Tb-Fe合金系非晶薄膜的电子输运性质

引言非晶材料的电子输运性质已成为人们感兴趣的研究课题。我们对稀土—铁族非晶薄膜开展了一些观察电子输运性质的工作。在对溅射的Gd-Co薄膜观察到低温电阻率反常之后,对用蒸发淀积方法制备的Tb_(36)Fe_(64)非晶薄膜,也观察到低温电阻率反常。在此基础上,我们在一般真空度(2×10~(-5)—6×10~(-6)mmHg)的条件下,制备了一组Tb_xFe_(100-x)(at.％)合金非晶薄膜,20≤x≤75,进一步探讨稀土一铁族非晶薄膜的电子输运性质。     

非晶软磁薄膜的射频溅射

Co基非晶软磁薄膜是一种可以得到低矫顽力,零磁致伸缩系数和高磁导率的材料。非晶磁膜有优良的耐腐蚀性,有较高的电阻率,有优良的高频特性。这些一般都优于晶态叵姆合金膜。因而非晶磁膜是一种理想的薄膜磁头材料。此外,它还可以用于电流传感器,薄膜变压器,声表面波可变延迟线,以及其它许多薄膜器件中,它已成为一种很有吸引力的新型材料。     

液态纯锑电阻率随温度的反常变化

利用直流四电极法精确测量了不同温度时液态锑（Sb)的电阻率。实验发现液态Sb的电阻率随温度升高存在有别于一般简单液态金属的反常变化。结合已报道的部分温度点的结构因子,利用液态金属电阻率Ziman理论讨论了实验现象,结果认为部分有序结构的存在是导致在熔化时发生半金属－金属转变的Sb在液态具有反常物理性质的原因,并分析了熔体结构转变的历程。     

CoMnNiO非晶薄膜的退火性质

一、引言 CoMnNjO非晶薄膜是一种宽温区热敏材料。它不仅可用于一般测控温元件的制作,而且对于快速响应的测温元件具有独特的优点。目前,对于这种材料的结构及各种性质有待研究,国内外尚无有报道。非晶材料是一种亚稳态结构。若要使其具有稳定的结构和电学性质,便于实际应用,须对其退火性质进行分析和研究。本文报道用X射线衍射(XRD)和扩     

Co基非晶薄膜旋转场热处理

引言 非晶态磁性材料具有高电阻率、高磁导率、低矫顽力、低损耗以及耐磨损、耐腐蚀等优异特性。尤其是Co基非晶薄膜磁导率高频特性优于坡莫合金,是一种理想的薄膜磁头材料。但是制备态的非晶膜存在很大的内应力,σ约为10~9～10~(10)dyne/cm~2,即使对λ_s为10~(-7)的Co基膜,其应力各向异性K_σ仍有10~2—10~3erg/cm~3。再加上由于材料成分、密度涨落,原子偏聚,指向有序化造成的内部结构各向异性,表面形貌不平产生的表面各向异性,使制备态样品     

二种非晶合金在流体静高压下的电阻率

非晶态铁磁性合金不仅磁性优良,而且电阻率比同组分晶态合金高1—2个数量级.它取代硅钢片等制成变压器铁芯使铁损减少3/4,并提高工作频率,已在美、日、德、法等国广泛应用.然而非晶态合金的导电性理论至今仍很不完善,有较大局限性.(1)推广的 Ziman 理论可解释在任意温度简单金属(d 壳层全空或全满的金属)玻璃的电阻特性,却不能解释非简单金属(含过渡金属和稀土元素)玻璃的电导输运特性.因为后     

关于A15化合物低温电阻率的温度依赖性

一、引言 实验表明,在大约50K以下的温度范围,A15化合物Nb_3Sn,Nb_3Al和Nb_3Ge的正常态电阻率可以相当好地用ρ=ρ0 αT~2的规律描写;V_3Si的电阻率似乎比T~2增加得略快一些;Nb_3Sb的电阻率随T的增加比较快,不能用简单的方幂表达,但在15—25K之间接近T~(3.6);还有一些A15化合物,如Cr_3Si,低温电阻率显示了更快的变化。这些现象的解释目前还是一个有争议的问题。     

含有反常质子的反常中子星

在文[1]和[2]中,我们已经论证了可能存在两类中子星——由正常中子物态构成的正常中子星和由反常中子物态构成的反常中子星。文[1]和[2]用的都是均匀星体模型近似。文     

含有反常质子的反常中子星

在文献[1]和[2]中,我们已经论证了可能存在两类中子星——由正常中子物态构成的正常中子星和由反常中子物态构成的反常中子星。文献[1]和[2]用的都是均匀星体模型近似。文献[3]讨论了非均匀星体模型,也得到了同样的结论。 按照李政道等所提出的反常核态理论,自然界可能存在一种强作用的同位标量O~ 介子,它与核子间的耦合相当于将核子的静止质量由m_n换成     

非晶态Fe_(90-x)Co_xZr_(10)合金的电阻率反常

一、引言 非晶态合金的电子输运性质已有广泛的研究。由于非晶态合金的结构无序,一般地说,其电阻率比晶态合金高,但电阻温度系数小。非晶态合金中的电阻极小现象,不仅可以出现在磁性原子稀释的合金中,也可以与铁磁性共存。为解释非晶态合金中的电阻率反常现象,     

非晶形铁的氧化物薄膜的激光化学气相沉积

激光化学气相沉积(LCVD)是通过激光光分解气相有机化合物分子,分解出金属原子沉积在基片表面的一种新型的薄膜制备技术,与传统制备薄膜方法相比,这种方法可在室温下一步完成制备过程,不需要掩膜版,便于对沉积过程进行控制。用这种方法,沉积速率高,膜层的纯度高,并且目前已实现了0.2微米量级的空间分辨率和3.5微米量级大小的光斑。所以LCVD作为一种新的手段,在微电子学工业上将有重要的应用价值。     

氧掺杂引起的T′相铜氧化合物低温磁性反常

采用高压合成的方法对 (Eu1-_xY_x) ₂CuO₄ 和Sm₂CuO₄ 样品进行了氧掺杂 ,并发现了一个位于29K附近新的低温磁性反常 .分析表明该反常也是铜原子磁矩的贡献 ,但有着和T′相化合物弱铁磁不同的形成机理 ,它的出现对应着由掺杂到CuO₂ 面上的空穴产生的铁磁性团簇 .这一结果还揭示了T′相化合物区别于p型超导材料的一个独特性质 ,即没有顶点氧存在的T′相化合物的CuO₂ 面只能接受极微量的空穴 ,一旦达到极限 ,不管有多少氧掺杂进物相 ,都不能在CuO₂ 上引入更多的空穴     

氧掺杂引起的T′相铜氧化合物低温磁性反常

采用高压合成的方法对 (Eu1-xYx) 2 CuO4 和Sm2 CuO4 样品进行了氧掺杂 ,并发现了一个位于 2 9K附近新的低温磁性反常 .分析表明该反常也是铜原子磁矩的贡献 ,但有着和T′相化合物弱铁磁不同的形成机理 ,它的出现对应着由掺杂到CuO2 面上的空穴产生的铁磁性团簇 .这一结果还揭示了T′相化合物区别于p型超导材料的一个独特性质 ,即没有顶点氧存在的T′相化合物的CuO2 面只能接受极微量的空穴 ,一旦达到极限 ,不管有多少氧掺杂进物相 ,都不能在CuO2 上引入更多的空穴     

HgCdTe薄膜的液相外延生长及低温热处理

ＨｇＣｄＴｅ材料是一种重要的红外探测器材,用液相外延长的ＨｇＣｄＴｅ薄膜是目前制造光伏焦平面器件的主要材料。     

非晶态Gd—Co膜中观察到低温电阻率反常现象

近年来,对稀土和铁族(Fe、Co、Ni、Mn)所组成的非晶态合金性能的研究,引起了人们很大的兴趣,这不仅因为这些合金的性能和相应的晶态合金相比有很大的差别,而且它们还具有潜在的应用价值。对非晶态稀土磁性合金的电子输运特性,也有一些报道,如Fert     

反常的Reimer-Tiemann反应

众所周知,酚的Reimer-Tiemann反应的产物系以邻羟基苯甲醛(Ⅰ)为主,对羟基苯甲醛(Ⅱ)为次。     

常温下n-Ge中的反常电导效应及其与反常霍耳、反常磁致电阻效应的关系

半导体反常电磁特性的研究,已有30多年的历史。但由于对其机理的探讨,目前分岐很大,所以至今这方面的实验研究和理论研究都还正在发展中。 目前,已发现的半导体反常电磁特性,均出现在低温和超低温区。因此,相应的许多理论也都以低温和超低温为前提条件。     

冬季天气反常的根源

对于地球气候的未来而言,不管全球变暖的典型模式预示着什么,有一点是肯定的:全球变暖永远也不可能使冬季消失,对于热带以外的地区来说尤其如此.从今年初巴格达的飘雪天气到中国的特大暴风雪,过去的几个月见证了各地的反常天气.     

n-Ge中的反常霍耳效应

反常霍耳效应的研究,虽然已经取得了不少成果,可是由于对它的理论解释目前还存在很大的分歧,所以至今这方面的实验研究和理论研究还都正在进行之中。 到目前为止,在各种半导体样品中,已被发现的全部反常霍耳效应,均出现在低温或超低     

TbFe_3、GdFe_2和GdCo_2非晶薄膜的X射线光电子能谱研究

一、引言 稀土(RE)——过渡族金属(TM)非晶态合金的研究一直是比较活跃的领域之一。近十年来,在原子结构,电子输运,磁性和力学性能等方面开展的工作较多,但对其内禀特性,如电子能谱和光学特性等方面的研究尚少,最近才开始。