半导体激光器结电压饱和特性及其与器件可靠性的关系

本文讨论了半导体激光器的结电压饱和特性，并给出了其可靠性和结电压饱和特性关系的实验结果。     

半导体激光器端面反射率的优化

本文从半导体激光器的速率方程组出发,分析了半导体激光器端面反射率的变化对其输出光功率的关系。数值计算表明,在对半导体激光器端面反射率进行优化后,能够获得最佳输出功率。此外,还分析了端面反射率优化后对半导体激光器微分功率特性的影响。     

混沌半导体激光器研究进展

混沌激光具有宽频谱、类噪声的特点,已广泛应用于通信、传感和激光雷达等领域.半导体激光器因体积小、性能稳定、成本低等优势而成为产生混沌激光的主要光源.传统光反馈混沌半导体激光器信号带宽窄,存在时延特征,且大多为分立器件构成的系统.针对以上问题,综合介绍了近年来在混沌激光带宽增强、时延特征抑制和集成化混沌激光器方面的研究进展,并对混沌半导体激光器的发展趋势和应用前景进行展望.     

808nm大功率半导体激光器的低频电噪声

对８０８ｎｍ大功率半导体激光器的低频电噪声进行测试,给出哭喊件电噪声与频率、注入电流之间关系,讨论噪声与电、光导数之间的关系。结果表明,８０８ｎｍ大功率半导体激光器的电器材怕在低频段主要１／ｆ噪工在阈值附近有最大值。     

高特征温度半导体激光器材料选取与结构设计

大功率半导体激光器，有一个很重要的问题就是散热问题．为了制作出高质量的半导体激光器，我们必须做好激光器材料选取与结构设计。本文综合考虑半导体激光器材料与特征温度影响因素的关系，择优选取AlInGaAs四元系统作为有源区材料，从而设计出AlInGaAs／AlGaAs,／GaAs应变量子阱激光器，20～40℃时T0值可达到200K，最低阈值电流密度为126A／cm^2。     

半导体激光器短电脉冲调制光脉冲的产生与控制

对半导体激光器短电脉冲调制增益开关法产生皮秒光脉冲动力学过程进行理论分析和实验研究,基于单模数率方程,采用相图（Ｐｈａｓｅ Ｐｏｒｔｒａｉｔｓ）法分析激光器激射皮秒光脉冲时载流子浓度和光子密度变化的对应关系。探讨直流参数、调制脉冲参数和器件寄生参量等对产生皮秒光脉冲的影响,在此基础上,研究ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器短电脉冲调制产生单发激光脉冲最佳的实验条件。     

一种半导体激光器的驱动电路源

根据半导体激光器对注入电流的稳定性要求高和对电冲击的承受能力差等特性,对其驱动电路进行了设计。针对具体的980 nm泵浦激光器,采用负电源模拟电路方案,研制了包含慢启动和功率稳定功能的驱动电路,其输出驱动电流稳定度达到2×10-4,应用于激光器后得到了小于4‰的光功率稳定度。     

正弦调制自混合型半导体激光器光学传感的研究

研究正弦电流直接调制下,单纵模半导体激光器在外部物体的反馈作用时产生的自混合效应,利用这种自混合效应,对静止物体的距离进行非接触性的,测量,通过设定一参考距离,比较靶体与基准点处的拍频信号的最大频率值,简化了测量步骤,分析测量误差与调制电流大小的关系,进而确定短距离的最佳实验条件。     

基于半导体可饱和吸收镜的双波长环形腔连续波光纤激光器

提出并实验研究了一种基于半导体光放大器(SOA)和半导体可饱和吸收镜(SESAM)的双波长环形腔连续波光纤激光器.当半导体光放大器的输入电流为140m A时,通过仔细调整偏振控制器,可以获得1 560.91 nm和1 564.12 nm双波长激光,其信噪比大于30 dB,波长间隔为3.21 nm.实验结果表明,基于SOA和SESAM的双波长环形腔连续波光纤激光器的新概念及其技术可行性.     

半导体激光器的发展及其在激光光谱学中的应用

半导体激光器的发展迅速,以其独特的性能及优点获得了广泛的应用,本文简略地回顾了各种半导体激光器的原理、结构、进展及其在激光光谱学中的主要应用,给出利用垂直腔面发射激光器得到的氧气的吸收光谱。     

GaAs／GaAlAs锁相阵列激光器的研制

用液相外延工艺，光刻工艺，质子轰击工艺研制了GaAs/GaAlAs锁相阵列激光器，该器件是由四个不同条宽激光器组成，它们的条宽是从3um线性地变化到6um，相邻激光器的间距保持常数为5um,，其间的隔离是通过质子轰击实现的，观察到远场为单瓣，平行于p-n结平面发散角（11）为3．13度，接近于理论计算的衍射极限角为3度，器件的脉冲光输出功率为120mw/facet。     

外腔半导体激光器调谐输出双稳环跳变幅度的变化

研究了强反馈条件下光栅调谐外腔半导体激光器（ＥＣＬＤ）的双稳特性,利用求得的载流子－频率（Ｎ－ｖ）曲线上的双稳环跳变点处的载流子密度的解析表达式,分析了ＥＣＬＤ几个关键参量对载流子密度跳变幅度的影响。     

1.3μmInGaAp／InP高频大功率SPB—BC激光器

提出一种高频大功率选择性质子轰击掩埋新月型ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器结构。用Ｐ－ＩｎＰ做衬底。