多杂质氢气分配网络优化

利用三角图示法确定具有多杂质约束的氢气分配网络的目标值并提出相应的网络设计步骤。引入了层次分析法,用以确定具有多杂质约束条件下氢源的选用次序和氢阱的匹配次序。案例分析中,首先调整浓度数据的数量级,无因次化并重新归一化,进而可以在三角图中合理表征源的存在域、阱的可行域;然后进行源阱的匹配,可以确定出可行解域,从而获得氢源氢阱的匹配网络,同时考虑压缩机的配置,可确定最终优化的氢气分配网络。经过优化之后,氢公用工程用量由17.079×103 Nm3/h减少为14.125×103 Nm3/h,节氢率达到17.29%。案例分析结果验证了该方法的可行性。     

多杂质质量交换网络赤字率方法的改进

质量交换网络的优化对提高资源利用率具有重要意义.针对多杂质质量交换网络赤字率图解法在使用时需多次迭代因而计算复杂的缺点,提出了改进方法.该方法首先将源和阱中各杂质的浓度相乘,然后对乘积进行排序,将排序值定义为综合评价指标R.按照R重新排列源和阱,对所有杂质画出源、阱复合曲线,并转化为杂质赤字率曲线.对氢网络和水网络的实例分析表明:改进后的方法避免了迭代计算,提高了计算效率.     

三角图示法合成性质集成水网络

提出了利用性质三角图示法确定水网络的目标值方法以及网络设计步骤。该方法在考虑3种性质约束的前提并确定源阱匹配流率的同时,能够设计成源阱匹配水网络图。提出了源的存在域的概念,能够在三角图中表征源的存在域,便于源阱匹配及流量目标值的确定。具有性质约束的水网络合成实例显示了该方法的可行性和实用性。     

考虑热量和压力功影响的氢网络扩展矩阵法

氢网络中氢气、热量和压力功的传递同时进行,氢网络的优化需同时考虑三者的影响。热量和压力功对多杂质氢网络集成的影响相对氢气较小。基于此,首次提出考虑热量、压力功的多杂质氢网络集成的扩展矩阵法。在该方法中,优先考虑氢的匹配,其次考虑热量和压力功的传递,并用该方法对某石化公司的氢网络系统进行了优化分析,提出了相应的优化调整方案。     

像势对量子阱中类氢杂质结合能的影响

在有效质量近似下，利用变分方法研究了像势对量子阱中类氢杂质结合能的影响。计算中考虑到了阱和垒中电子有效质量的不同。数值计算结果表明：阱和垒中质量的不连续只对阱宽较窄的区域有影响，而像势则在整个区域都有影响．对于阱和垒中介电常数之比较大和阱宽较小的量子阱，考虑像势对阱中杂质结合能的修正是非常必要的     

波函数对有限深方形量子线中电子及杂质能量的影响

以一维线性谐振子的波函数为基展开而成的波函数作为单电子的波函数,分别讨论了单电子及类氢杂质的能量,并将所得结果与波函数取作一维有限深量子阱中波函数的乘积的情况进行了比较.结果表明：已有文献选取的波函数,在计算单电子的能量及杂质的束缚能时只在阱宽较大时适用;在计算单电子的振子强度时,带来较大误差.     

半导体外延掺杂的深度分布——"修正的"余误差分布

在制造半导体器件的外延工艺中,外延生长时通常要掺入杂质.如果杂质的扩散系数很小,杂质在外延层中的深度分布是均匀的;如果杂质的扩散系数较大,半导体在外延生长过程中,杂质还有较明显的扩散,也会扩散到衬底中去.杂质浓度随深度分布不仅和杂质的扩散系数有关,还和外延生长速度及外延生长时间有关.从理论上推导出掺杂外延生长时杂质浓度深度分布表达式——"修正的"余误差分布;并根据该表达式绘出不同扩散系数和不同外延生长条件下的杂质浓度深度分布图;讨论了由杂质浓度深度分布确定扩散系数的实验条件.     

一种适应负载特征的入侵检测方法

针对网络环境不断变化和规则分类的不均匀问题, 提出一种既考虑规则特点又考虑负载特征的高效检测方法, 该方法能动态生成适应负载特征的规则匹配树, 并在Snort上实现. 实验结果表明, 该方法不仅可解决网络入侵检测系统(NIDS)丢包率高的问题, 而且 能极大减少每个包或事件要检测的规则集, 从而提高了检测效率.     

分数维近似方法研究：矩形量子阱线中浅施主杂质结合探讨

采用分数维近似方法并首次将系统推导法确定等维数α应用在量子阱线中来考察矩形横截面量子阱线中浅施主杂质的结合能，并对等横截面积矩形横截面量子阱线中杂质的等效维数和结合能受量子阱线形状的影响进行了详细的讨论。     

双抛量子阱中类氢杂质的结合能

以ＧａＡｓ／Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ为例,在有效质量的近似下,讨论了双抛量了阱吕类氢杂质的结合能,结果表明：（１）双方量子阱中类氢杂质的结合能是双抛阱中杂质结合能的１．３倍;（２）无论杂质在阱中还是垒中,不仅垒宽和阱宽影响其结合能,而且Ａｌ的掺杂度ｘ也是影响结合能的一个重要因素。