨磁阻抗效应和低频磁电阻效应 总被引:8,自引:1,他引:8
用化学镀方法制备了镀NiFeB膜的绝缘层包裹BeCu复合结构丝. 该复合结构丝在较低频率驱动电流下有较大的巨磁阻抗效应. 在10 kHz时磁阻抗效应(ΔZ/Z)max达31.4%, 500 kHz时(ΔZ/Z)max为250%. 同时在较低频率驱动电流下出现了磁电阻效应, 当频率为540 Hz时磁电阻效应(ΔR/R)max为–8.5%, 10 kHz时(ΔR/R)max达38.7%. 由于软磁NiFeB层的作用, 当交流驱动电流通过BeCu导电丝时产生了等效电阻和电感, NiFeB复合丝的巨磁阻抗效应特性和低频磁电阻效应与此密切相关. 相似文献