a-Si:H中无序对悬挂键电子状态的影响

实验测得的α-Si:H 中悬挂键能级相对于迁移边 E_C 的位置很不一致,分散于0.9—1.3eV 之间,本文用量子化学 EHT 方法对这一重要实验问题进行了计算。首先对 EHT 方法所用参数进行了优化选择处理,并对各种不同组态环境下的悬挂键能级进行了计算。结果表明,α-Si:H 中的悬挂键能级位置随环境原子排列的无序度不同而明显变化,由此推论:α-Si:H 中的悬挂键因能级位置相对于费米能级不同可以有三种荷电状态 T_3~+、T_3~-和 T_3~°,它们在空间上是相互分离的。据此,许多与悬挂键有关而长期存在的问题可以得到解释。     

改进的Hückel分子轨道方法(Ⅻ)——芳烃基多烯醛电子光谱的研究

本文针对芳烃基多烯醛(C_6H_5-(CH=CH)_n-CHO)提出了两种改进的Huckel分子轨道方法的方案:MHMO(Ⅰ)与MHMO(Ⅱ)。在MHMO(Ⅰ)中,假定直链与苯环中的C=C键的键积分为β,苯环中C-C键的键积分为β,直链中C-C键的键积分为β′=ηβ,C=O键的键积分为β″=1.5β。氧原子的库伦积分参数为h_0=1。其他Huckel假定不变。对η=β′/β提出了3个计算公式。在MHMO(Ⅱ)中,直链中的C-C键的键积分为β=0.65β,其他与MHMO(Ⅰ)假定一样。利用两种MHMO方法,对芳烃基多烯醛进行了计算,得到了它们的π—电子能级,分子轨道系数等。预示了芳烃基多烯醛的最大吸收波长或波数,与实验值符合较好。比HMO方法有非常明显的改进。