综述文章

·《中国学术期刊文摘》(中文版)述评文章摘录·稀磁半导体的研究进展赵建华(中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,北京100083)主要介绍了III-V族稀磁半导体(Ga,Mn)As的研究进展,包括(Ga,Mn)As的生长制备、基本磁性质、磁输运特征、磁光性质、磁性起源、相关的异质结构和自旋注入等,同时还简单介绍了其他稀磁半导体如IV族、III-VI族和IV-VI族等稀磁半导体的研究进展,在文章的最后描述了理想的稀磁半导体应该具备的特征以及对未来的展望。     

“1111”型稀磁半导体的研究进展

我们成功地制备了载流子和自旋分离的"1111"型块材稀磁半导体(La,AE)(Zn,TM)AsO(AE=Ba,Sr;TM=Mn,Fe)居里温度TC可以达到40K.我们研究了载流子和局域磁矩对铁磁有序的调制作用,在(La1-xSrx)(Zn0.9Mn0.1)AsO(x=0.10,0.20,0.30)中,控制Mn的浓度为10%,改变Sr的掺杂浓度,当Sr的掺杂量为10%时,我们可以观测到～30 K的铁磁转变温度;而当Sr的掺杂量达到30%时,铁磁转变温度和有效磁矩都大幅度地降低.我们运用缪子自旋共振和中子散射等微观测量手段研究了该系列材料的自旋动力学,缪子自旋共振的测量表明铁磁有序转变发生在整个样品内,即样品是块材稀磁半导体;缪子自旋共振测量得到的"1111"型稀磁半导体静态局域场振幅as与居里温度TC的关系和(Ga,Mn)As,"111"型Li(Zn,Mn)As,以及"122"型(Ba,K)(Zn,Mn)2As2一致,表明这些体系拥有相同的磁性起源机制.我们对该系列稀磁半导体的研究有利于进一步揭示包括(Ga,Mn)As在内的稀磁半导体的磁性起源机制.     

过渡金属掺杂CuGaS2的磁学性质

应用基于自旋极化的第一性原理系统地对3d过渡金属(TM=V、Cr、Mn、Fe、Co和Ni)掺杂CuGaS2的磁学性质进行理论计算.通过对过渡金属对CuGaS2掺杂,在铁磁状态下取代不同离子(Cu和Ga)结合能的比较,我们发现:过渡金属在CuGaS2中比较容易占据Ga的位置.通过对稀磁半导体(DMS)磁性稳定性的研究,可以发现到:在Cr、Mn掺杂的CuGaS2中,DMS表现为铁磁状态,其居里温度将可能高于(Ga,Mn)As,其他过渡金属掺杂时,DMS则表现为反铁磁状态.并验算了一条判断DMS磁性状态的简单规律.     

IV-VI族稀磁半导体的磁化理论

简单介绍了IV-VI族稀磁半导体的特性。IV-VI族稀磁半导体的自发磁化、矫顽力和居里温度等性质可由载流子浓度调节。对制造技术导致的缺陷反应迟钝用常规制备方法就可以制备IV-VI族稀磁半导体。作为一种磁离子和载流子能被分别导入和控制的稀磁半导体,IV-VI族稀磁半导体有利于研究稀磁半导体中的铁磁特性。给出了IV-VI族稀磁半导体由独立磁离子杂质、相邻杂质相互作用、晶格反磁性和载流子自旋密度四部分作用组成的总磁化强度的各部分的数学表达式。     

用XANES研究Ga_(1-x)Mn_xN稀磁半导体的Mn原子的局域结构

利用基于实空间多重散射的XANES研究了Ga1-xMnxN(x=0.01,0.25,0.10)稀磁半导体中Mn原子的局域结构.结果表明在低Mn含量(摩尔浓度)的Ga0.990Mn0.010N样品中,Mn原子替代了GaN中的Ga,以替位形式存在.当Mn含量增加到0.025时,部分Mn原子处于被4个Ga所包围的间隙位,并与替位Mn原子形成了MnGa-MnI二聚体.当Mn含量进一步增加到0.100时,样品中的Mn原子主要以Mn团簇形式存在.     

用XANES研究Ga1-xMnxN稀磁半导体的Mn原子的局域结构

利用基于实空间多重散射的XANES研究了Ga1-xMnxN(x=0.01,0.25,0.10)稀磁半导体中Mn原子的局域结构.结果表明在低Mn含量(摩尔浓度)的Ga0.990Mn0.010N样品中,Mn原子替代了GaN中的Ga,以替位形式存在.当Mn含量增加到0.025时,部分Mn原子处于被4个Ga所包围的间隙位,并与替位Mn原子形成了MnGa-Mn1二聚体.当Mn含量进一步增加到0.100时,样品中的Mn原子主要以Mn团簇形式存在.     

过渡金属掺杂的I-III-VI_2黄铜矿电磁性质的第一性原理研究

应用自旋极化的第一性原理对过渡金属(TM=V、Cr、Mn、Fe、Co和N i)掺杂的CuGaSe2和CuGaS2进行研究.计算结果表明:Cr和Mn掺杂的I-III-VI2稀磁半导体(DMS)表现为铁磁性质,而V、Fe、Co和Ni掺杂时表现为反铁磁性质.对稀磁半导体的磁矩研究,其结果符合一条简单的规律:当磁性离子3d的t2g轨道完全被占据时,磁性离子的磁矩比理论的期望值小;当磁性离子3d的t2g轨道处于全空时,磁性离子的磁矩比理论的期望值大;而当磁性离子3d的t2g轨道处于部分被占据时,磁性离子的磁矩与理论值的差距主要取决于晶体的对称性和磁性离子的状态.     

过渡金属掺杂的Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2黄铜矿电磁性质的第一性原理研究

应用自旋极化的第一性原理对过渡金属(TM=V、Cr、Mn、Fe、Co和N i)掺杂的CuGaSe2和CuGaS2进行研究.计算结果表明:Cr和Mn掺杂的I-III-VI2稀磁半导体(DMS)表现为铁磁性质,而V、Fe、Co和Ni掺杂时表现为反铁磁性质.对稀磁半导体的磁矩研究,其结果符合一条简单的规律:当磁性离子3d的t2g轨道完全被占据时,磁性离子的磁矩比理论的期望值小;当磁性离子3d的t2g轨道处于全空时,磁性离子的磁矩比理论的期望值大;而当磁性离子3d的t2g轨道处于部分被占据时,磁性离子的磁矩与理论值的差距主要取决于晶体的对称性和磁性离子的状态.     

宽带隙半导体SiC非磁性掺杂研究取得进展

长期以来,过渡元素（Fe,Mn,Co等）掺杂稀磁宽带隙半导体的磁性来源问题一直存在着很大争议．主流观点认为,由于样品制备条件的差异,大多数过渡元素掺杂宽带隙半导体的磁性来源于磁性杂质的干扰或磁性原子在基体形成团簇所致,而不是掺杂材料的本征特性．因此,通过掺杂非磁性元素可以有效地避免磁性杂质的引入,排除磁性杂质的干扰,可以为探讨稀磁半导体的磁性来源提供理想的实验体系．这对深入认识宽带隙半导体中自旋长程有序的机制有着重要学术意义．     

III-V稀磁半导体研究进展

低温分子束外延技术的应用，使高浓度掺杂的Ⅲ-Ⅴ族稀磁半导体得以成功制备，与现代半导体器件兼容．本概要地回顾了磁性半导体的发展历史，介绍了目前的实验，应用及理论进展．     

中国编辑与中国精神

中国社会的发展离不开中国编辑。中国编辑离不开中国精神；以集体主义和社会主义为核心的中国精神。曾经孕育了许多杰出的中国编辑。使中国编辑为中国文化的繁荣和人类文明的进步做出了重大贡献。但是，随着西方文化的传播。以个人主义和资本主义为核心的西方文化精神正在削弱中国精神的影响力。也使中国编辑学界受到了很大的影响，编辑腐败现象更为严重。为此。正直的中国编辑不得不呼唤中国精神，《中国编辑》的产生正是中国编辑学术呼唤中国精神的结果。在《中国编辑》的影响下。我们将会有更多以中国精神武装自己的真正优秀的中国编辑。他们将联络学者，支持学者，进而弘扬中国学术，并为国家振兴和人类幸福做出更大的贡献。     

面向中文问答系统的问句句法分析

中文句法分析是汉语研究和信息处理中的一个关键环节，同时也是难点之一.探 讨了中文问句的结构特征，在面向中文问答系统的问句句法分析算法中，运用语料库句法处理技术，并对问句长度短、含疑问词、有疑问结构句式等特点加以利用，初步实验结果达到了预期目标.     

华裔留学生汉语口语教学浅谈

“口语课”是华文教学中一门主要的技能训练课,从分析华裔学生的学习特点入手,通过对华裔学生学习口语时的障碍与难点的剖析,探讨适合他们的教学方法和教学技巧。     

从《说文解字》中若干汉字看中华钱币文化

汉字是汉文化的活化石,考察汉字能够一窥古人的生活和文化。“贝、布、刀、圜、钱、泉、币”是汉字系统中用来表示钱币的一组字,有的沿用至今,在对它们进行来源分析和使用情况的探索后,可以了解汉先民早期经济活动的部分面貌和质朴的经济思想。     

汉语文白演变与语文辞书编纂

汉语的文白转型形成了一种新的语言体系,导致了中国文化的现代转型,也促成了新式语文辞书的问世和编纂价值取向的古今演变,形成语文辞书收词释义文白雅俗古今中外相融共存的特点.     

从语言对文字的要求的角度看汉字拼音化或一语双文的前途

从语言对文字的要求的角度看 ,汉语必须选择方块汉字 ,在中国搞拼音化或一语双文是毫无前途的。     

UniversityJournal of Dalian

erature of Chinese Communist PartyLiterature of Chinese Communist PartyLiterature of Chinese Communist PartyLiterature of Chinese Communist PartyLitera     

汉语自动分词中中文地名识别

以词语级的中文地名为识别对象,根据地名内部用字的统计信息和地名构成特点产生潜在地名．在汉语自动分词中将可信度较高的潜在地名等同于句子的候选切分词,利用候选切分词本身的可信度和上下文接续关系评价句子的各种切分方案．在确定句子最佳切分时识别句子中的中文地名．对真实语料进行封闭和开放测试,封闭测试结果为召回率93．55％,精确率94．14％,F-1值93．85％;开放测试结果为召回率91．27％,精确率73．48％,F-1值81．42％．取得了比较令人满意的结果．