温度对不同初始状态ising模型磁化强度和磁化率的影响

Lenz曾向他的学生Ising提出一个研究铁磁性的简单模型,而Ising于1925年发表了他对此模型求解的结果,所以这个模型被称为Ising模型[5]。ising模型是最简单的铁磁-顺磁箱变模型,它是单轴离散的自旋模型,它的自旋只能沿一根单轴取+1或者-1。该模型的哈密顿量定义为H=-Ji,jΣSiSj-BiΣSi,其中Si=+1或-1,J为2个相邻自旋的交换积分,B为外磁场[4]。用montecarlo方法统计磁化强度以及磁化率随温度的改变特性。对比相同规格但初始状态不同的Ising模型的相变点及磁化强度和磁化率的变化趋势随温度的改变是否一致,相变点是否随模型的初始状态不同而改变。     

电子注中的束缚电子对

本文对自由电子受激辐射器件与电子直线加速器中的电子注与电磁场的相互作用进行了量子力学分析,认为电子注的电子结构应由束缚电子对组成.电子对的自旋为零,具有Bose子性质.     

含三个含时点接触的量子输运

拓扑绝缘体的材料可大大提高计算机芯片的运行速度和工作效率,甚至可能会成为以自旋电子学为基础的下一代全新计算机技术的基石.拓扑绝缘体的边缘态展现出奇特的性质,电子在表面自由流动,不损耗任何能量.使用玻色化,重整化群,格林函数的方法从理论上研究了三个含时点接触存在对拓扑边缘态输运性质的影响.得到电流随偏压和温度变化的解析表达式,以及依赖于电子间相互作用幂指数变化规律.该理论提供了一种调控纳米结构中输运性质的手段.     

强关联锰氧化物Pr_(0.5)Ca_(0.5)Mn_(1-x)Ga_xO_3结构及磁基态研究

采用高温固相法合成了单相多晶样品Pr_(0.5)Ca_(0.5)Mn_(1-x)Ga_xO_3.XRD结构分析表明该样品为单相正交结构.红外吸收光谱分析说明Ga掺杂是样品发生畸变的部分原因.低温下样品ZFC和FC出现分叉,表现出典型的相分离特征.在冻结温度Tf处,x=0.02样品交流磁化率实部χ'的峰强度随频率增大而降低,并向高温方向移动,实部峰值归一化斜率P(P=ΔTf/TfΔlgω)值在标准的金属自旋玻璃范围(0.005≤P≤0.01)之内;其虚部χ″峰的强度随频率增大而增大,基态是自旋玻璃.     

单卟啉铁分子自旋输运性质第一性原理研究

分子器件是指构建在单个分子或有限个分子上的具有特定功能的器件,它是电子器件向小体积化发展的极限,而它也被证明将会是未来电子元器件的替代者.利用密度泛函理论与非平衡态格林函数相结合的方法,研究了单卟啉铁分子与金纳米线电极构成的分子器件的自旋输运的性质.研究发现：该分子器件中存在自旋相干的量子现象;在非平衡态下,两种自旋态电流都随偏压的增大而非线性增大,自旋过滤效应在偏压的调控实现正负的转化.     

含镍钡铁氧体增强磁光效应的微观机理研究

计算了镍离子取代后的钡铁氧体在不同的自旋－轨道耦合作用系数下的Ｆａｒａｄａｙ偏转角，研究了它与温度及超交换作用能的关系。结果表明，基记的自旋－轨道耦合和交换作用场对Ｆａｒａｄａｙ领导转角起主要作用，一般与温度的关系不大。     

磁势垒结构中的隧穿时间

采用群速度的方法来研究磁势垒结构中的隧穿时间，同时考虑了电子自旋以及外加电场的效应，研究发现，磁势垒结构中的隧穿时间很大程度上依赖于势垒结构、偏压、电子入射能量和它的自旋方向，以及纵向波矢，结果显示，对于具有相同能量但入射角度或自旋不同的电子，即使穿透相同的磁势垒结构，隧穿过程也在时间上大不相同，隧穿时间会随着自旋、纵向波矢和偏压的改变有较大的变化。     

铁磁膜的居里温度

在考虑了边界条件对电子态和电子组态的影响乃至对自旋之间交换作用影响的基础上，计算了４￣７单分子层厚的铁磁膜的居里温度随膜厚的变化关系。结果表明居里温度随膜变薄而降低，这从微观上肯定了一般的理论预测并解释了近期的实验结果。     

低维电子气的化学势随温度的变化

假设各种金属都包含着电子的理想气体,我们可以相当园满的解释各种金属的许多性质。对于三维电子气在温度不太高情况下的化学势随温度的变化,不少材料已做了计算,其结果是其中μ_F为T=0K时化学势,也能费米能级。由上式不难看出随温度增加化学势降低。 然而对于低维(一、二维)电子气的化学势随温度变化关系将完全不同。下面进行具体计算,其方法是通过计算总粒子数N来求μ。     

金属掺杂诱发二维过渡金属卤化物的多铁性

二维过渡金属卤化物（如CrI3）以其独特的电子结构和磁性等性质,受到了越来越多的关注本征的二维过渡金属卤化物通常具有高对称性的结构（如D3d对称性）,导致铁电性质的缺失为了在过渡金属卤化物中诱导多铁性,该文采用密度泛函理论系统地研究了金属原子Li或Al掺杂对二维过渡金属三卤化物RhX3、IrX3（X=Cl、Br）材料结构稳定性、电子性质以及铁磁铁电性质的影响计算结果表明,Li或Al掺杂会引起体系的Jahn Teller畸变,降低体系的结构对称性,从而产生面内的极化同时,金属掺杂引入的电子局域在过渡金属的d轨道上,形成局域磁矩,使得体系同时具有了铁电性和磁性这一发现为实现二维的铁磁铁电性材料提供了新的研究思路,将对自旋电子学的研究发展产生重要意义     

计及电子自旋与磁场耦合的超晶格共振劈裂

研究了零电场和正弦电场作用下的磁量子结构中自旋电子的隧穿输运特性，结果表明，自旋耦合使得共振劈裂区展宽或压缩，且沿能量轴移动，考虑自旋耦合和正弦电场作用后，不改变周期结构的n-1重劈裂和Fibonacci准周期结构的自相似的特性，磁量子结构的调制磁场方向改变也会引起弹道电导的改变。     

"屏蔽库仑场中的电子"体系对称性的讨论

通过不考虑自旋轨道耦合的“屏蔽库仑场中的电子”体系的能级在自旋轨道耦合作用下分裂的例子,对不考虑自旋轨道耦合的“屏蔽库仑场中的电子”体系具有SO3对称性提出质疑,并运用对称性理论推证应具于高于SO3的对称性．     

三价铜对导电性能的影响及其表征

研究了两种不同类型晶体结构的稀土铜酸盐中三价铜对导电性能的影响及三价铜的表征,Ca^2 取代Y^3 或Sr^2 取代La^3 ,使Y2Cu2O5和La2CuO4中铜的价态升高、样品电阻率降低,利用化学滴定法、X-射线光电子能谱（XPS）和磁化率测量对Y2-xCaxCu2O5和La2-xSrxCuO4中三价铜的存在及其自旋状态进行了表征。     

牛顿流体中纳米磁性悬浮的动力学磁化率

本文要据随机理论和线性响应理论,推导出在牛顿粘性基液中纳米磁性悬浮体的动力学磁化率．在惯性驰豫时间与德拜时间的对比中,研究了初始磁化率随频率的变化关系以及随约化温度的变化关系。     

电子自旋角动量的升降算符

利用电子自旋角动量对易关系和泡利矩阵推导出电子自旋角动量的升降算符,然后验证电子自旋角动量升降算符的性质,进而将这个性质应用到二电子体系中的总自旋角动量算符珗S=S1+S2=2h(σ1+σ2)中,去计算珗S2,Sz的具体函数表达式,及χ10状态的本征函数和本征值.     

双铁酞菁分子自旋输运性质第一性原理研究

利用密度泛函与非平衡态格林函数相结合的方法,研究了双铁酞菁(Fe_2Pc_2)与金纳米线电极构成分子器件的自旋输运性质.研究发现即使不存在磁性电极的情况下,Fe_2Pc_2分子器件也能表现出良好的自旋过滤效应和较大的磁阻.与传统的磁隧道结相比,仅通过改变位于酞菁分子中心的铁原子的磁矩方向即可实现对该分子结的自旋输运性质的调控.     

低维量子XY模型的键算符平均理论

应用键算符表象方法，在平均场近似下研究了自旋1／2量子XY模型的基 态性质。模型建立在平面四方晶格上，形成纵列dimer结构、Dimer内两自旋之间的反铁磁相互作用为J,dimer之间的反铁磁相互作用在x方向和y方向上分别为J2和J1。给出了系统关于J2和J1的无序－有序转变相图，计算了无序相下系统的基态能、自旋隙，以及x方向和y方向上的相干长度。我们发现自旋隙出现在激发谱中的（0，π）点。一维XY链（J2－J，J1＝0）具有自旋隙,△＝0．165J，与利用自旋格林函数同阶退耦方法所得结果一致。要消除这一自旋隙，链之间的耦合强度至少为J1Cr=0.043J。一维链的相干长度为3．51，平均单自旋基态能为－0．321J。一维XY自旋梯（J1＝J，J2＝0）也同样具有自旋隙，△＝0．167J，比Heisenberg自旋梯的自旋隙0．5J小^1.3，当梯之间的人耦合强度达到J1Cr＝0．061J时，自旋隙消失。自旋梯的相干长度为5．97，平均单自旋基态能为－0．466J，比Heisenberg自旋梯的平均单自旋基态能－0．578J大^1.3。当J2＝J1时，系统开始无自旋隙的临界值为J1Cr=J2C=0．24J，比Heisenberg系统无自旋隙的临界值0．635J小。     

扩展桥联双核铜（Ⅱ）体系的磁耦合机理

应用密度泛函理论，采用对称性破损方法研究了草酸根桥联及草酰胺桥联双核铜（Ⅱ）体系的磁耦合作用机理。结果表明：两磁中心的自旋布居大小相等，符号相反，二者之间为反铁磁耦合。而且，与磁中心相联的配体原子与磁中心具有相同符号的自旋布居，磁中心的自旋具有显著的离域效应。HOMO中磁中心未成对电子的占据轨道之间对称性和能级的匹配程度是影响磁耦合强弱的关键。当对称性匹配时，改变桥联基团占据轨道的能级，例如通过改变桥接原子的电负性， 即可改变磁耦合作用的强度，电负性愈低，磁耦全作用愈强。当对称性不匹配时，体系中存在较弱的磁耦合。     

半导体量子阱中电子的回旋质量与温度的关系

随着分子束外延技术的发展,人们对半导体超晶格和量子阱结构各种性质的研究产生了极大的兴趣。人们如此重视这个领域是因为它不仅在技术上有着广泛的应用,而且提供了在实际观察电子运动量子化行为的理想条件。 极化子磁光学的研究与实验联系更紧密,从回旋共振的测量,可以直接获得电子-声子作用的信息,因而人们尤其感兴趣电子在磁场中的回旋共振的研究。随着研究的深入,人们也开始重视在有限温度下研究极化子的性质。本文将讨论有限温度下,GaAs-GaAlAs量子阱中的磁极化子的自能、回旋质量与温度的关系。     

Semi-Heusler合金NiCrP和NiVAs半金属铁磁性稳定特性的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的全势能线性缀加平面波方法对semi-Heusler合金NiCrP和NiVAs的电子结构进行自旋极化计算.semi-Heusler合金NiCrP和NiVAs处于平衡晶格常数时都具有半金属性质,它们自旋向下子能带的带隙分别是0.59 eV和0.46eV,合金分子的总磁矩分别为3.00/formula和2.00/formula.在晶体相对于平衡晶格发生各向同性形变的情况下,计算semi-Heusler合金NiCrP和NiVAs的电子结构.计算结果表明,在相对于平衡晶格的各向同性形变分别为-6%～2%和-2%～4%时,semi-Heusler合金NiCrP和NiVAs的总磁矩稳定,并且能保持其半金属铁磁性.