水热法制备CdSe纳米晶

用合成的Na2SeSO3和Cd(NO3)2.4H2O在水溶液中180℃下反应12h,合成了直径为100 nm的CdSe纳米球,利用X射线粉末衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对其结构进行了表征,并探讨了其生长机理.     

纳米氧化锡枝蔓晶的制备及形成机理

以SnCl4·5H2O等为主要原料,在160～200℃时成功地制备出分散性好、晶型完整、结构稳定的四方晶型纳米氧化锡枝蔓晶,并用透射电子显微镜、电子衍射、X射线衍射等技术手段对氧化锡纳米晶的结构和形貌进行了表征.结果表明:制备得到的SnO2微晶具有枝蔓状外观结构,其躯干长为3～5μm,直径为100～200nm,枝节长为5～8μm,直径为10～40nm.同时对其可能形成机理进行了探讨,初步认为其形成过程是一个成核并延伸生长的过程.     

晶种辅助法控制合成CdS纳米棒

本论文以CS2为硫源．首先在十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)胶束中制备CdS纳米棒品种．然后利用晶种辅助法实现了不同长径比的CdS纳米棒制备。实验结果表明晶种辅助生长法能否成叻与晶种在反应体系中溶解特性有很大关系。     

空心CdS纳米晶的合成及发光性能研究

以氯化镉和硫化钠为原料,在水相体系中合成CdS纳米晶,通过透射电子显微镜观察发现,在100℃下合成的CdS纳米晶具有空心结构,粒径为20～30nm,且壁厚均匀,约为3～5nm;在70℃下合成的CdS纳米晶为实心结构,粒径约为20nm,存在较严重的团聚现象.紫外-可见吸收光谱表明：空心CdS纳米晶的吸收波长与实心CdS纳米晶相比蓝移136.74nm,这表明其禁带宽度增大0.11eV.光致发光光谱表明：空心CdS纳米晶的表面缺陷态发射较实心CdS纳米晶有所增强,这是其存在内表面的结果.     

水热—溶剂热法合成CdS纳米晶的进展研究

半导体纳米材料CdS,具有较大的禁带宽度(2.42ev),因而在光电子器件等领域有重要的应用前景,也在当前纳米材料研究中占有重要的位置。同时,制备出形貌尺寸可控的CdS纳米材料是合成工艺研究的重要目标之一,而在制备CdS纳米材料的各种工艺中,水热-溶剂热法是一种重要的方法,受到研究者广泛的关注,并推动着水热-溶剂热合成方法的快速发展,促进了我国纳米科学技术的飞速发展。     

水热法合成CdS纳米粒子及其与牛血清蛋白的共轭作用

用双子表面活性剂Py-16-10-16为软模板水热法合成了CdS纳米粒子,制备的CdS纳米粒子具有较好的荧光性质。研究了CdS纳米粒子与牛血清蛋白(BSA)的共轭作用,在pH=7.40的PBS缓冲溶液中,BSA的荧光强度随着CdS纳米粒子的加入而猝灭,同时用CD光谱对BSA与CdS纳米粒子共轭作用进行了分析,这一性质说明纳米粒子与蛋白质的共轭作用,可以用于蛋白质的分析检测。     

水热法合成纳米晶SnO2的气敏特性研究

以锡粉和硝酸为主要原料,采用水热法合成了纳米晶SnO2粉体,研究了其厚膜元件对空气中低体积分数H,2S气体(2～100μL/L)的敏感特性.结果表明:170℃水热处理3～13 h获得的SnO2粉体结晶良好,呈四方相金红石结构,其X射线射峰宽化明显,颗粒尺寸为数纳米且分布窄.随着水热处理时间的延长,颗粒尺寸及结晶程度有所提高.170℃水热处理9 h得到的SnO2粉体颗粒尺寸约为4.4 nm.利用该粉体制作的厚膜元件晶粒细小均匀,晶粒尺寸约为10.0 nm.在最佳工作温度150℃下该元件对低浓度H,2S气体具有良好的响应一恢复特性,对50 μL/LH,2S的灵敏度为20.5,敏感体积分数下限低至2 μL/L,而对体积分数高至1 000μL/L的CO及CH4两种气体均不敏感.     

纳米CdS合成方法及应用研究进展

硫化镉作为一种重要的纳米半导体材料,在光吸收、光催化和传感器等方面有着广泛的应用.文章主要介绍了纳米硫化镉的合成方法及优缺点,并对纳米硫化镉的应用进行了综述.     

CdS/SiO2介孔组装体系、CdS薄膜及纳米晶的光吸收性质

通过溶胶 凝胶法获得块材CdS纳米颗粒/介孔SiO2组装体系样品,喷雾热解获得CdS薄膜,水热法合成CdS纳米晶,室温下的拉曼谱中观察到CdS的两个特征峰;在氮气中做了退火处理,发现CdS/SiO2介孔组装体系和CdS薄膜的吸收边随退火温度升高而移动,与XRD图谱中衍射峰宽化减弱相对应,其分别归属于量子尺寸效应和缺陷等的变化.     

纳米光催化材料的水热法合成

文章通过了解国内外水热法的研究,查阅纳米功能材料的各种制备方法,详细介绍了水热法的基本情况,包括定义、原理、分类、适用条件等,并将水热法与其他制备方法进行比较。文章还简单描述了水热法制备光催化材料的研究进展,并对水热法的未来进行了展望。经过对比发现:水热法与其余方法比较而言具有可制备粉体种类多、可直接获得结晶良好的粉体、晶粒线度适度可调、低耗能高产出、工艺较简单等优点;同时也有着反应周期长、现阶段通常用于制备氧化物粉体、对生产设备的依赖性比较强的缺点。但科学家们也在不断地发展改良,其中溶剂热法、超临界水热法、微波水热法就是水热法的改良与发展。最后从多个不同的方面介绍了现阶段水热法制备光催化材料的研究进展,这些都充分说明了水热法的发展潜力。     

水热法制备不同形貌铌酸钠纳米晶

<正>铌酸钠(NaNbO3)室温下是一种类钙钛矿结构的反铁电体(反铁电范围为-100~+360),具有强电场诱发的铁电性,是一种很好的压电介电材料[1]。合成铌酸钠的主要方法有传统固相法[2]、聚合物前躯体法[3]和溶胶-凝胶法[4],由于这些方法存在的局限性,得不到结晶良好的固体铌酸钠。水热法制备的铌酸钠粉体具有操作方便,工艺流程简单、颗粒团聚程度轻、粒径分布窄、晶体纯度高、晶体发育完整等优点,由于整个反     

微波-水热法制备钛酸钡纳米晶

采用微波-水热法(M-H)制备了钛酸钡(BaTiO3)纳米晶，用透射电镜(TEM)、粉末X-ray衍射(XRD)分析、热失重(TGA)分析等手段对其晶体形貌、结构进行了研究．结果表明：这种M-H法在低温(60～160℃)条件下可得到颗粒约为20～30nm的立方相BaTiO3纳米晶体．通过对材料介电性能的研究发现，纳米材料的静态介电常数远大于常规材料的介电常数，并随着颗粒粒径的减小，纳米材料的介电常数先增大而后有所降低。     

退火对CdS薄膜和CdS纳米晶的电学与光学性质的影响

通过喷雾热解获得CdS薄膜,水热法合成CdS纳米晶,在氮气中做了退火处理,发现CdS膜的吸收边随退火温度升高而移动;经暗电阻与温度关系测试,发现CdS薄膜和纳米晶的激活能存在极小值,用载流子衰减时间的变化很好地解释了其缘由;室温喇曼谱中观察到CdS的两个特征峰.     

树枝状CdS纳米结构的合成及光学性质

分别以丙烯基硫脲和五水氯化镉为硫源及镉源,利用水热法合成了树枝状CdS复杂纳米结构,利用X射线衍射谱、场发射扫描电子显微镜、透射电子显微镜、高分辨电子显微镜和电子衍射等对产物的形貌和结构进行表征.利用室温荧光光谱和紫外-可见光吸收谱对产物的光学性质进行研究.结果表明,所得产物是六方晶系的CdS,并且树枝状CdS是单晶.研究了不同硫源和镉源对产物形貌的影响,同时对树枝状CdS复杂纳米结构的形成机制进行了探讨.     

pH值对水热法合成EuF3纳米晶形貌的影响

本研究pH值对水热法合成EuF3纳米晶形貌的影响,通过添加EDTA作为螯合剂,在较低的温度下,合成了在不同pH值下具有不同形貌的EuF3纳米晶,实现了对产物形貌的控制合成.用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(SEM)等对样品的形貌和晶体结构进行表征的结果显示,反应体系的pH值对产物形貌有很大的影响,并提出了pH值对EuF3晶体形貌的影响机理.     

低温固相合成形貌和晶相可控的CdS纳米晶

用表面活性剂为形貌控制剂,通过低温固相反应成功制备出具有不同晶相和形貌的CdS纳米晶.研究结果表明,在反应过程中,表面活性剂所形成的结构对最终纳米晶的形貌起着决定性的作用.若以表面活性剂聚氧乙烯9醚为形貌控制剂,则所制备的产物为立方晶系的β-CdS球形纳米粒子,纳米粒子的直径为5-15 nm;而用聚乙二醇400为形貌控制剂时,则所制备的产物为六方晶系的CdS纳米棒,纳米棒的直径为20-80 nm、长度为100-400 nm.用X射线粉末衍射和透射显微镜技术对所制备纳米晶的成分、晶相、形状和尺寸进行了表征分析.对不同形貌CdS纳米晶的形成机理作了深入的讨论,提出了CdS纳米棒的表面活性剂软模板诱导自组装生长机理.     

水热法合成纳米层状双金属氢氧化物

以硝酸镁、硝酸铝和氨水为原料,采用水热法合成层状镁铝双金属氢氧化物(Mg2-Al-NO3-LDH)。通过L9(34)正交实验,探讨原料浓度(C metal=C Mg2++C Al3+)、成核反应时间(t1)、水热反应温度(T2)、反应时间(t2)等条件对层状双金属氢氧化物(LDH)粒径尺寸及分布的影响。通过激光粒度分析、X射线衍射分析、FT-IR图谱对产物的粒径分布、晶型、组成结构等进行了表征。结果表明,在C metal=0.03 mol/L,t1=35 min,T2=80℃,t2=17 h的条件下,可制备出理想的纳米级LDH。     

不同镉源对溶剂热合成CdS纳米晶的物质结构影响研究

采用溶剂热方法,以硫脲(TU)为硫源,CdCl2·2.5H2O、CdSO4·8H2O、Cd(Ac)2·2H2O为镉源,在相同的条件下合成了CdS纳米晶,掌握了不同镉源对产物物性和形貌的影响,并对溶剂热原位生长做了初步讨论.通过X-射线衍射(XRD)分析表明了产物均是六方相CdS,电子扫描电镜(SEM)展示了产物的形貌变化.利用溶剂热原位生长法改变产物的形貌,结果显示:产物结晶性提高、形貌均由纳米颗粒状转变为纳米棒状.     

水热法合成ZnS纳米粉晶及其生长机理探究

采用水热法合成ZnS纳米晶,对其反应动力学进行了研究。利用XRD、TEM等手段对样品进行了表征。在150℃反应时间为10h下,用水热法制备ZnS纳米晶,平均粒径在17nm左右,所得样品为闪锌矿结构,立方晶系,形貌为球形。动力学研究表明,ZnS纳米晶粒径随反应时间呈线性增加,ZnS纳米晶的平均生成活化能为27.44 kJ.mol-1。     

水热法合成MoO_2纳米结构的形貌控制研究

氧化钼纳米材料因其特殊的性能和应用价值而备受关注,广泛应用于催化剂、显示设备、传感器、智能窗、电池电极和润滑油等领域.水热法是合成纳米材料的有效方法.以钼酸铵为原料,采用水热法在酸性条件下制备了MoO2纳米线和MoO2纳米球.对合成的纳米结构进行XRD、SEM、TEM表征,讨论了酒石酸的用量、pH值和反应温度等条件对纳米结构形成的影响.研究结果表明,随着酒石酸在混合溶液中用量增加,产物从MoO3纳米带转化为MoO2纳米线和MoO2纳米球.酒石酸对特殊产物的形貌和相行为起重要的作用.根据实验探究,提出了钼的氧化物从纳米带到纳米线和纳米球的转变机理.