聚合物分散液晶的柔性显示单元电光特性研究

为了聚合物分散液晶能应用于可柔性大面积显示,用表面沉积了ITO透明导电膜的PET塑料薄膜作为液晶盒的基板,在不同工艺条件下制作了样品.分析了制作条件对聚合物分散液晶膜电光特性的影响,尤其是对饱和驱动电压和对比度的影响.通过样品电光特性的分析研究,寻找一种降低聚合物分散液晶饱和驱动电压,提高其对比度的方法.     

细菌鞭毛的简易制样方法

鞭毛的观察在细菌分类中具有重要的作用,用透射电子显微镜观察细菌鞭毛,制作样品是成败的关键。一般鞭毛的制样方法较为复杂,本文介绍一种简易的制样方法。一、材料:使用两株嗜热厌氧菌和一株嗜温厌氧菌作为试验菌株,此三种菌均为梭状芽孢杆菌(C-lostridium)。使用带有聚乙烯醇缩甲醛(商品名称formvar)膜的铜网作为支持网膜。     

磁控溅射沉积镓掺杂氧化锌薄膜的微观结构性质研究(英文)

采用磁控溅射工艺在玻璃衬底上沉积镓掺杂氧化物透明导电薄膜样品,通过X-射线衍射仪的测试表征及其定量分析研究了薄膜样品的结晶性质和微观结构性能.结果表明,所沉积的样品均为六角纤锌矿型的多晶结构并具有(002)择优取向生长特性,其晶格常数、晶面间距和Zn-O键长等参数与标准值一致.当膜厚为570 nm时,薄膜样品的(002...     

金相标本胶质代替膜的研究与代替膜今后发展的方向

本文所讨论的内容共分为六点:(1)如何制造胶质代替膜使代替不透明的金属标本直接放在生物显微镜上,不用金相显微镜,观察金属内部的结构。(2)如何将代替膜放在金相显微镜上观察亦可得到同一结果。(3)“滴液盖片法”制造代替膜的操作程序。(4)代替膜的使用技术及有关细节。(5)代替膜的优点及缺点。(6)代替膜的其他可能发展,即不特适用于金属表面情况的研究而且可以应用于非金属材料的表面情况和切面的结构的研究(如植物或动物的表面或内部的结构),及光栅的制作。     

用国产PVB及PVF制备电子显微镜样品支持膜的试验

本室自一九六九年以来,试用国产聚乙烯醇缩丁醛(Polyvinyl Butyral,简称PVB)薄膜以及聚乙烯醇缩甲醛(Polyvinyl Formar,简称PVF),即福尔蒙瓦尔(Formvar)等材料制备电子显微镜样品支持膜,具有膜牢、透明度好、制备方法简便等优点。一、材料及方法(一) 用PVB薄膜制备支持膜1) PVB薄膜系用聚乙烯醇缩丁醛加入18%癸二酸二丁酯增塑剂加温加压制造成的。须将薄膜表面洗净,干后即可使用。2) 用氯仿(A.R.)配制1.5%PVB薄膜氯仿溶液。3) 用醋酸甲酯作为助展剂(即制膜时辅助在水面上扩展的溶剂)与上述1.5%PVB薄膜氯仿溶液     

从n型硅到RTN超薄SiO2膜的电流传输特性

用卤素钨灯作辐射热源，对超薄(10nm)SiO2膜进行快速热氮化(RTN)，制备了SiOxN，超薄栅介质膜，并制作了Al／n-Si／SiOxNy／Al结构电容样品．研究了不同样品中n型Si到快速热氮化超薄SiO2膜的电流传输特性及其随氮化时间的变化．结果表明：低场时的漏电流很小；进入隧穿电场时，I—E曲线遵循Fowler-Nordheim(F-N)规律；在更高的电场时，主要出现两种情形，其一是I-E曲线一直遵循F-N规律直至介质膜发生击穿，其二是I-E曲线下移，偏离F-N关系，直至介质膜发生击穿．研究表明，I-E曲线随氮化时间增加而上移．文中对这些实验结果进行了解释．     

一种三明治结构透明导电薄膜的制备及光电性能

采用直流磁控溅射法制备了ZAO/Cu/ZAO多层透明导电薄膜,研究了参铝氧化锌(ZAO)薄膜厚度对多层膜晶体结构和光电特性的影响.用X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外可见光分光光度计及四探针对样品的晶体结构与光电性能等进行了表征.结果表明,多层膜的平均透过率最高达86%,方块电阻达9/sq;ZAO膜层厚度对多层膜的导电性能影响很小,但严重影响可见光透过率;多层膜中的ZAO层仍呈ZnO晶态结构,且具有明显的c轴取向特征.这种三明治结构是一种性能优良的太阳能透明导电层候选材料.     

离子注入聚醚砜（PES）膜的介电频谱与红外光谱分析

用15keVAr^ 和N^ 注入纯PES膜和掺碘PES膜，掺碘PES样品离子注入后的介电谱表明，随注入剂量的增加，损耗峰秽向高频，损耗峰的高度下降。离子注入纯PES膜的介电损耗在(0～10)MHz内小于0．062，没有松驰特性，是制作布线的理想材料。红外光谱表明，离子注入引起PES膜结构变化。     

从n型硅到RTN超薄SiO_2膜的电流传输特性

用卤素钨灯作辐射热源 ,对超薄 (1 0nm )SiO2 膜进行快速热氮化 (RTN) ,制备了SiOxNy 超薄栅介质膜 ,并制作了Al/n Si/SiOxNy/Al结构电容样品 .研究了不同样品中n型Si到快速热氮化超薄SiO2 膜的电流传输特性及其随氮化时间的变化 .结果表明 :低场时的漏电流很小 ;进入隧穿电场时 ,I E曲线遵循Fowler Nordheim (F N)规律 ;在更高的电场时 ,主要出现两种情形 ,其一是I E曲线一直遵循F N规律直至介质膜发生击穿 ,其二是I E曲线下移 ,偏离F N关系 ,直至介质膜发生击穿 .研究表明 ,I E曲线随氮化时间增加而上移 .文中对这些实验结果进行了解释     

取向膜配置对TN型液晶盒电光特性影响的实验研究

该文根据TN型液晶盒制作流程,采用不同的取向膜配置方式,分别制作出两组样品,并对其电光特性进行测试,测试结果表明,取向膜配置方式对液晶盒的电光特性存在一定的影响。分析认为,不同配置方式造成取向膜膜厚不同,是造成液晶盒电光特性不同的原因。     

Al金属多晶硅纳米膜欧姆接触的制作

利用低压化学气相淀积法(LPCVD)在表面有热氧化二氧化硅的(100)硅衬底上生长80nm厚多晶硅纳米膜,并对其界面进行表征.制作出单层Al金属的欧姆接触样品,在不同退火温度条件下对样片的电阻进行测量.结果表明,退火使欧姆接触的电阻率降低,接触电阻率可达到2.41×10-3Ω.cm2.     

Ag-NiMnGa颗粒膜分析

利用离子束溅射技术制备了AgNiMnGa颗粒膜的系列样品.分别采用广角X射线衍射(WXRD)技术和掠入射X射线散射(GIXS)技术分析了样品的物相组成和膜面与内层结构,NiMnGa颗粒平均尺寸为5 5nm;样品膜厚度为463nm.对样品电磁性能的研究表明:颗粒膜在室温下磁场扫描测量中呈现明显的磁致电阻效应;其伴随有振荡的非线形电流电压关系揭示了介观系统具有的输运特征.     

凸起焊盘板外层线路工艺制作技术研究

正0引言凸起焊盘(Raised PAD)技术是下一代印制电路板(PCB)服务器中央处理器(CPU)控制模块基板的主要应用技术之一,常见技术参数要求Raised PAD高度为50μm,此要求决定其PCB制作技术的重点在外层线路。镀铜Raised PAD做外层线路方法,除了用真空压膜制作线路,也可用油墨制作线路(先干膜盖孔),但此种工艺制作外层良率较低。     

二氧化钛太阳能电池减反射膜结构和光学特性

用溅射功率为100～500 W的直流反应磁控溅射法制备出不同结构与特性的TiO2薄膜样品;采用原子力显微镜(AFM)、X线衍射仪(XRD)、傅里叶红外光谱(FTIR)和紫外可见光分光光度计对薄膜的形貌、结构及光学特性进行表征;研究溅射功率对薄膜的结构、形貌及光学特性的影响.研究结果表明:沉积态薄膜均为无序结构,氧化物溅射模式下沉积的薄膜为透明状态,金属模式下沉积的薄膜不透明,TiO2薄膜的折射率随着溅射功率变化在1.8～2.3之间变化;在低功率制备的沉积态薄膜存在TiO0.5微晶,它使薄膜样品的透过率降低,这主要是TiO0.5微晶对光波的强烈吸收所致;400 W溅射功率下制备出适合太阳能电池减反射膜应用的透过率高及折射率大的TiO2减反膜.     

小鼠无透明带胚胎培养方法的优化

目的:探索合适的小凹制作方法以培养小鼠无透明带胚胎,完善WOW(the well of the well)系统,为手工克隆技术提供支持,提高核移植生产效率.方法:对WOW系统进行改进,用金属针、玻璃针及胚胎聚集针分别做小凹,比较这三种方法制作的小凹对小鼠无透明带受精胚胎的培养效果.结果:胚胎聚集针所做小凹的囊胚发育率显...     

基于玻璃基底的透明导电金膜的光学性质

采用直流溅射法,通过调节溅射时间和溅射电流,在玻璃基底上成功制备出不同厚度的透明导电金膜.通过椭圆偏振仪测量了透明导电金膜的厚度及其对可见光的透过率,利用四探针、扫描电子显微镜分别测量和表征了透明导电金膜的方块电阻和表面形貌.研究结果表明,随着透明导电金膜厚度的增加,方块电阻减小,金膜表面连续性变好,且透明导电金膜厚度为10~13nm时,透明导电金膜的导电性和透过性的兼顾最佳.通过实际中透明导电金膜厚度随溅射条件的变化,结合理论膜厚计算公式可知,直流溅射沉积透明导电金膜为岛状生长模式.使用椭圆偏振仪测量了不同入射角度和入射方向上透明导电金薄膜的椭偏参量,发现在各向同性的玻璃基底上生长的透明导电金膜的光学性质表现为各向异性.     

退火温度对Cu、Co共掺ZnO多层膜结构与磁性的影响

以Si片为衬底,利用磁控溅射法制备了Cu、Co共掺ZnO多层膜样品,并在氩气气氛下选取500℃、550℃、600℃和650℃作为退火温度进行退火处理.利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、X射线光电子能谱(XPS)、振动样品磁强计(VSM)对所制备样品的结构、元素的化学价态和样品的磁性进行研究.结果表明,退火温度对Cu、Co共掺ZnO多层膜样品的结构及饱和磁化强度产生了一定的影响.     

Fe含量对FeCu颗粒膜磁滞回线的影响

利用共蒸发法制备了不同组分的FeCu颗粒膜，用X射线衍射仪(XRD)确定了样品的物相组成，用扫描电镜(SEM)观测了颗粒的平均直径，用振动样品磁强计(VSM)测量了样品的磁滞回线，根据测量结果用Origin软件对样品的磁滞回线进行了分析，探讨了Fe含量对FeCu颗粒膜磁滞回线的影响．结果表明：FeCu颗粒膜是颗粒取向均匀的非固溶磁性膜．矫顽力、剩磁、剩磁比均随铁含量增加先减小后增大，在铁含量为25％左右时剩磁、剩磁比取极小值；而矫顽力在铁含量为30％左右极小．     

有机光伏材料与器件

正有机光伏器件是由共轭聚合物(或p-型共轭有机小分子)给体和富勒烯(或非富勒烯n-型有机半导体)受体的共混膜夹在透明导电电极和金属电极之间所组成,具有器件结构简单、制作成本低、重量轻和可制备成柔性器件等突出优点,近年来受到广泛关注,相关材料和器件的研究获得了快速发展。有机光伏器件研究的核心是提高光电能量转换效率(PCE),而提高效率的关键是拥有高效给体和受体光伏材料、高性能界面修饰层材料和新型器件结构。     

Fe2O3掩膜的制备研究

在制造半导体器件和集成电路时,为确定衬底材料上的图形,必须使用掩膜版。现有的掩膜材料主要有乳胶膜和铬膜。乳胶膜耐磨性差、易沾污且分辨率低;铬膜虽有较好的耐磨性,但铬作为一种金属反光很强,导致图形分辨率降低。另一方面,这两种膜都不透明,光刻时图形难以套准。Fe_2O_3膜是一种优良的掩膜材料,它具有很强的耐磨性和很高的分辨率,针孔少、透明、光刻时图形易对准。因此在70年代国内外就对Fe_2O_3膜进行了研