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《中国科学:物理学 力学 天文学》2016,(10)
本文讨论了非硅微电子学,即在硅衬底上利用非硅沟道材料实现互补型金属氧化物半导体(Complememaw Metal Oxide Semiconductor,CMOS)集成电路的微电子科学与技术.文章重点综述了高迁移率锗与锗锡沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)以及隧穿场效应晶体管(Tunneling Field Effect Transistor,TFET)的研究进展.锗与锗锡具有比硅(Si)材料高的空穴和电子迁移率且容易实现硅衬底集成,是实现高迁移率沟道CMOS器件的理想备选材料.通过调节锡组分,锗锡材料可实现直接带隙结构,从而获得较高的带间隧穿几率,理论和实验证明可用锗锡实现高性能TFET器件.本文具体分析了锗锡MOSFETs和TFETs器件在材料生长、表面钝化、栅叠层、源漏工程、应变工程及器件可靠性等关键问题. 相似文献
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王玉标 《合肥工业大学学报(自然科学版)》1997,(5)
研究了赤霉素作新还原剂还原锗钼酸铵的显色反应,在0.5025mol/LH2SO4介质中,赤霉素能将锗钼酸铵还原成锗钼蓝,其最大吸收波长为805nm,摩尔吸光系数为2.42×104L/molcm,线性范围为0~30μg/25mL,显色液色泽十分稳定,可用于锗的分光光度测定。 相似文献
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全萃法从锗烟尘浸出液中分离锗的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
选用某胺类萃取剂 ,络合剂 ,改质剂 ,煤油稀释剂 ,NaOH反萃剂 ,系统研究了从某锗烟法浸出液分离提取锗的工艺流程和最佳工作条件。 相似文献
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随着新技术的发展,半导体的需要量愈来愈大。但由于锗、硅等半导体材料质地硬脆,多数生产单位都是用钼锯条来切割成型。运用这种加工方法,不仅劳动生产率低,而且材料利用率低,废品率高。半导体材料价格昂贵,所以生产成本也高。因此改进切割加工方法,成为半导体管生产中的一个关键问题。我校物理教研组与有关单位合作。进行了运用超声波切割来代替钼锯切割的研究工作。 工作的目的在于提高目前切割半导体材料的成品率和生产率,配成了合适的超声振动系统,并解决了工具结构及加工工艺中的一些问题,已用于切小片的生产(即把直径约 30mm,厚 0. 8m… 相似文献
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锗的区域熔炼 总被引:1,自引:0,他引:1
李思渊 《兰州大学学报(自然科学版)》1962,(1)
文中概述了区域熔炼方法获取高纯度锗的基本过程。进行了试验,取得了滿意的结果,讨论了有关的一些问題。 相似文献
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锗是一种金属元素,与碳、硅同属一族,早在一百多年前人们已经发现了它的存在,并广泛地应用于电子工业。近年来,锗在治疗某些疾病方面,显示出了令人惊奇的效果。西欧某地曾发现一股山泉水使不少癌症患者的病情得到缓解,经化学分析发现,泉水中含有丰富的锗;日本学者也发现,一些抗癌效果较好的中药,其锗的含量也较高,如人参含锗高达250—320PPm,枸杞子124PPm,大蒜、灵芝等的含锗量也很高。过去一直认为,锗是一种有害的重金属,但在1987年11月在北京召开的自然医学会议上,日本、葡萄牙学者的研究报告指出:锗并非毒性物质,它具有多方面的生理功能,可治疗包括癌症在内的多种疾病。由于植物中含锗量不稳定,天然锗又不溶于水,所以在70年代中期日本学者成功地合成出可为人体吸收的有机锗化合物“二羧乙基锗三氧化物”。 相似文献
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本文参考了32篇文献,对含锗微孔化合物的研究进展进行了综述,并提出了该研究领域存在的问题和研究方向。 相似文献
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董贞俭 《辽宁大学学报(自然科学版)》1995,22(A00):94-96,112
本文以Jie皮素和二氧化锗为原料合成了本文以Jie皮素锗。通过一系列分析手段证实了本文以Jie皮素锗的组成、结构和热分解反应,并研究了本文以Jie皮素锗的溶解性。 相似文献
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Zhai Qingzhou 《鞍山科技大学学报》1994,(4)
以硒锗光度分析新体系及新技术为线索,综述了硒锗光度分析的新进展及新的发展趋势,阐述了各种分析方法的特点及应用范围。引用文献42篇。 相似文献
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在恒定温度800℃之下进行了在砷的表面浓度范围为1.9×10~(18)-4.9×10~(19)原子/厘米~2,以及锗材料中含铟浓度范围为4×10~(14)-1×10~(17)原子/厘米~3的砷以气相散入锗的研究。扩散系数是利用测量扩散层的P-n 结方法来决定的,而杂质在扩散层中的浓度分布则用连续腐蚀法结合四探针电导测量来决定。发现扩散系数是随着P-型锗的纯度增加而逐渐增大,以及随着砷的表面浓度增大而增大(在N_s>2.3×10~8原子/厘米~3的区域),同时发现扩散层中砷的浓度分布显著地偏离于理论分布。对于体内杂质浓度以及砷的表面浓度对扩散系数所起的作用进行了一些讨论. 相似文献