用俄歇电子能谱研究薄膜Cu2S/CdS太阳能电池

用俄歇电子能谱(AES)研究了化学沉积Cu₂S制备的Cu₂S/CdS系太阳能电池,探讨了提高电池性能与成品率的方向.还观察到电池组成元素S、Cd随存放时间的增长而向电池表面扩散并逃逸、Cu向纵深方向扩散等现象.讨论了AES分析的深度分布特征与电池效率之间存在着某种函数关系.     

原子V,Cu,Sr,Te的KLL俄歇电子能量的计算

本文用相对论X的过渡态方法计算了V,Cu,Sr,Te的KLL俄歇电子能量,并在计算中考虑到对Slater交换势的相对论修正.计算值与实验值的偏差为4‰,进一步改进了计算结果.     

可伐合金腐蚀行为的电子能谱研究

用XPS、AES研究了可伐合金分别经1:1:8体积比的盐酸——硝酸——水溶液,1:1:1.5:6.5体积比的盐酸——硝酸——丙三醇——水溶液处理后的表面组成、表面层原子价态和表面元素深度分布,并探讨了混合强酸中可伐合金的腐蚀行为。     

V2NO2/TiSi2N4异质结界面性质调控的理论研究

使用第一性原理计算研究了外加电场对V₂NO₂/TiSi₂N₄异质结构接触类型和肖特基势垒的调控．计算结果表明,外电场可以有效地调控V₂NO₂/TiSi₂N₄肖特基势垒的高度及其异质结的接触类型．正负向外电场均能实现V₂NO₂/TiSi₂N₄异质结构p型与n型肖特基接触之间的动态转化．此项工作为基于TiSi₂N₄半导体的肖特基功能器件及场效应晶体管的应用提供理论基础．     

镁合金表面脉冲电沉积Zn过渡层的研究

采用电沉积方法在镁合金表面制备了一种环境友好型Zn过渡层.利用SEM、XRD研究了直流和脉冲电沉积方式对Zn过渡层形貌及微观结构的影响,采用电化学方法研究了Zn过渡层的耐蚀性.结果表明,Zn过渡层在镁合金表面电沉积Sn-Ni合金过程中是必不可少的.在相同的厚度下,脉冲电沉积方式的应用更有利于制备平整致密、无孔且耐蚀性高的Zn过渡层.只有以脉冲Zn为过渡层才能获得良好的后续Sn-Ni合金镀层.     

外电场调控V2NO2/MoGe2N4异质结界面性质的第一性原理

采用第一性原理计算系统地研究V₂NO₂和Mo Ge₂N₄的基础性质,及其异质结界面的电场响应特性．V₂NO₂具有类金属特性,Mo Ge₂N₄为间接带隙半导体特性．两种结构搭建的异质结具有六种不同堆叠方式,全部构型进行优化并选用了最低能量构型进行电场响应特性分析．V₂NO₂/Mo Ge₂N₄异质结构的界面相互作用为范德瓦尔斯相互作用,两种结构在异质结中良好地保持了自己的本征性质．在外电场的调控下,V₂NO₂/Mo Ge₂N₄异质结可以在p型肖特基接触和欧姆接触之间转换．结果表明,V₂NO₂/Mo Ge₂N₄是可调的金属/半导体接触．     

（112）面CdTe／Cd1—yZnyTe,Hg1—xCdxTe／CdTe和CdTe／GaAs异质结的方向倾斜

用 X射线双晶衍射 ( XDCD)法测得分子束外延 ( MBE)法生长的 Cd Te/ Cd0 .959Zn0 .0 4 1 Te( 112 ) B异质结的倾斜角为 0 .2 185°,而且朝 [1- 1- 1]晶体学方向倾斜 .为了获得较精确的倾斜角值 ,绘制了外延层和衬底衍射角的差值Δθ与绕样品表面法线旋转的角度 之间的准正弦函数 .为高分辨率透射电子显微镜 ( HRTEM)分析制备了 MBE法生长的 Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te/ Cd Te/ Ga As( 1- 12 ) B多层异质结的横截面薄膜 .Cd Te/ Ga As异质结的 HRTEM明场象表明 Cd Te( 1- 12 )缓冲层相对于 Ga As( 1- 12 )衬底朝 [1- 11- ]方向倾斜约 3°,并且在 Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te/ Cd Te异质结 ,Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te( 1- 12 )外延膜相对于 Cd Te( 1- 12 )缓冲层在 [11- 1]方向 ,即 [1- 11- ]的反方向倾斜约 1°.也分析了 Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te/ Cd Te/ Ga As多层膜之间的倾斜角关系 .     

(112)面CdTe/Cd1-yZnyTe,Hg1-xCdxTe/CdTe和CdTe/GaAs异质结的方向倾斜

用X射线双晶衍射(XDCD)法测得分子束外延(MBE)法生长的CdTe/Cd0.959Zn0.041Te(112)B异质结的倾斜角为0.2185°,而且朝［1-1-1］晶体学方向倾斜.为了获得较精确的倾斜角值,绘制了外延层和衬底衍射角的差值Δθ与绕样品表面法线旋转的角度φ之间的准正弦函数.为高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)分析制备了MBE法生长的Hg0.535Cd0.465Te/CdTe/GaAs(1-12)B多层异质结的横截面薄膜.CdTe/GaAs异质结的HRTEM明场象表明CdTe(1-12)缓冲层相对于GaAs(1-12)衬底朝［1-11-］方向倾斜约3°,并且在Hg0.535Cd0.465Te/CdTe异质结,Hg0.535Cd0.465Te(1-12)外延膜相对于CdTe(1-12)缓冲层在［11-1］方向,即［1-11-］的反方向倾斜约1°.也分析了Hg0.535Cd0.465Te/CdTe/GaAs多层膜之间的倾斜角关系.     

In1-xAlxAs/GaAs一维超点阵结构的X射线衍射和Raman散射研究

用同步辐射和CuKα X射线衍射方法对In_1-xAl_xAs/GaAs一维超点阵结构进行对比式研究.从低角衍射数据求得超点阵的周期Λ,由GaAs(002)附近衍射数据求得各结构参数.对两种光源的衍射结果进行了分析和比较.解释了该超点阵的Raman散射谱,发现在Ga_1-xAl_xAs混晶谱中不存在的275cm^-1峰.     

二元过渡金属氧化物界面结构的研究(IV): 共用氧原子的密置球形八面体非单层分散模型

为了解释界面上大的分散阈值与组分氧化物小的比表面之间的共存关系,在纳米尺度上提出了非单层分散模型,即各组分氧化物以球形八面体MeO6为单位,在二元氧化物界面上进行分散,八面体之间通过共用氧原子密置成为二维单层,再由有限个数这样的单层相互叠加而成为界面过渡层.该过渡层虽然是非单层的,但仍然属于非晶相,并具有非化学计量组成.具体计算了非单层模型的七个主要参数每种组分氧化物的平均单层数分别为1.6～8.5,单层厚度为0.678～0.718nm,叠加厚度为1.10～5.81 nm,过渡层总厚度分别为5.34～8.78 nm,以及各组分氧化物八面体的球形半径,密置单层容量和每百平米分散阈值.通过讨论非单层分散与非晶相之间的关联,概述了二元氧化物界面上非单层分散的晶相损失机理以及界面的非晶相结构和对热的亚稳性.     

阳极氧化InP表面和界面的AES研究

利用俄歇谱线的形状和能量位移分析了阳极氧化InP的表面和界面,对在pH=2.6和pH=6两种酒石酸+丙烯乙二醇电解液生长的InP氧化物,研究了其组分和键合态.     

四氟乙烯共聚物熔体中的转变四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物

用扭辫分析(TBA)发现在四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物(PFA)熔体中存在转变T_uPFA从熔点以上T_u以下温度冷却结晶时形成无规晶片,从T_u以上温度冷却时形成球晶;而从转变温度范围冷却时,则形成棒晶或棒晶与其他晶型共存的形态.DSC研究表明,从T_u以下温度冷却结晶时,其速度要比从T_u以上温度冷却时为快,但转变时并无明显的热效应产生.根据上述结果,对PFA熔体中发生的转变性质提出了解释.我们认为,这种转变与分子链从伸展构象转变为卷曲构象有关.     

LiTaO3晶体结构相变的等频喇曼光谱研究

本文分别在升温与降温过程中测量了10cm~(-1),30cm~(-1),50cm~(-1),80cm~(-1)处的等频喇曼光谱,并与理论计算的结果进行了系统的比较,基本上得到了定量的拟合。这一方法解决了普通喇曼光谱在分析高温下样品时所存在的中心峰干扰的难题,对结构相变的光谱研究开拓了一个新的领域。     

关于结构化学中波函数的研究

波函数ψ是现代化学中最重要、最基本的概念之一,对研究物质的结构有重要作用。本文对波函数的物理意义、波函数的求解、波函数的节面、波函数的下标等性质进行研究和探讨。     

SolidWorks接口开发技术的实现

实现了运用SolidWorks的二次开发功能进行程序自动生成模型技术,并给出了具体的实现方法和程序示例．     

基因疫苗的研究进展

本文简要介绍了基因疫苗的研究进展及应用优势。     

单分子层油酸包覆Fe3O4的研究

本文提出了一种共沉淀——溶液吸附法制备单分子层油酸包覆Fe₃O₄超微粒子的方法,并采用透射电镜比表面测定,差热和热重,X光衍射和红外光谱分析等对其颗粒的形状、大小和结构作了初步探讨.提出了颗粒度和油酸吸附量的简易估算和测定方法.     

液／液界面电化学分析在双水相体系中的应用

用循环伏安法研究了聚乙二醇－６０００和磷酸钾双水相体系中，各种组分对螺旋霉素推动质子在水／硝基苯界面上转移行为的影响，并建立了一种双水相体系检测螺旋霉素的电化学方法。     

45,45CrNi钢硫氮碳共渗层组织特性的研究

探讨了45、45 CtNi钢在J-1盐浴中进行无污染硫氮碳共渗的渗层组织及其特性。结果表明,共渗温度、时间以及控制盐浴活性的[CNO~-][S~-]等因素对渗层组织、性能有明显影响。     

Internet交互界面设计规范的研究

友好的Internet交互界面可以提高信息的访问频度。从软件工程的角度分析给出了Internet交互界面设计的一般步骤和方法,Internet交互界面规范设计中的五个标准过程。