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对运用表面光电压技术(SPS)对半导体材料光电性质的研究进行了综述,系统阐述了表面光电压谱(SPS)和场诱导表面光电压谱(FISPS)在测定半导体类型、表面态及其能级位置、表面电荷分布、半导体的能带隙等方面所表现出的优越性质.研究了半导体能带隙所表现出的特有性质. 相似文献
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采用改进的线性组合算符和幺正变换方法研究半导体量子点中强、弱耦合极化子的振动频率和声子平均数的性质.导出了电子速度对半导体量子点中强、弱耦合极化子的声子平均数的影响.数值计算结果表明:半导体量子点中强耦合极化子的振动频率随量子点的受限强度的增加而增大,半导体量子点中强、弱耦合极化子的声子平均数随电子速度的增加而增加 相似文献
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采用最近邻的紧束缚的sp^3.s模型,利用形式散射理论的格林函数方法,计算了InAs(110)弛豫表面的电子结构给出了表面投影能带和M占的层态密度,分析了产生表面态的原因和轨道特性以及弛豫引起表面态的变化,所得结论与实验和其他理论结果相符合。 相似文献
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丁训民 《复旦学报(自然科学版)》2001,40(3):261-267
低能电子与半导体表面的相互作用能激发带间电子跃迁和(或)表面振动,因而对背散射电子能量分布的高分辨率测量可望给出与这些激发相关的丰富信息,近年来的实验研究证实,进行这样的电子能量损失测量确能从各种不同半导体得到的诸发禁带宽度,表面电子态的能量,表面光学声子的特性,表面原子的成键方式,表面反应的产物等许多有关表面原子和电子结构的重要参数。 相似文献
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在IC封装工艺过程中,芯片表面的氧化物及颗粒污染物会降低产品质量,如果在封装工艺过程中的装片前、引线键合前及塑封固化前进行等离子清洗,则可有效去除这些污染物。介绍了在线式等离子清洗设备及清洗原理,并对清洗前后的效果做了对比。 相似文献
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研究了射频溅射法制备的半导体膜的光学特性.通过样品透射谱分析,发现在半导体In2O3材料中掺入金属Fe颗粒的薄膜中,电子的带间跃迁由In2O3的直接跃迁变为间接跃迁;随Fe所占体积份数的增加,局域态尾变宽,带隙变窄.这是由于掺入Fe颗粒后,母体材料与金属颗粒的界面处表面态增多,以及母体材料的非晶化引起的. 相似文献
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介绍了一台用于表面分析的饿歇电子能谱仪(AES)系统。用该系统研究了铜快离子导体CuI-Cu_2O-MoO_3-P_2O_5在AES的探针电子诱导下铜沉积的规律;并发现在这种样品表面,部分氧在电子轰击过程中被蒸发而减少,总的二次电子发射电流由于铜沉积在样品表面上面随电子轰击时间迅速改变。 相似文献
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利用激光清洗技术对钕铁硼材料进行清洗试验,探究不同激光功率对钕铁硼材料清洗效果的影响。通过扫描电子显微镜(scanning etectron microscope, SEM)和X射线能谱仪(energy dispersive spectroscopy, EDS)分析清洗后钕铁硼材料表面形貌及元素组成成分;利用白光干涉仪检测清洗后钕铁硼材料表面的粗糙度。结果表明,清洗后钕铁硼材料的表面粗糙度随着激光功率的增大先增大后减小随后又增大;激光功率较小时,钕铁硼材料表面存在烧蚀划痕和残留的腐蚀坑,表面C、O元素不能有效去除,清洗效果不佳;在激光功率为12 W,清洗后的材料表面光洁平整,无C、O元素,表面晶相组织完整清晰无破坏,说明此时激光清洗效果最佳;当激光功率更大时,超过材料的损伤阈值,表面出现微裂纹和细小的孔洞,说明清洗效果变差。 相似文献
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随着砷化镓太阳电池对锗片的需求,免清洗锗片的需求日益增加.本文在试验的基础上阐述了锗单晶抛光片的清洗机理.通过对锗抛光片表面有机物和颗粒的去除技术研究,建立了超薄锗单晶抛光片的清洗工艺,利用该清洗工艺制备的锗抛光片完全满足了空间岛效太阳电池的使用要求. 相似文献
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表面活性剂在新型清洗剂中的应用研究 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了一种非离子表面活性剂脂肪醇聚氧乙烯聚氧丙烯嵌段聚醚(A)的合成方法,并进行了一系列性质表征,经过复配实验。发现它可以应用于新型清洗剂中,改善了清洗剂的渗透性能和乳化分散性能,有效提高了清洗剂的清洗能力. 相似文献
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介绍了一种非离子表面活性剂脂肪醇聚氧乙烯聚氧丙烯嵌段聚醚(A)的合成方法,并进行了一系列性质表征.经过复配实验,发现它可以应用于新型清洗剂中,改善了清洗剂的渗透性能和乳化分散性能,有效提高了清洗剂的清洗能力. 相似文献
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