一维周期和非周期体系的电子带谱及态密度

本文发展了一种重正化群方法,精确而系统地研究包含周期和非周期格子的一维体系的物理性质.该一体系的构造序列是选A、B两块并按膨胀规则{A、B}→{A~(m11)B~(m12),A~(m12)B~(m22)}排列成的.作为特例,计算了(M_(11),M_(12),M_(21),M_(22))=(1,1,1,0)(1,1,1,1)(1,2,1,1)和(2,1,1,1)几种一维格子的电子带谱和态密度,结果表明,较之其他方法,该方法具有系统性,而且分析结果与其他类似。     

准周期Fibonacci不等能格点链的hopping电导

考虑格点能的客观差异,从Miller- Abrahams 理论推导出一个实际应用方程.利用实空间重正化群方法研究了Fibonacci 准晶链的温度相关电导.结果发现不等能格点链的hopping 电导与等能格点链的基本相似,但格点能的差值不同可能使电导率虚部的低频峰变成一个谷;而且计算表明高低频电导率有两种不同的温度依赖性,并且跃迁率、格点能、格点距离及费米能对温度相关电导有不同的影响     

一维简单晶格声子非线性局域态

利用量子相干态表象和多重尺度与准连续近似方法,研究了考虑格点间相互作用势展开至4阶项的一维简单晶格模型,求得了该晶格系统脉冲与扭结2种包络形式的声子非线性局域态,与用经典方法研究同一系统所得结果一致。     

纳米结构体系的物理性质：重正化群研究

发展重正化群格林函数方法,计算了纳米结构体系的粒度分布、界面结构等对其声子态密度的影响．结果表明,粒度分布对纳米结构体系声子性质有重要影响,但不造成频移,造成纳米结构体系频移的因素是因尺寸变小时的结构畸变．     

重整化群方法在一系列一维准晶中的应用

通过引入2n(n+m-1)+1个重整化群变换.计算了一系列一维泛Fibonacci格子在任意格点的局部格林函数和局部态密度。     

关于子基的局部连通性

利用关于子基的开集这个概念,本文定义关于子基的局部连通和关于子基的局部道路连通,探讨它们的性质,推广了一般拓扑学中的相应结果.     

量子阱中极化子的速率对声子平均数的影响

采用Tokuda改进的线性组合算符法和幺正变换法，研究了量子阱中极化子的性质．导出了量子阱中极化子的声子平均数与速率的关系．数值计算结果表明：量子阱中强弱耦合极化子的声子平均数均随极化子的速率的增加而增加．     

GaN基量子阱结构的界面光学声子及其电声相互作用性质的研究

GaN基量子阱结构在光电子领域具有较为重要的应用前景,理解其物理性质是加快应用的关键之一.研究了GaN基量子阱结构的光学声子特性及其电声相互性质,给出了GaN基量子阱结构中光学声子及其电声相互作用的基本理论,分析了影响界面光学声子的频率和电声耦合强度的相关因素,并对纤锌矿Al0.8Ga0.2N/GaN/Al0.8Ga0...     

量子阱中极化子的性质

给出声子分布函数的解析表达式,并利用该表达式和Ｌｅｅ－Ｌｏｗ－Ｐｉｎｅｓ（ＬＬＰ）变分方法计算极性晶体板中极化子的基态能量,与自恰的数值结果进行比较,结果吻合。     

纳米一维单原子晶体的原子均方速度

应用格林函数理论,推导了纳米一维单原子晶体颗粒的原子均方速度公式。数值计算结果表明,在有限温度下微粒表面原子的均方速度比内部原子的要小,微粒内部各原子的均方速度近似相等。随着温度升高,表面原子的均方速度升高更快,在高温极限下所有原子的原子均方速度都相同,并与温度成正比。微粒尺寸对各原子的原子均方速度几乎没有影响,但随微粒尺寸的增加,微粒中所有原子的均方速度的平均值增加。     

R2中矩形区域上二阶椭圆型方程Neumann问题的广义格林函数

本文讨论二维空间R^2中不适定的矩形区域上二阶椭圆型方程的Neu—mann问题,定义了广义格林函数,并讨论了其正交性质。     

超晶格基元的声子结构

应用Dyson方程推导了超晶格基元的声子格林函数，并以此为基础研究了超晶格基元的声子结构．计算结果表明，由于表面与界面效应，在超晶格基元中，声子能带分裂为一系列微带，在界面耦合力常数较大时，还出现了界面局域声子模．     

分数泛函微分方程边值问题解的存在性(英文)

考虑分数泛函微分方程边值问题D_δ+x(t)+f(t,x_t)=0,0tT,1a2,x_0=φ,x(T)=A,解的存在性.定理的证明主要用到一些不动点定理.     

DNA分子中电子局域性质的温度效应

在有限温度下,通过考虑相邻DNA碱基之间的相对扭转角度对其平衡位置的偏离,借助负本征值理论、无限阶微扰理论及传输矩阵方法,研究了DNA分子的电子局域属性对温度的依赖关系.结果表明,电子的态密度、局域长度均存在强烈的温度效应.电子态密度分布随着温度的变化而变化,体现为态密度曲线中峰的高度消长和位置移动以及能隙的位置迁移和宽度增减.研究还发现存在一个临界温度Tc～250 K,当TTc时,局域长度随温度的升高反而增加,分析系统局域性质的这种奇特温度行为是源于该临界温度上下电子输运机理的不同.     

导数与函数的局部性态

从函数在某点处导数的定义出发,进一步研究了函数导数定义的构造性、函数的局部"线性"性、函数的可导连续性、函数的局部单调性、函数的局部稳定性等函数的局部性态。     

形变的SiGe合金中的深能级

该文对生长在Ｓｉ，Ｇｅ及共合金衬底上形变的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ合金中由替位原子或空位缺陷产生的能级进行了研究。其中形变合金电子的用经验的紧束缚方法进行计算，缺陷能级采用格林函数法进行计算。结果表明，晶格中的形变使原来类的ｐ的Ｔ２能级发生分裂。形变速造成合金的价带有较大的上升，从而使某些杂质的缺陷能级由深能级变为共振能级。