单一相Ca_2Si膜选择性生长(英文)

磁控溅射系统在恒定溅射功率、Ar气压和Ar气流流量下,直接在Si(100)衬底上沉积两组不同沉积结构的Ca膜。随后,600℃分别真空退火5、6、8、10和12 h。使用XRD、EDAX和FT-IR对结果膜的结构和表面进行了测试。沉积膜的原子与衬底之间利用固相间相互扩散反应从多相共生的Ca -Si系统选择性的生长出单一相的Ca2Si膜。并且确定了沉积膜的结构、退火温度和退火时间是单一相硅化物选择性生长的关键因素。     

Cu基电化学沉积纳米Ni的影响因素研究

研究Cu基底上电化学沉积Ni过程中的影响因素,包括镀液中活化剂、光亮剂、沉积电压、沉积时间和外加磁场干预下的纳米Ni催化剂的制备效果,通过场扫描系统及X-射线仪进行表征,为纳米Ni催化剂的制备提供一定的理论基础.     

松辽盆地南部青山口组物源及储层特征研究

松辽盆地南部经历断陷、坳陷阶段,最后发育成具有断坳双重结构的盆地,期间沉积了巨厚的沉积物。在综合利用岩心、测井以及大量分析化验等材料的基础上,以沉积学理论与方法为指导,结合地质统计学,对松辽盆地南部青山口组的物源体系及沉积特征进行了较为系统的研究,并对储层定的特征和物性进行了初步探讨。结果表明:研究区在青三段沉积时期存在两大物源体系,分别是西部的白城-镇赉物源体系和西南部的通榆-保康物源体系,其中通榆-保康物源体系又可进一步划分为通榆-物源体系和保康物源体系,且这2个物源体系均以改造后的沉积岩为主,含有微量的中酸性岩浆岩和变质岩。青三段沉积时期,2个物源体系均在物源区发育正常三角洲和浅水三角洲沉积,相比青二段,三角洲沉积规模继续缩小,形成研究区混源沉积特征。研究区内青山口组储层属于中低孔低渗储层,储集空间主要以原生孔隙和次生溶解孔隙为主。并认为研究区储层物性在一定的沉积环境下主要受成岩作用的控制。     

鄂尔多斯盆地大牛地气田山1段沉积微相研究

通过钻井岩心观察,剖面结构及岩性组合特征分析,对大牛地气田山西组山1段沉积体系进行系统研究,认为山1段为辫状河三角洲沉积体系,并进一步识别出分流河道、分流间洼地、泛滥平原等微相。     

准噶尔盆地车排子地区古近系沉积相研究

为了系统研究准噶尔盆地车排子地区古近系地层展布及沉积特征,综合地震、测井、录井等资料,进行井-震结合对比,将古近系安集海河组分为两个四级层序,在两个四级层序内又划分出6个砂层组,在此基础上,建立沉积格架,并根据测井录井资料对6个砂层组进行沉积体系分析。通过单井和连井沉积相分析,安集海河组主要发育扇三角洲,砂质滩坝及滨浅湖相三种沉积类型。     

MOCVD工艺模拟系统

报道一个ＭＯＣＶＤ全方位综合工艺模拟系统，该系统包含反应室气流流体力学模拟，化学反应热力学模拟和沉积过程动力学模拟等３个子系统，它们可以独立运行，也可以联合运行。     

刘九块沙二段沉积相分析

本文主要通过研究该区块的沉积环境与沉积过程,全面建立该区块的沉积模型,在所建立的沉积模型的指导下,划分该区域的沉积亚相与沉积微相。并在该区块的沉积环境与沉积过程的研究中,提出了几点认识。     

二维SnSe和SnSe_2薄膜的可控制备

目前二维IV-VI族窄带隙半导体材料在存储开关、太阳能转换、热电转换和近红外光电器件等领域受到了广泛关注.其中硒化锡(SnSe)和二硒化锡(SnSe2)作为典型的IV-VI族窄带隙半导体,由于其优异的电子和光电性能成了研究热点.目前,制备SnSe和SnSe_2薄膜通常需要使用两套气相沉积系统,而制备SnSe_2纳米片更是需要通过化学气相沉积的方法才能获得,因此面临制备成本高、可控性低的问题.该文提供了一种气相沉积方法,一步制备了SnSe和SnSe_2薄膜,大大提高了制备效率.该方法只需要控制加热温度,制备过程简单可控.通过一系列的表征手段证明,制备的SnSe薄膜和SnSe_2薄膜十分纯净.     

电沉积纳米异质结构生长机制的分析

电沉积法制备具有金属和半导体特性的微米到纳米量级的有序结构,是当今纳米研究领域的热点之一.由于生长前沿沉积电势的分布直接影响着纳米异质结构的形貌,所以推导生长前沿沉积电势分布的情况就尤为重要.利用数学手段推导了准二维电沉积纳米异质结构沉积电势分布的解析表达式,合理地解释了准二维纳米结构生长的形貌,为理论分析奠定了基础.     

留西油田东部馆陶组上段河流相沉积特征

针对饶阳凹陷留西油田馆陶组上段沉积微相研究程度不够深入的问题,通过对岩心录井、测井曲线特征等分析,对留西油田东部馆陶组上段地层进行精细划分,将馆陶组一段和二段的4个砂层组划分为16个小层,研究其地层发育特征,并以单井沉积相分析为基础,结合测井相、平面相等分析,对研究区馆陶组上段沉积微相类型、展布特征及其演化规律进行了全面系统的研究。研究表明:研究区以曲流河和辫状河沉积为主,受基准面升降与沉积物供应等因素的影响,该区河流相砂体自下而上大致经历了曲流河发育期、辫状河-曲流河共存发育期、辫状河发育期3个阶段。     

酸性介质中TeCd阴极沉积和阳极溶出过程的EQCM研究

运用电化学循环伏安和石英晶体微天平（EQCM）方法研究了酸性介质中CdTe在Pt电极上阴极沉积和阳极溶出过程．结果表明：在含或不合Cd的TeO2溶液中，本体Te沉积的机理不同，但阳极溶出过程相类似；在实验条件下，只有当阴极电位小于．0．2V时，方可发生CdTe电沉积，其阴极电沉积和阳极溶解都是一个3．电子过程，并提出了CdTe电沉积和阳极溶出过程的机理．本文从电极表面质量定量变化的角度提供了CdTe阴极沉积和阳极溶出过程的新数据．     

硫脲加速和稳定化学沉积镍的机理

测定了硫脲对化学沉积镍的速度、析氢量、极化曲线和稳定电位的影响,并结合对沉积镍层的X射线光电子能谱(XPS)分析,探讨了硫脲对化学沉积镍过程的加速和稳定机理.     

兰州马兰黄土的工程地质特性

采用不同的原位及室内测试方法，分别在兰州和欧洲两地对兰州地区马兰黄土的物理、力学及水理性质进行了系统测试。通过对大量试验资料的统计、计算和分析研究，综合评价了兰州地区马兰黄土的工程地质性质，揭示了其基本规律，初步探讨了马兰黄土沉积区的地质灾害成因。     

电沉积方法制备银纳米薄膜的研究

通过对甲磺酸银体系和硝酸银体系中电沉积制备银纳米膜时的电沉积速率的比较及对所得纳米膜形貌的分析发现,在相同工艺条件下,硝酸银体系中得到的银纳米膜晶粒粒径比较小,膜的生长速率较快。选定硝酸银体系为电沉积体系,考察了槽压、电解液的浓度和温度及电解液的pH值对电沉积制备纳米膜的影响,确立了电沉积制备银纳米膜的最佳电解液组成及工艺条件。     

SBA-16模板法电沉积金属Fe的研究

在酸性条件下,以导电玻璃(ITO)为基底合成了SBA-16分子筛膜。并以SBA-16分子筛膜为模板,利用电沉积法组装金属Fe。SEM等研究发现,在低电解液浓度时Fe沉积1 h,能够完全填满约为1μm厚的SBA-16分子筛膜的孔道。确定了沉积Fe的最佳条件:即沉积铁的电极电势为-1.6V(相对汞氧化汞电极);电解液FeSO4的浓度为0.03mol.L-1;电极距离≤0.4cm;沉积时间为1 h左右。按上述条件在SBA-16膜内沉积Fe,可以生长一维Fe的纳米线。     

电沉积Sm-Co合金的研究

在离子液体1-丁基-3-甲基咪唑氟硼酸盐([BMIM]BF4)体系中,采用电化学手段研究了Sm-Co合金的电沉积。得到了铜基体上电沉积制备的Sm-Co合金薄膜,薄膜呈现银灰色、具有金属光泽,表面致密,且与基体结合牢固。SEM观察表明,Sm-Co合金镀层的表面平整、均匀且致密;EDS测试表明,Sm-Co合金镀层中Sm的质量分数可达12%。对电沉积Sm-Co合金的电解液进行循环伏安和稳态极化曲线测试表明,在仅含有钐盐的离子液体电解液中没有明显的氧化还原峰出现,但当进一步加入钴盐后,便可以实现Sm、Co的共沉积,据此初步提出了Sm-Co合金的电沉积机理是Sm3+在Co2+的诱导作用下才能实现共沉积的诱导共沉积。     

兰州西津村黄土地球化学特征及地质环境分析

兰州地区西津村黄土塬具有黄土高原典型的发育特征.通过对西津村黄土沉积特性与地球化学环境分析,系统描述了该区黄土地层剖面及其化学成分和微量元素组份特性,推演了兰州地区第四纪古气候特征和黄土的沉积环境,为研究中国黄土形成机理和黄土地区地质灾害防治研究提供基础理论依据有着十分重要的意义.     

复合镀研究的新进展

综述了近年来化学沉积和电沉积制备耐磨减磨、耐腐蚀、自润滑、催化等复合镀镀层的新进展，预见了今后复合镀研究的发展趋势．     

真空电弧沉积簿膜厚度分布计算

该文从离子电流密度空间分布函数的角度出发，针对自由电弧沉积和磁场控制电弧沉积两种情况，分别提出了单斑点和多斑点计算模型，进行了平面基片上真空电弧沉积的金属薄膜厚度分布的计算。计算结果表明，自由电弧沉积的膜厚分布曲线存在峰值现象，而磁控电弧沉积的膜厚分布曲线可使该峰值现象得到消除；同时，磁控电弧沉积的膜厚分布均匀性与阴极半径和基片配置距离密切相关，当两者比值选取适当时，可获得较均匀的膜厚分布；旋转基片上所获得的膜厚分布均匀性较之静止基片上获得的膜厚分布均匀性要好。理论计算值与实验测量值吻合。     

铁磁体半导体混杂纳米结构中的巨磁阻效应

研究了在常规GaAs半导体异质结表明沉积纳米尺度的金属铁磁体混杂纳米结构.由于电子隧穿在平行和反平行磁化构型透射几率完全不同,因此具有明显的巨磁阻效应.研究结果表明,系统的磁阻比例强烈地依赖于铁磁条上所施加的电压,可用作一个电压可调的巨磁阻器件.