InP补底上LP—MOCVD生长InAs自组装量子点

报道利用低压金属有机化学气相沉积技术在ＩｎＰ衬底上生长ＩｎＡｓ自组装量子点的结果，用光致发光技术观察到较强的室温光荧光谱，其峰值波长约为１６０３ｎｍ，分布在１３００ｎｍ￣１７００ｎｍ范围内，半高峰宽为８０ｍｅＶ。     

AP—MOCVD GaN材料生长特性

研究低温生长ＧａＮ过渡层（缓冲层）在ＡＰ－ＭＯＣＶＤ生长ＧａＮ材料过程的作用，探讨了过渡层的生长温度、时间、氮化时间等参数对ＧａＮ材料晶体质量的影响，通过对过渡层的特性参数的分析、优化、获得了Ｘ射线双晶衍射半峰宽为６‘的ＧａＮ外延层。     

氧化钇稳定的氧化锆上外延硅生长的研究

绝缘衬底上高质量亚微米厚硅单晶膜的获得对于制成高速度、高集成度、低功能和抗辐射的集成电路十分重要.蓝宝石上外延硅膜的生长和其CMOS/SOS集成电路的研究已为国内外学者所重视.     

热壁外延生长ZnSe薄膜的质量研究

研究了热壁外延法（ＨＷＥ）在经两种不同处理方法的ＧａＡｓ衬底上生长的ＺｎＳｅ薄膜质量，俄歇电子能谱图（ＡＥＳ）分析表明，经Ｓ纯化的ＧａＡｓ表面大约由一层单原子层所覆盖，从而减少了ＺｎＡｓ／ＧａＡｓ界面态密度，用喇曼光谱的空间相干模型，对不同处理方法的ＧａＡｓ上生长的ＺｎＳｅ处延膜的一级ＬＯ声子喇谱形变化进行分析，定量判断出ＺｎＳｅ外延膜质量的优劣，分析认为，经Ｓ纯化ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ具有较好的质量     

利用CBP作为缓冲层增加有机发光器件的效率

制备一种利用4，4′-N，N′-dicarbazole—biphenyl（CBP）作为超薄空穴注入缓冲层．CBP作为一种较好的缓冲材料，改善了有机发光器件的性能．CBP阻挡部分从阳极ITO注入到有机层NPB的空穴，从而平衡了空穴和电子的注入．有缓冲层的有机发光器件比没有缓冲层有机发光器件的电流效率有了明显的提高．当缓冲层CBP为4nm时，最大电流效率在8V时达到5．66cd／A，这是没有缓冲层器件电流效率的近1．5倍．     

ZnO薄膜发光特性的实验研究

室温下测量了以石英为衬底的ZnO薄膜的吸收光谱及发光光谱,从谱图可以看出,样品具有较好的结晶状态.另外,样品在紫外有较强的吸收,而其光致发光也是较强的紫外发射,这表明带间跃迁占了主导地位.     

非应变盖层的应变外延层结构中失配位错的分布

利用连续介质模型,计算有非应变盖层的应变外延层结构中单位面积的能量。引入上下界面失配位错数目的比例因子η,利用能量最低原理,求得η的表达式,研究表明,失配位错在上下界面的分布与应变的弛豫程度和盖层的厚度有关。随应变弛豫程度和非应变盖层厚度的增加,失配位错在上界面的数目增多,应变弛豫机制以单结点为主过渡到以双结点为主。     

利用双发光层结构提高N-BDAVBi掺杂器件的效率

制备了基于N-BDAVBi的高效率双发光层蓝色有机电致发光器件(OLED),器件中将蓝色荧光染料NBDAVBi作为客体发光材料分别掺入主体材料TCTA和TPBi中,器件结构为ITO/m-MTDATA(40 nm)/NPB(10nm)/TCTA:N-BDAVBi(15 nm)/TPBi:N-BDAVBi(15 nm)/TPBi(30 nm)/LiF(0.6 nm)/Al(150 nm),最大电流效率达到8.44 cd/A,CIE色坐标为(0.176,0.314),并且在12 V的电压下,亮度最大达到11 860 cd/m2,分别是单发光层结构器件的1.85倍和1.2倍.器件性能提高主要归因于双发光层扩大了载流子复合区域,主客体间的Forster能量转移.     

退火气氛对ZnO纳米颗粒的结构及发光特性的影响

在500℃且不同退火气氛(氮气、氧气)条件下,我们通过化学沉淀法成功制备了ZnO纳米颗粒.采用X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、光致发光(PL)和拉曼光谱(Raman)研究退火气氛对ZnO纳米颗粒结构和发光特性的影响.实验结果表明,制得样品为具有六角纤锌矿结构的ZnO.从Raman和PL光谱可以观测到,退火气氛对ZnO纳米颗粒的结晶和发光特性都有很大的影响,氮气气氛下退火得到样品发光特性较好,缺陷较少,文中对其影响机制进行了讨论.     

高场下界面势垒对单层有机EL器件复合发光的影响

在Fowler-Nordherim的隧穿理论基础上,建立了高场下单层有机EL器件复合发光的理论模型,讨论了电场强度以及界面势垒对单层有机EL器件发光的影响。     

掺杂Eu^3＋的磷钨酸钠玻璃的合成及发光特征

本工作采和高温固相反应法合成掺杂１％Ｅｕ＾３＋离子的不同Ｐ２０５／ＷＯ３比例的磷钨酸钠玻璃，测定３９４ｎｍ和４６４ｎｍ激发下的荧光光谱，探讨了掺杂Ｅｕ＾３＋离子的磷钨酸钠玻璃的发光特性。     

G＿aP－LPE过程中掺N浓度的测定及N浓度对发光效率的影响

本文叙述了Ｇ＿ａＰ单晶衬底在液相外延过程中掺Ｎ浓度的测定方法；并研究了在１０４０℃起始外延温度下，不同的掺Ｎ浓度对材料发光效率的影响。     

金属/电介质多层膜的光学特性

在Ｄｒｕｄｅ模型的基础上,计入金属薄膜表面对传导电子弛豫时间的影响,计算了金属的介电函数和光学常数,并利用结构特性矩阵方法计算了金属／电介质多层膜的反射率和吸收率,讨论了金属层厚度、层数对反射率和吸收率的影响     

具有光学特性偶氮苯插层硅酸盐薄膜的制备

通过离子交换法制备出偶氮苯掺杂硅酸盐聚合物薄膜,样品的结构和光学性能采用X-射线粉末衍射、红外光谱、固体核磁、热重分析和紫外可见光谱进行表征.由紫外可见光谱分析可知,聚合物薄膜的最大吸收峰在484 nm处,相对于偶氮苯分子在473 nm出现的最大吸收峰,发生了明显的红移,说明偶氮苯分子在硅酸盐层间发生了聚集现象,进而影...     

干旱胁迫下俄罗斯大果沙棘生长特性的研究

通过盆栽实验,研究了干旱对俄罗斯大果沙棘幼苗的茎高、地径、叶片外部形态、生长状态等生态指标的影响.结果表明:干旱胁迫对植株的生长有明显的抑制作用.随着干旱胁迫时间的延长、胁迫强度的加剧,其株高和地径减小,叶面积也逐渐减小;在长时间干旱胁迫下俄罗斯大果沙棘采用脱落叶片的方式,确保个体生存,以增强抗旱性.