O.18-μm CMOS千兆以太网并串转换芯片设计

提出了一种新的树型结构10:1并串转换电路,可应用于千兆以太网,其工作速度达到1.25 Gbit/s.树型结构的使用可以使大部分电路工作在较低的速率上,从而简化了设计,也减小了功耗.低速5:1并串转换单元采用改进的并行结构,利用一系列D触发器调整进入数据选择器的时钟和数据间的相位关系,使其相对于普通并行结构有更大的相位裕量,可以更可靠地工作.芯片应用TSMC 0.18-μm CMOS工艺实现,芯片面积为0.7 mm×0.5 mm,核心电路功耗为3.6mW,小于同类电路.     

0.6μm CMOS工艺串行接口电路设计

采用0.6 μm CMOS工艺设计了AES加密模块的串行接口单元电路,提高了AES加密芯片的数据吞吐量。 基于CMOS互补逻辑的电路结构降低了的功耗,实现了与核心电路的电平匹配。全定制的设计方法优化了电路性 能和版图面积,提高了设计可靠性,降低了研究成本。     

0．6μm CMOS工艺串行接口电路设计

采用0．6VmCMOS工艺设计了AES加密模块的串行接口单元电路，提高了AES加密芯片的数据吞吐量。基于CMOS互补逻辑的电路结构降低了的功耗，实现了与核心电路的电平匹配。全定制的设计方法优化了电路性能和版图面积，提高了设计可靠性，降低了研究成本。     

高性能2.5Gbps PCI Express并串转换电路的设计

并串转换电路作为PCI Express物理层（PHY）发送端的重要模块之一，将来自PCS（Physical coding sublayer）子层的10bit并行数据转换成1bit串行数据．该文提出并实现了一种高性能并串转换电路，采用0．18μm工艺版图实现，反标寄生参数后使用spice进行仿真，仿真结果证明该电路可在1．0GHz～1．5GHz稳定工作，其最高数据传输速度达到3Gbps，完全达到了预期效果．     

采用0．13μm CMOS工艺开关电容Δ∑调制器的设计和实现

采用0．13μmCMOS工艺设计并实现了一个开关电容2阶Δ∑调制器，该调制器能够将一个中心频率为455kHz，带宽为10kHz的调幅信号转换成具有10位分辨率、信噪比为62dB的1位编码信号．在设计运算放大器时，充分考虑了短沟道晶体管设计的一些特殊要求，特别是考虑了MOS场效应管的输出电导gd这个非常敏感的设计参数．所设计电路的芯片的面积为260μm×370μm，工作电压为1．2V．与其它的同类调制器相比，由于采用0．13μmCMOS工艺进行设计，因而芯片面积小，工作电压低．