无机厚膜电致发光显示器件的研究

采用丝网印刷技术,在Al2O3陶瓷基板上印刷、高温烧结内电极及绝缘层,制备出陶瓷厚膜基板,进而制备了新型厚膜电致发光显示器(TDEL).整个器件结构为陶瓷基板/内电极/厚膜绝缘层/发光层/薄膜绝缘层/ITO透明电极.测试了器件的阈值电压、亮度与电压、亮度与频率关系,并对器件衰减特性进行了分析.结果显示厚膜电致发光器件比薄膜电致发光器件有更低的阈值电压和较小的介电损耗,有效地防止了串扰现象.     

河北大学发光与显示研究所

河北大学从1964年开始发光学领域的研究,为我国最早从事发光学研究的单位之一.19 65年,物理系成立场致发光组;1985年成立学校直属的固体发光研究室;2 0 0 0年固体发光研究室与物理系、静电研究所一起组建成物理科学与技术学院,在固体发光研究室基础上成立了发光与显示研究所.目前“发光材料和发光器件”为河北大学“光学工程”博士点专业方向之一,同时承担“光学工程”和“微电子学与固体电子学”2个专业的硕士研究生培养工作.早期的研究工作以电致发光材料和器件的研究为主,取得了许多在国际和国内有重要影响的成果.如:炮兵用电致发光照明…     

吡啶肼类衍生物在有机电致发光器件中的应用

有机电致发光材料的电子传输材料研究远落后于该领域的其他材料,需要开发出新型的电子传输材料,提高电子传输效率,改善器件性能.以合成的Pybispy和Pybisqu作为电子传输材料,制作了结构为玻璃基板/ITO阳极/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/铝电极的有机电致发光器件,探讨了它们在有机电致发光器件中的性能,Pybispy和Pybisqu作为电子传输材料器件的最大发光亮度分别达到了218和5 980 cd/m2.结果显示该系列化合物具有电子传输性能,可应用于有机电致发光器件中的电子传输材料.     

陶瓷厚膜无机电致发光显示器中ZnS∶Mn发光层的优化制备

为了提高陶瓷厚膜无机电致发光显示器的亮度,采用陶瓷基片/内电极/陶瓷厚膜/发光层/上绝缘层/透明电极的器件结构系统研究了ZnS∶Mn发光层的制备工艺.结果表明当优化的发光层厚度为600 nm,沉积温度为280℃时制备ZnS∶Mn发光层可以获得器件的最大亮度.在高温500℃退火时,器件的亮度-驱动电压曲线最优.发光层结晶性的改善和Mn 的均匀扩散,使得优化的沉积温度和退火温度制备的ZnS∶Mn发光层具有良好的光电特性.     

陶瓷厚膜无机电致发光显示器中ZnS∶Mn发光层的优化制备

为了提高陶瓷厚膜无机电致发光显示器的亮度,采用陶瓷基片/内电极/陶瓷厚膜/发光层/上绝缘层/透明电极的器件结构系统研究了ZnS:Mn发光层的制备工艺.结果表明当优化的发光层厚度为600 nm,沉积温度为280 ℃时制备ZnS:Mn发光层可以获得器件的最大亮度.在高温500 ℃退火时,器件的亮度-驱动电压曲线最优.发光层结晶性的改善和Mn 的均匀扩散,使得优化的沉积温度和退火温度制备的ZnS:Mn发光层具有良好的光电特性.     

脉冲激光沉积制备ZnO电致发光器件的研究进展

电致发光器件具有广阔的应用前景。而ZnO具有优良的发光特性,已成为制备电致发光器件材料的研究热点。近年来人们一直积极探索利用各种工艺方法制备ZnO电致发光器件,希望获得发光效率高的器件,其中利用脉冲激光沉积（PLD）法制备ZnO电致发光器件成为备受关注的课题,本文综述了用脉冲激光沉积制备ZnO电致发光器件的研究进展,包括ZnO同质结器件和ZnO异质结器件。     

以环氧化的聚氮丙啶(PEIE)作为电子注入层的有机发光器件的研究

以环氧化的聚氮丙啶(PEIE)作为电子注入层,制备了倒置结构与传统结构有机发光器件并研究了器件的发光性能.实验结果表明,用PEIE作为电子注入层旋涂到铟锡氧化物(ITO)透明导电玻璃与发光层之间能降低器件的起亮电压,提高器件的发光效率.这是因为PEIE在界面上形成偶极面,能降低ITO与发光层之间的电子注入势垒,因此PEIE可以作为良好的电子注入层应用在有机发光二极管中.     

应用于柔性有机电致发光器件的导电衬底材料研究进展

柔性有机电致发光器件(OLED)的制作是有机光电子领域内最具挑战性的课题之一.本文通过国内外近五年内柔性OLED器件衬底材料领域的最新研究成果,总结了柔性透明导电衬底材料的种类和制备技术,分析了各自的优缺点并提出了其未来的发展前景与趋势.     

x—射线固体图象增强屏阻抗匹配的探讨

一、研究阻抗匹配的意义我们研制的 X—射线固体图象增强屏是央层型的固体器件。其功能是把输入的 X—射线图象转换为可见光图象。(1)(2)(3)其中有二层主要元件,一层是对 X—射线灵敏的光导电层(简记为 PC 层,下同)。另一层是电致发光层(简记为 EL 层,下同)。这二层元件在适当     

以陶瓷厚膜为绝缘层的橙色电致发光器件的研究

报道了采用陶瓷厚膜作为绝缘层、ZnS:Mn作为发光层的橙色电致发光器件(TDEL).介绍了器件的制造工艺,测量了器件的电致发光光谱、阈值电压、亮度与电压、亮度与频率关系.结果显示厚膜电致发光器件比薄膜电致发光器件有更低的阈值电压.     

有机电致发光材料与器件

正有机/高分子电致发光(OLED/PLED)是指具有半导体特性的有机/高分子材料在电场的激发作用下发光的现象,具有驱动电压低、发光效率高、响应速度快、超轻超薄、可制作在柔性衬底上等优点,在平板显示和固体照明两个领域具有非常广阔的应用前景。按照器件工作原理,有机电致发光材料与器件研究的主要内容包括以下几个方面:活性层材料(红绿蓝三基色发光材料,包括荧光材料和磷光材料)、器件组装的匹配材料(空穴和电子注入与传输材料)、界面材料(阳极和阴极界面修饰材料)、电极材料(ITO电极、     

利用激子敏化层研究蓝色有机发光器件的激子扩散问题

制备了发光层采用CBP:N-BDAVBi掺杂系统的蓝色有机电致发光器件.将窄带隙的红色荧光染料DCJTB超薄层作为激子敏化层插入器件发光层的不同位置,通过对所制备的器件电致发光光谱的分析,定性研究了器件激子产生区域的位置,同时对激子的扩散问题作进一步分析.     

叠层结构有机电致发光器件

制备了叠层结构的有机电致发光器件;采用电荷生成层将两个发光单元串接起来,各个发光单元之间互不影响,由两个发光单元分别发出的光叠加,得到高效率的有机电致发光器件.     

橙黄色电致发光器件发光特性的研究

本文叙述了橙黄色薄膜电致发光器件(TFEL)和采用陶瓷厚膜作为绝缘层、ZnS:Mn作为发光层的橙黄色陶瓷厚膜电致发光器件(CTFEL).测量了器件的电致发光光谱和亮度-电压曲线,研究了效率-电压等特性.     

ZnS:TmF3薄膜电致发光特性的研究

为了提高蓝色薄膜电致发光器件(TFEL)的发光亮度,自行配制了氟化铥(TmF3),并制备了以ZnS:TmF3为发光层的薄膜电致发光器件,研究了TmF3的掺杂浓度对ZnS:TmF3 发光器件发光特性的影响.实验结果显示,当掺杂浓度为1.2%mol时,发光亮度最强.     

有机电致发光器件(OLED)

系统介绍了有机电致发光器件的器件结构与发光机理,从有机半导体的能带和OLED器件的结构,分析了载流子在有机物中传输,OLED发光过程,以及各有机薄膜层的作用,指出了如何提高器件的发光效率和提高器件性能的途径。最后概述了OLED器件的现状及发展前景。     

可溶性聚合物薄膜发光器件的电致发光

采用脱氯化氢反应合成出氯仿可溶性的ＭＥＨ－ＰＰＶ聚合物,用ＭＥＨ－ＰＰＶ作为发光材料制备了单层结构ＩＴＯ／ＭＥＨ－ＰＰＶ／Ａｌ和双层结构ＩＴＯ／ＭＥＨ－ＰＰＶ／Ａｌｑ３／Ａｌ电致发光器件,测量了器件的电致发光谱、Ｉ－Ｖ特性和Ｂ－Ｖ特性,利用能级理论分析了器件的发光特性了随器件结构的不同所具有的规律,实验表明,单层结构器件和双层结构器件的发光出现在ＭＥＨ－ＰＰＶ层,当加入Ａｌｑ３电子传输层／空穴阻挡     

Alq3有机发光器件的研制及寿命研究

以铟锡氧化物 (ITO)为透明电极 ,8 羟基喹啉铝 (Alq3)为发光层 ,研制成ITO/Alq3/Al结构有机电致发光器件 (OLED) .测量表明其载流子的注入满足隧穿理论 ,发光阈值电压～ 1 2V ,所发绿光在正常室内环境下清晰可见 .通过电流随时间的变化测量了器件的工作寿命 ,并对影响器件寿命的原因作了分析 .     

发光层厚度对有机电致发光器件性能的影响

采用真空热蒸发镀技术制备了双层结构的有机电致发光器件：ITO／TPD／AIq3／Al,测试Alq3发光层厚度分别为30nm、70nm、120nM的有机电致发光器件的J-V、L-I特性曲线,研究其发光强度随发光层厚度的变化影响,并解释产生影响的主要原因。     

激子复合区随温度移动对OLED磁效应的影响

制备了DCM掺杂层靠近阴极的双发光层有机发光器件ITO/CuPc/NPB/Alq3（发射绿光）/Alq3：DCM（发射红光）/LiF/Al,并在不同温度下测量了该器件和无DCM掺杂的单发光层参考器件的磁电致发光（Magneto-ElectroLuminescence,MEL）和磁电导（Magneto-Conductance,MC）.在注入相同电流密度下,发现双发光层器件MEL的高场（B50mT）效应随温度降低呈现先减小后增大的非单调变化,这与单发光层参考器件的单调递增变化明显不同.同时测量了不同温度下的电致发光光谱,发现双发光层器件的533nm和600nm两个特征峰的强度随温度变化出现了此消彼长的现象,表明激子复合区域随温度变化发生了移动.通过分析工作温度对器件各发光层中的三重态激子对间相互作用及载流子迁移率的影响,对双发光层器件中MEL的高场效应随温度的非单调变化进行了定性解释.实验结果进一步验证了在单发光层器件中得到的有机磁效应高场变化的相关结论.