一维点阵的电子态

本文利用A、B构成序列有不同排列方式,模拟出晶体、孪晶、准晶和无序的一维结构。应用紧束缚模型,对各结构的电子态进行计算研究,系统地分析比较了各序列的电子能谱、态密度、局域度以及波函数图象,得出准晶体结构是一种新的结构,其电子态不同于晶体、孪晶及无序体的电子态等结论。     

（HgS／CdS）nHgS线状超品格电子能带结构

建立了由两种不同材料构成的沿轴向的线状超晶格体系的薛定谔方程，并对(HgS／CdS)nHgS线状超晶格作具体计算，探讨了势阱和势垒宽度对电子能谱的影响。结果表明：沿轴向方向的线状超晶格系统的电子能谱存在能带结构，低能带的宽度要比高能带的宽度小；势阱宽度增大和势垒宽度减小会使带底的位置降低而带宽增大；圆柱半径在40^。A左右时，第一禁带宽度最大。     

三维材料和界面体系电子结构的软X射线ARPES研究

关联电子体系拥有丰富的量子现象,理解这些量子现象的机理离不开对其电子结构的细致观测.然而很多有趣的体系都具有三维的晶体结构或者是深埋的界面态,而电子结构观测往往是表面敏感的探测手段,例如角分辨光电子能谱等,给实验研究带来巨大的挑战.随着同步辐射光束线的发展,软X射线波段的角分辨光电子能谱开始投入使用,给三维体系和界面体系的电子结构研究带来曙光.本文将系统介绍软X射线角分辨光电子能谱的科学目标、实验上的优势和技术挑战以及简要发展历程;结合研究实例,着重介绍该技术在获取三维本征体态电子结构、探测界面态电子结构、对3d过渡元素和4f稀土元素的共振测量以及与真空紫外波段角分辨光电子能谱配合研究方面的应用.最后给出对该技术进一步发展的展望与国内现状.     

二氧化氮分子的量子化学计算及其紫外光电子能谱的解析研究

本文用从头计算法对二氧化痰分子进行了量子化学研究,并将计算结果用于紫外光电子能谱的解析研究,且对该分子的电子结构作了有意义的讨论.计算所得的二氧化痰分子稳定几何构型与实验测定值完全相符;此构型的分子基态电子组态中,两个n型分子轨道1b_1和1a_2均填两个电子,形成Π_3~4π键;并根据分子轨道等值线图所表明的成键性质,对光电子能谱实验作出了令人满意的阐释.     

柱对称超晶格中电子能谱特征探讨

建立了柱对称超晶格异质结构中电子运动满足的薛定愕方程,采用微扰法推导出电子能谱的色散关系;证明了技状超晶格中电子能话存在着容许带和禁带的交错;讨论了共轴异质层厚度以及异质系统核心半径对电子能谱的影响．     

电沉积纳米金属多层膜研究

分别采用单槽法和双槽法电沉积制备Cu/Ni多层膜。研究了两种电沉积方法制备多层膜的工艺条件,并利用俄歇电子能谱和扫描电子显微镜（SEM）确定镀层结构。通过对比,分析了单槽法和双槽法制备多层膜的优缺点。     

N—2—溴乙基咔唑的HeI（UPS）及电子结构研究

报道了Ｎ－２－溴乙基咔唑的紫外光电子能谱，并用量子化学方法计算该化合物的电子结构。     

光电子能谱和分子轨道

原子或分子在紫外线、x射线等能量较高的电磁波作用下,会有电子逸出。测量这些电子的能量分布,可以得到电子的能谱,称为光电子能谱(Photoelectron Spectra简写作PES)。光电子能谱的文献报导最早见于1961—1964年间,苏联和英国两个研究组分别发表了他们首批实验结果~([1][3])。十多年来,这种实验方法引起了广泛的重视,特别是它作为核对量子化学近似计算结果和在分析方面的应用这两个方面,显得更为突出。     

PECVD SiO_2/InP结构的AES和XPS分析

本文介绍了经不同表面处理制成的PECVD Si为_2/InP 結构的俄歇电子能谱(AES)和X光电子能谱(XPS),分析了SiO_2/InP结构介质层、界面过渡区和体内区的化学组分和组志。并研究了表面处理对SiO_2/InP界面过渡区宽度及其化学物理结构的影响。     

含氧小镍原子簇电子结构

本文用多重散射波x_a方法计算了含氧小镍原子簇的电子结构。给出了本征能谱、态密度及Hellmann-Feynman力,也指出了杂质氧对电子结构的影响及相关物理效果。     

椭圆偏振强激光场中库仑散射对原子单电离的影响

文章采用隧穿电离半经典系综模型,研究了椭圆偏振强激光场中库仑散射对原子电离的影响。结果发现,库仑散射按能量可以分为低能散射和高能散射两种。低能散射对电子电离角分布不对称性有加强作用,原子电离能越小,这种加强作用越大,而高能散射对原子电离角分布不对称性影响很小。但是,高能散射造成了椭圆偏振光辐射下电子能谱中的平台结构,而低能散射对此平台结构的形成没有作用。另外,高能散射电子的动量分布与电子的初始隧穿位置密切相关。本论文的研究进一步揭示了电子在椭圆偏振场的再散射过程,这对于碰撞物理学发展和阿秒钟等高端测量仪器的研制都有非常重要的意义。     

环状共聚物的电子特性研究

针对由小带隙的聚乙炔和大带隙的苯作为聚合物单体的聚合物的几种简单环状模型,采用紧束缚近似计算方法,研究了它们的电子能谱和态密度特征,并考虑到环状结构的特点,同时在计算过程中也考虑了聚乙炔链中的最近邻和次近邻跃迁.结果表明:由于考虑了次近邻跃迁,导带和价带的对称性被破坏了,有着明显的不对称特征,能隙稍变窄.随着环状聚乙炔链中的苯环数的增多,电子能谱和态密度均有显著的变化,能谱分布逐渐不均匀,呈现出较明显的4条能带,态密度分布也相应地出现4个峰.     

一维准晶系统中具有套层结构的局域性

在研究一维准晶的电子性质时，发现了一种特殊的局域性，该模型是生长规则为A→ABB，B→A的广义Fibonacci链，其能谱具有三分支的自相似结构，且在任一层的任一子带中，处于能谱中间的态是扩展态，两边的是局域态，而在它们之间存在中间态，即该系统具有规则套层结构的局域性，由此可预言多个迁移率边的存在。     

GaAs(110)面银膜的紫外和X射线光电子能谱

在三种光波长(光子能量=21.2eV、40.8eV、1486.6eV)下,测量了GaAs(110)解理面上较广的膜厚范围(0.05—1000(?))Ag 膜的紫外光电子能谱和X 射线光电子能谱。分析了Ga3d 峰,As3d 峰、Ag3d 峰、d 带和价带结构随膜厚增加的变化,得到关于费米能级钉扎、半导体一金属界面处的混杂、金属薄膜的费米边和能带结构、d 带紫外光电子谱强度随膜厚增加出现的极大点等的结果,显示出银膜与其他金属膜的一些异同。     

基于SSH模型的锯齿型边石墨烯纳米带电子能谱研究

利用SSH（Su-Schrieffer-Heeger）模型研究了2条聚乙炔链键与键平行和非平行结构耦合的电子能谱.两者的电子能谱与耦合强度之间有类似关系,但平行结构受耦合强度的影响更大些.在此基础上,将耦合链模型应用于锯齿型石墨烯纳米带的电子能谱计算,并给出了解析色散关系.同时,还研究了电子能谱与其耦合强度的关系,耦合越强,能带越宽.     

一些磷化合物的X射线光电子能谱

本文研究了一些磷化合物的X射线光电子能谱,测定了磷1s电子的结合能、磷2p电子结合能和磷KLL俄歇电子能量,首次报导了九个磷化合物的有关电子能谱值,并讨论了这些电子能谱位移与化学状态之间的对应关系.     

LiKSO_4单晶体的XPS实验研究

以 XPS 研究了 LiKSO_4 单晶体的电子结构,首次给出该晶体(0,0,1)面的XPS 光电子能谱。基于对O1s谱峰的解析描述了该晶体电子结构的某些特点。文中还得到了质量相当高的价带光电子谱,并将其与Li_2SO_4的价带电子结构进行比较加以讨论。     

等离子体制备低表面能薄膜性能研究

以六甲基二硅氧烷为反应单体,采用连续与脉冲射频(RF)等离子体两种放电模式聚合低表面能薄膜,研究了连续放电不同功率、脉冲放电不同脉冲宽度和间隔对聚合薄膜性能的影响.通过对薄膜性能的表征:接触角的测量,红外光谱、X光电子能谱和原子力显微镜的结构和表面分析,发现在低输入功率和脉冲等离子体大与空比条件下,可得到表面能低、疏水性能好、表面结构可控的低表面能薄膜.     

衬底负偏压溅射对ZrN薄膜性能的影响研究

本文采用S-抢磁控溅射系统淀积ZrN薄膜,用扫描电镜、X射线衍射、反射电子衍射、俄歇电子能谱和电学测量等方法研究了衬底负偏压溅射和溅射两种工艺方法淀积的ZrN薄膜的结构、组分和薄膜电阻率。结果表明,适当增大溅射功率,采用衬底负偏压溅射方法,有效地减少了氧的沾污,使得所淀积的ZrN薄膜的电学性能有明显改善。     

热等静压FGH95合金组织结构的研究

国外应用Rene"95粉末高温合金已有10余年历史。本文研究在不同温度热等静压和热处理之后FGH95合金的显微组织结构。应用俄歇电子能谱和X-线电子能谱分析仪研究颗粒表面偏析和表面组织结构。采用光学显微镜、扫描电镜、透射电源观察热等静压之后合金显微组织结大构的变化,特别用扫描透射电镜详细观察萃取复型组织和金属薄模样品。证明当粉末在高于1053℃热等静压时,MC碳化物沿原始颗粒边界离散地析出,并且碳化物颗粒的间距远大于碳化物尺寸。时效热处理后,沿原始颗粒边界的多数MC碳化物转变成沿原始颗粒边界半连续分布的薄膜状M_(23)C_6型碳化物。发现γ′相的溶解温度与热等静压压力有关。俄歇能谱和X-线电子能谱分析结果表明:在粉末颗粒表面存在氧、碳、铬、钛和硫等元素的偏析,以及颗粒表面部分被氧化。