基于非易失性存储器的存储系统技术研究进展

 非易失性存储器（NVM）主要包括两类,即适用于外存的、块寻址的闪存和适用于内存的、字节寻址的持久性内存。相比于传统磁盘,闪存具有性能高、能耗低和体积小等优势;相比于DRAM（动态随机存储器）,持久性内存如PCM（相变存储器）、RRAM（阻变存储器）等,具有非易失、存储密度高以及同等面积/内存插槽下能给多核环境的CPU 提供更多的数据等优点,这些都为存储系统的高效构建带来了巨大的机遇。然而,传统存储系统的构建方式不适用于非易失性存储器,阻碍了其优势的发挥。为此,分析了基于非易失性存储器构建存储系统的挑战,从闪存、持久性内存两个层次分别综述了它们在存储体系结构、系统软件以及分布式协议方面的变革,总结了基于非易失性存储器构建存储系统的主要研究方向。     

非易失性高速存储器FM1808的应用技术

传统的非易失性存储器 E2 PROM和 FL ASH的写入速度都很慢 ,但 FRAM突破了这个缺陷 ,它是一种可以高速写入的非易失性存储器。在说明了 FRAM的存储原理的基础上 ,通过具体的数据对比说明了 FRAM的优点。介绍了 FM1 80 8在快速采集雷管电点火头温升曲线数据中的应用     

一种新型非易失性存储器——相变存储器

非易失性存储器在数字系统中扮演着重要的角色,其特点是断电后可以继续保存数据,相变存储器（Phase—Change Memory,VCM）由于其高密度、低功耗、工艺兼容等特点成为了下一代存储器的有力候选之一,引起了广泛的注意。本文主要介绍了当前相变存储器的研究现状．并对特定结构的相变存储单元进行了相变行为的计算机仿真。     

串行铁电存储器FM25256应用技术

串行铁电存储器是用先进的铁电技术制造的非易失性存储器,最大能以15MHZ的总线速度读写数据,可承受一万亿次的读写次数,并能在掉电后将数据保存10年。以上特性使其在读写速度要求非常高的系统中得到广泛应用。本文以RAMTRON公司的FM25256串行铁电存储芯片和ATMEL公司的AT90CAN128单片机为例介绍了串行铁电存储器与AVR单片机通过SPI总线接口实现数据存储的应用技术。最后给出在实际应用中得出的结论。     

铁电存储器FRAM在12导心电图机中的应用

针对FRAM的随机读取速度快、非易失性等特性,提出了采用FM18L08的12导心电图机的存储器扩展的解决方案。系统应用FM18L08独立作为DSP外围存储器扩展,替代了传统ROM和SRAM分立设计,简化了系统硬件和软件设计,提高了系统可靠性,并设计了FRAM与高速DSP芯片的接口,提高了存储器的访问速度,同时实现了心电数据快速无挥发存储。     

Processor Companion系列应用到Blue Planet智能改装柴油颗粒过滤器（DPF）

2007年12月。全球领先的非易失性铁电随机存取存储器（F—RAM）和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布，Ramtron的FM3130和FM3104 Processor Companion已成功应用到Blue Planet公司的DMS系列改装DPF的数据记录器中。     

简易数字存储器示波器研究

简易数字存储示波器（简称DSO）是用于示波器前端的利用单片机和CPLD制作的数字存储设备,它通过接口与计算机相连,分析复杂的瞬变信号。将待检测的模拟信号经过A/D变换后,变成数字信息并存储于数字存储器中。待需要显示此信号时,再从存储器中读出,经D/A变换器重新转变成模拟信号送入示波器从而显示在示波器上。     

自联想映射存储器：一种新的非线性人工神经网络存储器模型

提出了一种基于图论理论的新的非线性人工神经网络存储器模型－自联想映射存储器。该存储器借助一种特殊的矩阵逻辑异或（ＸＯＲ）运算和存储器结构,可以实现大容量信息的动态存储和自联想记忆功能,具有结构简单,存储容量大和良好的动态特性,是一种理想的实时计算机信息处理系统信息存储器。     

一种降低DRAM系统刷新功耗的混合主存设计

传统计算机体系结构中主存由动态随机存取存储器(DRAM)构成,而DRAM的刷新功耗随容量的增大而急剧增大.为应对这一问题,业界开始关注新型非易失性存储器(NVM).NVM具有掉电后数据不会丢失、不需刷新的优势,然而它们仍然处于研究阶段,单颗芯片的容量和价格不足以媲美DRAM,距离大批量投入商用仍有一段距离,因此,DRAM和NVM的新型混合主存结构被认为是下一代主存.本文提出一种SignificanceAware Pages Allocation(SA-PA)混合主存设计方案,通过将关键页分配到DRAM中,非关键页分配到相变存储器(PCM)中,采用DRAM和PCM并行结构,并采用Reset-Speed技术提高PCM的写速度,从而实现在不过分降低系统性能的前提下降低系统功耗的目的.结果表明,本文提出的SA-PA混合主存结构使得系统功耗平均下降25.78%,而系统性能仅下降1.34%.     

“3+4-5”硬件实现的设计

针对计算机硬件方面数据存储、数据加工等难理解的知识,选取了一些能方便找到、价格便宜的芯片设计了一个“3+4-5”的综合实验,涉及对原始数据的存储,从存储器取数到运算器,控制运算器对数的加工,显示结果等步骤,通过该设计能让计算机学习者对计算机硬件理解更深入.     

浅谈“虚拟磁盘”的使用

1．虚拟磁盘简介 所谓“虚拟盘”是指用计算机的随机存储器（RAM）部分来模拟一个硬盘驱动器，执行一般的文件存储操作。     

浮栅型有机非易失性存储器的研究

有机柔性电子器件具有低制造成本、大面积、可柔性折叠等优点，是近年来国内外学术界和工业界的研究热点。有机非易失存储器是一种重要的有机柔性电子器件。本文阐述了浮栅型有机非易失性存储器件的工作原理；系统介绍了当然国内外学术界对浮栅型有机非易失性存储器的研究进展，存在的一些问题以及一些可能的解决对策。     

弧焊控制系统掉电保护的设计与实现

掉电保护功能大幅度提高了焊接系统的焊接成功率,被广泛应用于焊接控制系统中。本文利用非易失性存储器铁电存储器（FRAM）存取焊接过程中的重要数据和状态信息,设计专门的掉电检测电路和电源切换电路,捕获掉电现象的出现和进行掉电后电源的切换。程序中设置掉电标志位和程序段标志位,实现正常上电后原系统运行状态的恢复。     

过渡性金属氧化物薄膜阻变存储材料进展概况

随着半导体技术和集成电路的进步,器件的集成度也不断提高,器件的特征尺寸不断减小,基于电荷存储的传统非易失性随机存储器面临着物理和技术上极限的挑战。阻变式存储器（RRAM）作为新一代的存储器件,因其器件具有结构简单、制备简便、存储密度高、擦写速度快、写入电流小等优势引起了人们广泛的研究。本文就目前基于过度氧化物薄膜的RRAM研究概况,从RRAM的基本工作原理、材料体系、存储机理和器件应用所面临的各种困难等方面对RRAM进行了简要评述。     

基于24LC1025芯片的存储器阵列设计

采用存储式电子测井仪器实现油气井井下参数测量,需要其具有大的存储容量.然而受到高温、高压环境限制,一般高温存储器由于存储器件选择范围较窄且单个器件存储容量较小,使其存储容量难以满足井下数据存储要求.设计了一种采用支持I2C总线EEPROM构成的存储器阵列的解决方案,使其存储容量达到16 MB,并给出了存储器阵列的电路设计,讨论了存储器阵列数据的读写操作问题.油气井压裂过程井下测试试验表明,采用该存储器阵列的井下电子压力计可满足井下工作环境和数据存储的要求,这种设计方法也可进一步应用于其他存储式测井仪器.     

大容量数据存储器设计与实现

介绍了一种大容量数据存储器的设计方法,该存储器以高集成度FPGA为控制核心、以大容量SDRAM为存储介质,利用网络传输接口,实现了大容量数据的快速、实时、高效存储。     

基于非易失性存储采用外部存储器实现的技巧和方法

非易失性存储常常采用外部串行存储器莱实现,其中,12C接口产品就是最常用的一种类型。,这种产品和其他EEPROM存储器一样,在使用时会存在着一些条件潜在地导致其产生某些非标准的甚至是错误的操作,只有在进行串行EEPROM存储器的应用设计时,考虑更多的因素,运用更多的技巧和方法,才能确保系统具有优良的质量特性。     

双层量子点阵列浮栅结构纳米存储器

设计了一种新型的存储器结构单元——锗／硅双层量子点阵列浮栅结构纳米存储器．对存储器样品的C—V测量结果显示了这种结构的P沟道器件有着更加优异的存储性能．数值模拟表明了该器件的编程速度在微秒量级,而保留时间长达10年（约10^8S）．这种新型的存储器结构单元有效地解决了目前硅基纳米存储器存在的工作电压和长久存储之间的矛盾,为硅基纳米存储器的实用化拓宽了道路．     

读写存储器分页加密原理

采用ＨＵ－００２电路对读写存储器进行分页加密，使用户运行在指定的存储区内，实现了防止对加密存区的非法访问和非法修改。     

一种改进的51单片机大容量数据存储器的系统扩展

在51单片机应用系统中，有一些特殊的应用场合需要使用在容量的数据存储器。传统的用IO口线直接控制大容量数据存储器的片先信号的扩展系统存在运行C51编译的程序时容易死机的缺点。文中根据作者实际使用的应用系统，介绍了一种改进的基于CPLD的51系列单片机大容量数据存储器的扩展方法，包括硬件组成和软件处理方法。实践证明基于这种设计的大容量数据存储器的扩展系统具有对存储器操作简便，系统运行稳定的特点。