一种波形匹配新算法:V-P-V算法─—用于中文签名真伪识别

提出了一种度量波形相似度的新算法，并用于中文签名真伪识别．该算法将波形切割成一串相关联的峰一谷一峰（Ｖ－Ｐ－Ｖ）子元，通过插入、删除和替代三种操作的代价来计算两串的距离，由此得到两波形的相似度．算法的时间复杂性为Ｏ（ｎ×ｍ），ｎ与ｍ分别为两波形串的子元数目．文中给出的Ｖ－Ｐ－Ｖ算法已用于中文签名真伪识别系统，并获得了满意的结果．     

自仿射集的V—维数

义了一种新的分形维数－Ｖ－维数，并得到了自仿射集的Ｖ－维数的计算公式。     

存在集中分布界面态的异质结的C—V特性研究

提出用高频Ｃ－Ｖ法测量半导体异质结中集中分布的界面态的能位位置的方法，并分析了测试温度以及由异质结的能带偏移所引起的载流子积累对测试结果的影响，有这一方法对ＧａＳ／ＧａＡｓ和ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ两种异质结进行了测试，发现在这两种异质界面上均存在集中分布的界面态，其能级位置分别为Ｅｃ－０．４１ｅＶ，Ｅｃ－０．５１ｅＶ。     

正则模和V—模

Ｋａｐｌａｎｓｋｙ证明了可换环Ｒ是正则的当且仅当每个单Ｒ－模是内射的，这个结果推广到比较一般的环中可以证明，ｄｕｏ环Ｒ是正则的当且仅当每个单Ｒ－模是内射的，本文将此结果进一步推广到模中。     

MSOS电容器的研制及其C—V特性分析

在ＭＯＳ电容器的基础上提出了一种新型的电容器，它是由金属－非晶态半导体－氧化物半导体４层结构组成的电容器，简称为ＭＳＯＳ电容器，和Ｃ－Ｖ仪画出了它的Ｃ－Ｖ特性曲线；并用能带模型对此特性进行了分析，该电容器的特性是通过控制外加电压Ｖ，可以改变其电容量Ｃ，且在Ｖ＝０值附近出现峰值Ｃｍａｘ。     

Virasoro—相似代数的q—变形的导子代数

给出了复数域Ｃ上Ｖｉｒａｓｏｒｏ－相似代数的ｑ－变形的导子代数Ｌ，并证明了Ｌ是一个无限维的完行李代数。     

利用PN结的C—V特性来测其击穿电压

提出了一种通过测量ＰＮ结的势垒电容的Ｃ－Ｖ特性来测量ＰＮ结的击穿电压ＶＢ的方法，与传统的方法相比它有更精细的击穿特性曲线；同时也为Ｃ－Ｖ仪开发了一种新的应用。     

自 仿 射 集 的 V－ 维 数

定义了一种新的分形维数－Ｖ－维数，并得到了自仿射集的Ｖ－维数的计算公式。     

EPC—V法铸铁件皱皮缺陷的研究

描述了ＥＰＣ－Ｖ法在浇注期间ＥＰＳ的热变化及铸铁件皱皮缺陷形成的过程；研究了ＥＰＣ－Ｖ法工艺因素对铸铁件皱皮缺陷的影响，提出了减轻和消除皱皮缺陷的方法和措施。生产初中证明，采用ＥＰＣ－Ｖ法工艺可以大批量生产合格的精密铸铁件。     

P—V图的应用

阐述如何利用Ｐ－Ｖ图定性分析在理想气体的准静态过程中，功、热量、内能三者的变化关系。     

确定小剂量离子注入均匀性的新方法——多探针C—V法

提出了一种测量小剂量离子注入样品均匀性的新方法－－多探针Ｃ－Ｖ法，研制了相关的硬件和软件，此方法基于以下２个新颖的思想：１）采用多 探针测量，由微机通过开关矩阵进行控制，自动轮流切换，大大提高了速度、效率和可靠性。２）采用深浅不同的彩色地图（ＭＡＰ）来表示大硅片上各测量点的注入剂量，从而形象直观地显示出离子注入的均匀性，既容易理解，又容易记忆，通过对双注入ＭＯＳ样品上的８×８测试点阵列进行的测量分     

利用串－并m－序列产生随机脉位序列

和一般ｍ序列相比，串－并ｍ－序列能够带来序列循环性能的改善。该文介绍了一种利用串－并ｍ－序列来实现随机脉位序列的新方法。详细阐述了串－并ｍ－序列原理，并给出利用串－并ｍ－序列产生随机脉位序列的电路实现方案。     

1—辛烯—3—醇的合成

利用氮气存在下的Ｍｅｅｒｗｅｉｎ－Ｐｏｎｄｏｒｆ－Ｖｅｌｅｙ反应合成１－辛烯－３－醇，得到良好结果，收率为６０－６５％，纯度高达９９．０４％。     

硅二极管I—V特性及二次击穿计算

利用时域有限差分方法，求解了一维半导体器件内总裁 流子所满足的耦合、非线性、刚性偏微分方程组。得出了发生二次击穿的判据应以空穴电离率为准，而不是通常认为的以电子电离率为准的结论，并构造了一种准确，快捷地计算半导体器件反偏Ｉ－Ｖ特性曲线的方法。     

两个异斑块中扩散Lotka—Volterra树系统持续生？…

讨论了两个异斑块中ｎ种群扩散Ｌｏｔｋａ－Ｖｏｌｔｅｒｒａ树系统。通过引入“种群度”的概念，给出了一组判断该系统是持续生存的、容易验证的充分条件。     

高分子力学中的Valanis—Landel假说

根据经验公式的建立原则和橡胶的各向同性性能，讨论了Ｖａｌａｎｉｓ－Ｌａｎｄｅｌ假说中关于“任何一种应变类型的应力－应变关系，可从单一的纯剪试验推导出来”这一重要结论，并证明了结论的正确性，还研究了结论的应用。     

太阳电池I－V数据采集系统

本文利用ＩＥＥＥ－４８８接口板，Ｋｅｉｔｈｌｅｙ６１７静电计，ＩＢＭ－ＰＣ微机，编程实现了太阳电池Ｉ－Ｖ数据的自动采集、存储．以ａ－Ｓｉ：ＨＰｉｎ型太阳电池为样品，计算出相应的电池参量，验证了该系统的可行性和准确性．     

一种测定向列相液晶弹性常数比的近似方法——C—V技术

本文给出一种用Ｃ－Ｖ技术测定向列相液晶的弹性常数比的方法。结果表明，本文简单、直观，并具有一定的精确性。     

太阳电池I－V数据采集系统

本文利用ＩＥＥＥ－４８８接口板，Ｋｅｉｔｈｌｅｙ６１７静电计，ＩＢＭ－ＰＣ微机，编程实现了太阳电池Ｉ－Ｖ数据的自动采集、存储．以ａ－Ｓｉ：ＨＰｉｎ型太阳电池为样品，计算出相应的电池参量，验证了该系统的可行性和准确性．     

MFS和MFOS结构的C—V特性研究

采用ＳＯＬ－ＧＥＬ方法分别在Ｓｉ和含有ＳｉＯ２的衬底上制备出ＰＺＴ铁电薄膜，并获得了ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构。利用ＭＯＳ结构常用的Ｃ－Ｖ特性分析方法，对ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构进行了高频Ｃ－Ｖ特性测试分析，研究了Ｆ／（Ｏ）Ｓ的界面特性，结果表明，金属／ＰＺＴ／ＳｉＯ２／Ｓｉ的ＭＦＯＳ结构具有较低的界面态，可实现极化存储，并可望制成铁电场效应晶体管。