最近邻强交换相互作用对spin-1纳米管磁化强度的影响

利用有效场理论研究纳米管上最近邻原子间强交换相互作用对Blume-Capel模型磁化强度的影响,得到系统格点的磁化强度与最近邻强交换相互作用和晶格场强度的关系。结果表明,最近邻强交换相互作用和晶格场强度等诸多因素相互竞争,使系统表现出丰富的磁学特性:正晶格场促进系统的磁化强度,且系统仅发生二级相变;负晶格场抑制系统的磁化强度,且系统发生一级和二级相变;不同位置的强交换相互作用对系统的磁化强度影响程度不同。     

双模随机晶体场对混合自旋1/2和自旋1纳米管上相变的影响

本文利用有效场理论研究了自旋1/2和自旋1混合Blume-Capel模型在具有双模随机晶体场的圆柱形Ising纳米管上的磁化和相变. 通过数值计算,我们得到了随温度和随机晶体场参数变化的相图和磁化强度. 结果表明: (1) 改变晶体场的概率和比例,双模随机晶体场可以描述不同掺杂原子对自旋的作用;(2) 对于一定的概率值、负或正的晶体场和晶体场的比例值都存在临界点;(3) 系统显示多种相变温度,一阶相变和二阶相变.     

Blume-Capel模型的相变特性研究

在有效场框架下,就三维稀疏晶场作用的键尤规Blume-Capd模型(BCM)的相网进行了研究,具体分析了三临界点(TCP)随稀疏晶场和键无规这两种尤序因子的变化关系及相变曲线呈现的新特征,给出了相应的相图.     

双模随机晶体场对混合自旋1/2和自旋1纳米管磁化强度的影响

本文利用有效场论研究了原子掺杂对纳米管晶格点磁化强度的影响. 结果表明, 掺杂程度、晶场取值概率、最近邻交换相互作用与晶场强度相互竞争, 使系统具有丰富的磁化特性. 当负晶场作用于系统时, 系统发生一级相变. 负晶场越强, 对系统磁化强度的阻碍作用越明显. 当晶场参数和掺杂程度不同时, 系统磁化强度随温度的变化表现出奇异性.     

稀释晶场中最近邻弱交换相互作用对重入现象的影响

利用有效场理论研究了稀释晶场中混合自旋Blume-Capel模型纳米管系统的重入现象,得到了系统的重入现象与稀释晶场取值概率、晶场和外壳层与内壳层格点间最近邻交换相互作用的关系.结果表明:取值概率、交换相互作用和晶场强度等诸多因素相互竞争,使系统表现出比恒定晶场作用的Blume-Capel模型更为丰富的磁化行为:负晶场...     

三维横向晶场稀疏Ising模型的相变行为及磁化

在有效场理论和切断近似的框架内,研究自旋S=1横向晶场稀疏Ising模型的相变行为和磁化.研究发现晶场稀疏情况下,相图的负晶场方向存在临界温度的峰值,正晶场方向随晶场浓度的降低出现重入现象,高温和低温下的磁化存在许多差异.     

随机晶场作用的Blume-Capel模型的相图研究

在有效场框架下,运用切断近似的方法,取自旋S为1的三维简立方格子,对随机晶场作用的Blume-Capel模型(BCM)相图进行研究,重点探讨随机晶场浓度和不同的晶场分布形式(晶场比率参数α)对相图的影响,具体分析了4种晶场分布形式:晶场稀疏分布,正负晶场对称分布,正负晶场非对称分布和负晶场随机分布,并给出相应的相图。在晶场稀疏情况下,三临界点(TCP)存在于一定的晶场浓度范围内,低温区域出现相变线的重入现象和晶场简并模式;α=-1.0和α=-0.4时,临界点存在的晶场浓度范扩大,相图出现正晶场分布,特别当α=0.4时,三临界点始终存在,重入现象和晶场简并模式消失,二级相变线始终与晶轴没有交点,相变线均无趋于∞,磁有序相范围减小。     

Dzyaloshinskii-Moriya作用对Blume-Capel模型热力学性质的影响

应用二自旋集团平均场近似的方法,研究了蜂窝格子上具有Dzyaloshinskii--Moriya（DM）作用的Blume—Capel模型的临界性质,得到了该系统的相图。结果表明,此系统存在三临界点,并且三临界点不是随DM作用参量单调变化。系统的这种临界行为可以解释为交换耦合作用、晶体场作用和DM作用三者之间相互竞争的结果。     

外场作用下稀疏晶场分布和对称晶场分布的BC模型相变特点研究

在有效场框架下,运用切断近似的方法,对有外场作用的Blume-Capel模型的相图进行研究,探讨外场对2种晶场分布形式(稀疏晶场分布和对称晶场分布)的BC模型相图的影响,并给出相应的相图.在晶场稀疏分布情况下,外场的存在,系统的三临界点(TCP)存在的晶场稀疏浓度范围变大;有序相的区域变大;系统基态晶场简并模式数减小.而对于对称晶场分布情况,外场的存在,三临界点存在的晶场随机浓度范围和系统基态晶场简并模式均没有发生变化.     

向列相液晶由外场引起的相变

利用一刚性液晶分子简化模型,将分子问相互作用抽象为棒与棒间相互作用的叠加,并考虑到外场的作用,得到系统的相图．结果表明,由于外场的诱导作用,对于单轴性分子,系统可在较高温度下诱导出准单轴相．增加分子的双轴性,可使系统在较高温度下诱导出准双轴相,降低温度,系统连续地进入双轴相．     

二模外场下键稀疏铁磁混合Blume-Capel模型的磁化

利用有效场理论和切断近似,研究简立方格子在二模外场作用下键稀疏铁磁混合自旋1／2和1的Blume-Capel模型的磁化．在M-T空间中,重入磁化现象出现在适当的晶场范围内,键稀疏的引入可在两个不同的晶场区出现重入磁化．在M-H空间中,磁化趋于零时临界磁场在整个晶场范围内表现出振荡行为．而键稀疏对这种行为有弱化作用,并导致磁有序区减小．     

铁磁相变的尖点突变模型

应用尖点突变模型讨论了铁磁相变的性质，研究了范氏气体的五种突变特征与铁磁相变的相互关系     

高自旋具有单轴各向异性的横向Ising模型基态相变现象的研究

采用平均场理论和相关有效场理论,对高自,旋具有单轴各向异性的横向Ising模型的基态相变现象进行了研究,推导出系统有限温度和基态时磁矩与能量公式.采用数值计算方法得到了平均场理论和相关有效场理论下的蜂窝点阵、平方点阵和简立方点阵晶格的基态相图,重点比较了通过平均场理论和相关有效场理论得到的相交特征的差异.     

高自旋BC模型基态相变的研究

采用相关有效场理论,对具有正方点阵结构的S=2横向BC模型,推导出系统的磁矩公式,并利用数值计算方法得到了基态相图。研究发现三种相变线将相图分成三个区域:有序铁磁相O1、有序铁磁相O2及无序顺磁相P,一级有序-有序相变线将铁磁相分成了O1及O2,并使铁磁相O2的区域非常狭窄。     

横向Ising铁磁性薄膜的临界行为

本文采用相关有效场理论和横向Isjng 横型,讨论了简立方结构铁磁性薄膜的临界温度的厚度效应及其与横场的关系,以及横场临界值与薄膜厚度的关系.     

C60晶体中有序相变的热力学模型

对Ｃ６０晶体中的有序相变提出了一个热力学模型，并计算了热力学性质，在同一临界温度上，序参量、熵、内能及比热都发生明显的跃变，与实验结果符合。     

孔结构对有机相变物质相变行为的调节作用

采用了 4种孔结构不同的多孔介质作为有机相变物质的储藏介质 ,研究了有机相变物质在这些多孔介质中的储藏情况和相变行为 ,分析了多孔介质的孔结构对有机相变物质的相变行为的调节作用 .对于比较纯的有机相变物质 ,孔结构的调节作用使得相变温度范围宽化 .随着储藏量的增加 ,相变温度移动的幅度增大 ,但对于成分复杂的有机相变物质 ,多孔介质孔空间对其相变行为的调节作用比较复杂 ,甚至会出现截然相反的变化规律 .     

相变储能材料的相变过程温度模型

基于集总参数法和矩形相变等效比热假设建立了相变材料的相变过程温度模型．该模型与实验结果吻合很好．利用该模型定量研究了环境温度、相变潜热、相变温度范围和换热效率等多种因素对相变行为的影响，初步得出如下结论：环境温度对相变开始时间和持续时间均有明显影响，随着环境温度的升高，该二时间呈指数形式下降；相变材料的潜热对相变开始时间没有影响，对相变持续时间有明显影响，持续时间随潜热线性增加；相变温度范围对相变开始时间也没有影响，而相变持续时间随相变温度范围的增加平缓地增加；相变材料与环境之间的换热效率显著影响相变过程开始和持续的时间，二者随换热效率的提高呈指数形式下降．     

一维Sznajd舆论模型相变的研究

略去一维标准Sznajd舆论模型的第二个规则,修改后的模型演化的决定时间分布没有发生变化,但弛豫时间延长了;反铁磁性吸引子消失了,铁磁性终态吸引子出现的概率对初始态度人员密度有着重要的依赖关系.进一步在平均场的近似下,修改后的一维Sznajd舆论模型存在相变.