Sm3+掺杂纳米晶ZrO2材料的制备及表征

用化学沉淀法制备纳米晶ZrO2∶Sm3 发光粉体,用X射线衍射谱对材料的粒径和晶体结构进行了表征,探讨了制备条件对样品粒径和晶体结构的影响.用荧光激发和发射光谱对材料的发光性质进行了表征,合理地归属了各谱项和跃迁.     

金属有机物分解法制备HfO2 ZrO2纳米多层薄膜及其铁电性能研究

HfO2基铁电薄膜是一种环境友好型的铁电材料,具有尺寸可缩放性、与CMOS兼容性好等多方面优势,有望代替传统钙钛矿结构材料成为铁电存储器件的主要组成材料之一近年来,已有相关研究表明Zr掺杂的HfO2基薄膜具有良好的铁电性然而,针对其复合多层结构的铁电薄膜却鲜有报道为此,该研究利用金属有机物分解法制备了HfO2和ZrO2层交替生长的HfO2 ZrO2纳米多层薄膜,对薄膜的物相、表面形貌和铁电性能进行了相应的表征和分析,研究了退火工艺对薄膜铁电性能的影响结果表明,随着纳米层数的增加,HfO2 ZrO2薄膜的结晶性得到改善,且薄膜表面致密度增加,表面较为平整,晶粒有所细化在400 ℃、1 min的退火条件下,HfO2/ZrO2纳米多层薄膜具有明显的铁电性,电流翻转峰明显,剩余极化强度高达16 μC/cm2,纳米多层薄膜具有最小的漏电流密度以及良好的耐疲劳性能     

掺杂Y2O3对ZrO2粉末相变的影响

采用化学沉淀法制备了ZrO2和Y2O3-ZrO2两种粉末，在不同温度下进行了热处理，通过X射线衍射分析，表明Y2O3作为一种稳定剂，对ZrO2由t→m的相变具有抑制作用，降低了相变温度，并能抑制ZrO2晶粒生长．     

纳米ZrO2粉体的制备及发光性质研究

利用共沉淀法制备了纳米ZrO2粉体,观测到样品晶相随煅烧温度升高逐渐由四方相转化为单斜相.在室温观察到纳米ZrO2有较强的峰值分别位于380 nm和470 nm的蓝紫、近紫外发射.同时观测到随着煅烧温度的升高和颗粒尺寸的增大,两个发射谱带的强度变化明显不同.     

纳米结构ZrO2（Y）和ZrO2（Y）—Al2O3粉体低温退火前后的结构和性质

研究等离子体－化学方法制备的纳米结构ZrO2-Y2O3和ZrO2-Y2O3-AlO3粉体及其不同温度退火前后的结构、性质变化。结果表明,用这种方法制备的粉体,烧结后具有很好的聚合性能,聚合结构可达1－2μm,且内部晶粒尺寸很小（25－35nm), 在1200℃以下退火,X射线衍射图谱上没有Al2O3的衍射峰;对于两种体系,主相ZrO2的结构虽大致相同,但当低温退火（＜1200℃）时其在ZrO2-Y203体系中的晶格畸变化比在ZrO2-Y2O3-Al2O3系统中的变化更大;晶粒尺寸（D）在10－15nm的粉体几乎没有晶格畸变。     

Ag+CuO/ZrO2催化剂的制备与表征1.载体制备方法的研究

用XRD、BET和TPR等手段表征了浸溃法制备的Ag CuO／ZrO2催化剂,研究了载体的制备方法对催化性能的影响、结果表明加入表面活性剂回流后的样品,比表面积和孔隙度明显提高,有助于改善催化剂的活性．     

二氧化碳甲烷化催化剂制备方法的研究

采用浸渍法和并流共沉淀法制备含Ni量不同的Ni／ZrO2催化剂，研究了它们在二氧化碳甲烷化反应中的催化性能，结果表明，共沉淀法制备的高Ni催化剂具有良好的催化性能，在较温和的条件(T=573K，P=0．1MPa，GHSV=12000h^-1)下，C02的转化率达99．7％，CH4的选择性达100％，Ni与ZrO2的相互作用对催化活性有很强的影响，Ni的含量和CO2吸附程度决定了甲烷化反应活性，催化剂作用下活化能的大小与活性变化规律相符。     

二氧化碳甲烷化催化剂的研究Ⅰ.活性组分及担载量的选择

采用水溶液浸渍法制备一系列无机氧化物(SiO2、α-Al2O3、γ-Al2O3、ZrO2)担载的Ⅷ族金属(Fe、Co、Ni、Cu)催化剂.研究了它们在CO2甲烷化反应中的催化性能.结果表明,催化剂性能与金属本性有关.Ni在各种载体上均具有较高活性,Fe的活性较低,而Cu基本上无活性.Mn作为双金属成分添加在Ni基催化剂中可提高CO2的转化率.而且,3%Ce-6%Ni-6%Mn/α-Al2O3催化剂在反应中表现出很高的催化活性.     

下电极TiN粗糙度对HZO薄膜铁电性的影响

传统钙钛矿铁电薄膜具有一系列优点的同时也具有较为明显的缺点,主要包括：与Si工艺兼容性较差、物理厚度较大、带隙宽度较小以及非环境友好等2011年新型掺杂HfO2铁电薄膜的出现,为解决上述一系列问题提供了新思路其中,因铁电性能显著及易于制备,HfO2 ZrO2固溶体（HZO）体系成了重要的研究热点之一与此同时,在充分考虑制备成本和可控沉积条件之后,研究者发现溅射技术是制备HZO薄膜较为有效的手段之一该文在利用溅射技术制备TiN/HZO/TiN（MFM）铁电电容结构的过程中发现：下电极TiN粗糙度对新型HfO2基MFM电容结构铁电性的产生具有重要影响;相较于磁控溅射技术而言,离子束溅射技术制备的下电极TiN具有更好的粗糙度,更有利于体系铁电性能的出现.     

γ-Y2Si2O7陶瓷材料介电性能研究

以溶胶-凝胶法制备的纳米SiO2颗粒和微米Y2O3为原料,在高能行星磨上球磨混合粉末(摩尔比2:1),冷压成型后烧结,制备出纯相γ-Y2Si2O7.借助X射线衍射、扫描电镜、能谱等方法研究了该材料的低温烧结行为.结果表明,该材料能够在1350℃下低温烧结出纯相γ-Y2Si2O7.用谐振腔法在X波段测试了γ-Y2Si2O7的介电性能.结果表明,该材料具有良好、稳定的介电性能.     

纳米晶ZrO_2(CaO)∶Er~(3+)的制备及发光性质研究

用化学共沉淀法制备了Er3+掺杂浓度不同、煅烧温度不同的纳米晶ZrO2(CaO)∶Er3+系列发光粉体,所制备的粉体均具有Er3+离子特征强室温荧光发射.同时观测到Er3+离子的上转换发射.讨论了上转换发射的跃迁机制,976 nm激发下的上转换过程是双光子过程.荧光强度与掺Er3+浓度关系研究表明:在相同条件下,用378nm荧光激发,分别测量了Er3+不同浓度800℃煅烧样品的发射谱,掺Er3+浓度达0.6%(摩尔分数)时达到最大,然后又随之降低.     

纳米Al2O3的制备和防止团聚技术

纳米Al2O3是一种新兴功能材料，由于其具有很多特殊的性质，因而有着广泛而重要的用途．本文根据国内外研究纳米Al2O3的最新进展和发展趋势，综述了纳米Al2O3的制备方法和防止团聚的技术，并提出了还存在的一些问题．     

纳米材料Ce／ZnO合成及其光学性质的研究

运用粉末x射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、紫外-可见（UV-vis）光谱、光致发光（PL）谱等技术对所制备的纳米材料进行了系列表征．掺入质量分数（W）为2％的铈可以明显改善氧化锌表面状态,可以抑制光生电子与光生空穴（e-／h＋）的复合,显著提高光催化脱色活性和光催化稳定性．在纳米材料中掺杂适当的金属离子能够有效地调控其电子能态结构,并改变其表面状态,进而起到提高光催化性能的作用．     

包裹α—淀粉酶微胶囊的制备及释放性质研究

本文用液中干燥法，以乙基纤维素为膜材，研究了一淀粉酶的包裹和促进淀粉水解的释放性质．在实验室条件下，为生化产品的合成和转化，为酶的保护和固定化找到了一条新的途径．     

N型赝三元冷压烧结热电材料的制备及其性能研究

本文以熔炼-区熔法生长的N型赝三元取向晶体Bi2Te3-Sb2Te3-Sb2Se3为原料,采用冷压烧结法制备了粉末烧结材料．探索了不同实验条件对材料热电性能的影响．在保证了材料具有实用的热电性能的情况下,提高了材料的机械性能,从根本上克服了材料加工过程中的劈裂现象．     

固载杂多酸(盐)催化合成乙酸乙酯

研究了活性碳固载杂多酸(盐)催化乙酸和乙醇合成乙酸乙酯的反应 ,探讨了原料配比、反应时间、催化剂用量等参数对酯化率的影响.在适宜工艺条件下 ,酯化率可达94.38 %.     

聚丙烯腈基碳纤维的制备及其结构

ＰＡＮ纤维是当今制造碳纤维的最重要原料，由ＰＡＮ原丝制备碳纤维的工艺被广泛地研究．许多测试技术提供了有关ＰＡＮ基碳纤维结构的宏观和微观特征方面的信息．已有一些结构特征被理解和接受．本文介绍了ＰＡＮ基碳纤维的制备及其高模量ＰＡＮ基碳纤维的结构．     

纳米聚合物复合材料开发与技术

简述了聚合物 /纳米无机物复合材料的概况、性能及制造方法