化学共沉淀法制备纳米In2O3粉末

纳米In2O3粉末是一种用途广泛的多功能材料。以金属铟为原料,采用化学共沉淀法制得了氢氧化铟沉淀物。经过干燥,并且在不同温度下煅烧,可以制得纳米In2O3粉末。运用差热分析(DTA)、X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、电阻测试等观测手段对粉末进行了表征。比较系统地研究了热处理温度对粉末性能的影响,得出最适宜的热处理温度为700°C。     

纳米In2O3对鲁米诺电化学发光的增敏作用研究

采用微乳液法、溶胶一凝胶法以及共沸蒸馏法合成了不同粒径的纳米In2O3并进行了透射电镜表征,考察了碱性条件下纳米In2O3对鲁米诺电化学发光的影响。实验结果表明,在碱性条件下,以ITO玻璃为工作电极,纳米In2O3在溶液体系中对鲁米诺的电化学发光有明显的增敏作用,并进一步研究了粒径大小与这种增敏作用的关系,采用紫外一可见和荧光光谱技术讨论了增敏的机理。     

基于In2O3膜HSGFET型功函数O3传感器的研究

本文以In2O3及其混合物为敏感材料，采用悬浮栅结构和功函数方法，研究出可在室温下工作的HSGFET型功函数O3传感器，并给出传感器对O3响应曲线以及实验结果的理论分析等。     

Ba4In2O7纳米棒薄膜的制备与光催化性能

采用溶胶凝胶法在石英基体上制备Ba4（In0.95Cr0.05）2O7薄膜。通过X射线衍射，扫描电镜，紫外漫反射光谱，光照下水溶液中甲基橙降解实验表征材料性能。SEM结果表明薄膜由均匀纳米棒组成，紫外漫反射结果表明材料吸收边为450nm，具有较宽的光谱响应范围。光催化实验表明材料在2h内甲基橙降解率达到76％。由于该材料易于回收再利用，可重复使用，并且其光催化效率可通过材料和光催化反应体系的不断改性来继续提高，因而在光催化方面具有较理想的研究及应用前景。     

In2S3-ZnIn2S4复合结构的光动力抗菌效果研究

通过一步水热法制备的In2S3-ZnIn2S4光动力抗菌试剂,能在可见光照射下产生强氧化性的活性氧(ROS),ROS能够通过不可逆的氧化损伤过程诱导细菌死亡.通过体外亚甲基蓝降解实验探究其光动力产生ROS性能,并以大肠杆菌和金黄葡萄球菌为模型探究其光动力抗菌性能.所制备的花状结构的In2 S3-ZnIn2 S4纳米结构带隙为2.3eV,在可见光照射30min后MB的降解率能达到93％以上,大肠杆菌和金黄葡萄球菌生长完全被抑制,说明In2 S3-ZnIn2 S4可以作为良好的光动力抗菌试剂.     

毛线团状In2O3空心球的合成及其气敏性能研究

采用模板法成功制备了具有介孔结构的毛线团状In2O3空心球,该空心球具有大的比表面积(30.88 m2/g),并研究了苯二甲酸的种类对产物形貌、结构和气敏性能的影响.利用XRD、TEM、FT-IR、DSC-TG和氮气物理吸附对所合成的产物进行表征.结果表明苯二甲酸的种类对最终产物的形貌有显著影响.气敏性分析表明,与其他...     

大黄炮制前后体外抗菌活性比较

为了对大黄及其炮制品(酒大黄)的体外抗菌活性进行初步研究,采用超声法提取,利用滤纸片法,二倍稀释法分别检测MIC和MBC,对大肠杆菌、金黄色葡萄球菌、白色葡萄球菌、枯草杆菌及白色念珠菌五种细菌进行体外抗菌活性研究.结果发现,大黄、酒大黄乙醇提取物对实验菌种都有不同程度的抑菌及杀菌作用,且大黄炮制品(酒大黄)的抗菌效果略好于大黄,并在一定浓度范围中均具有杀菌作用.     

电沉积Sn对In2O3薄膜透光和导电性能的影响

室温下利用射频磁控溅射粉末靶制备In_2O_3薄膜,并在其上电沉积Sn制备Sn/In_2O_3复合薄膜。采用扫描电镜、X射线衍射仪、紫外可见分光光度计和霍尔效应仪等手段表征和分析了复合薄膜的微观结构和光电性能。结果表明:电压为2 V时,制备的Sn/In_2O_3薄膜光电性能最佳,透光率为92.86%,电阻率0.19 mΩ·cm。氧化退火后,3 V电压制备的Sn/In_2O_3复合薄膜电阻率增大,透光率得到明显改善。     

富氧条件下In2O3/Al2O3催化剂C3H6选择性还原NO

以碳氢化合物作为还原剂的选择性催化还原法(SCR)被认为是净化稀燃汽车尾气中NO的最有效途径之一.采用溶胶-凝胶法制备了In2O3/Al2O3氧化物催化剂,对其进行了BET、XRD、XPS及TPD表征. 在固定床反应器上用C3H6作还原剂,考察了不同焙烧温度,H2O及SO2对催化剂活性的影响. 结果发现,催化剂的最佳焙烧温度为600 ℃,在反应温度为400 ℃时,NO最大转化率为95%. 水蒸汽存在下,NO转化活性温度窗口向高温方向移动,NO最大转化率下降到90%,对应的反应温度为450 ℃. 添加φ(SO2)=0.009%后,催化剂在低于350 ℃的区间还原NO的活性得到一定程度的提高,表现出促进作用. 当反应温度大于350 ℃后,催化活性明显下降,NO最大转化率下降到58%.     

In2O3纳米微粒的光学非线性研究

采用水解法制备包覆Ｉｎ２Ｏ３纳米粒子,用Ｚ－扫描技术对其光学非线性折射率进行了研究,通过计算和实验结果比较,发现包覆Ｉｎ２Ｏ３纳米粒子的热效应对非线性响应有主要贡献,包覆Ｉｎ２Ｏ３纳米粒子在可见区有大的有效非线性折射率,预期包覆Ｉｎ２Ｏ３纳米粒子可作为光限幅器件的应用材料。     

纳米TiO2掺杂Fe3O4光催化剂活性的研究

制备了Fe3 O4掺杂纳米TiO2 光催化剂 ,当Fe3 O4量与TiO2 摩尔比为 0 .5 :10 0时 ,在 30 0℃焙烧 ,催化剂用量为 1.0g·L-1时对甲基橙的水溶液分解效果最佳。SEM、XRD及紫外 -可见光谱分析表明 ,纳米粒子均匀 ,平均粒径 80nm ,有一定团聚 ,掺杂催化剂有一定红移。研究了掺Fe3 O4量 ,焙烧温度 ,溶液的pH值 ,溶液的体积 ,氧化剂的加入等对催化剂降解的影响。紫外光辐射实验表明Fe3 O4的掺入对光催化降解率有一定的提高 ,反复使用不降低催化剂的活性。     

喙尾琵琶甲提取物体外抗菌作用研究

目的:研究喙尾琵琶甲不同极性组分的抗菌活性,筛选出抗菌活性部位。方法:通过硅胶柱层析得到不同极性的组分,采用试管稀释法测定不同组分对6种临床常见的病原菌的MIC及MBC。结果:乙酸乙酯、丙酮洗脱组分有较好的体外抗菌作用,乙酸乙酯组分活性强于丙酮组分;石油醚、氯仿、甲醇组分对所测菌株没有体外抗菌作用。结论:喙尾琵琶甲提取物具有良好的体外抗菌作用,乙酸乙酯组分为体外抗菌活性部位。     

单分散纳米氧化铋的制备

以硝酸铋、氢氧化钠为原料,采用化学沉淀法直接合成了纳米氧化铋粉体.利用X射线衍射仪、激光粒度分析仪、透射电镜、化学分析法等对合成的纳米氧化铋粉体的结构、形貌、粒度、成分等进行了表征,研究了反应温度、反应时间、反应物浓度、表面活性剂等因素在制备纳米氧化铋粉体时对产物粒径和产率的影响.研究结果表明:采用化学沉淀法制备纳米氧化铋粉体时在Bi(NO3)3质量浓度为300 g/L, 油酸和十二烷基硫酸钠作表面活性剂, 反应温度为90 ℃,反应时间为2 h时,产率达99%,产物为α-Bi2O3,纯度达99.5%;颗粒均匀,呈球形,分散性很好,平均粒径约为60 nm.     

单质铟在空气中原位热氧化合成氧化铟纳米锥

以Au作催化剂，将金属铟在空气中加热到900-1000℃，在单质铟表面制备出In2103纳米锥．纳米锥的直径随着加热时间的延长和反应温度的升高而增加．采用拉曼光谱、扫描电镜和透射电子显微镜对产物进行了表征分析．结果表明，产物为立方相单晶结构的In2O3纳米锥，其直径和高度分别在0．08～0．7μm和0、5～3．1μm范围可调，且金作为催化剂在纳米锥的生长过程中起了非常重要的作用．基于此研究结果，提出了纳米锥的可能生长机理     

纳米Cu2+/TiO2复合材料的抗菌性能研究

采用溶胶凝胶法制备了不同掺杂量的纳米Cu2 /TiO2复合材料,研究其无紫外光照射时的抗菌性能.结果表明,n(Cu):n(Ti)=1:50～1:10时,纳米Cu2 /TiO2复合材料无需紫外光照射均具有较强的抗菌性能,对大肠杆菌和金黄葡萄球菌产生透明抑菌圈,直径为6～26 mm.适量掺杂时以催化机理杀菌,过量掺杂时以溶出机理杀菌.     

无团聚Al_2O_3－ZrO_2复合纳米粉末的制备及机理

共沸蒸馏法制备了无团聚Ａｌ_２Ｏ_３－ＺｒＯ_２复合纳米粉末。用红外光谱研究了正丁醇脱水剂与Ｚｒ（ＯＨ）_４－Ａｌ（ＯＨ）_３凝胶的表面化学键。ＴＥＭ观察该复合粉末的平均粒径约２０ｎｍ，无硬团聚形成，干压成型的坯体气孔呈单峰分布，只有一次颗粒间气孔。烧结温度比未处理的粉末降低了３００℃，经１３００℃保温４ｈ的烧结体相对密度达０．９７７５，平均晶粒尺寸０．２μｍ。共沸蒸馏消除团聚的机理是由于正丁醇脱除了氢氧化物颗粒间水分而降低了干燥时产生的毛细管力，且氢氧化物颗粒表面与烷氧基形成物理吸附，消除了水分子氢键在颗粒间的架桥作用。     

基于可控Cd掺杂In2O3纳米线的电学特性研究

文章利用化学气相沉积法合成了不同摩尔比的Cd掺杂的In2O3纳米线,制备了基于单根In2O3纳米线的底栅场效应晶体管,并研究了其电输运特性。结果表明,相对未掺杂的In2O3纳米线,In2O3∶Cd纳米线的电导率有1～2个数量级变化,载流子迁移率高达58.1cm2/(V.s),载流子浓度高达3.7×1018 cm-3。可控Cd掺杂In2O3纳米线将在纳米光电子器件方面有着广泛的应用前景。     

单源化学气相沉积法制备In2O3纳米线

以乙酰丙酮合铟[In（acac）3]（acac=acetylacetonate）作为单源前驱体,Au为催化剂,采用化学气相沉积法,于较低温度（550℃）下成功制得了In2O3纳米线．用X射线粉末衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）和能量分散光谱（EDS）对In2O3纳米线进行了表征;制得的In2O3纳米线具有单晶结构,平均直径约为80nm,长度达十几微米,其生长服从气一液一固机理．光致发光研究发现,In2O3纳米线在483nm处有一个强的发射峰,这可归因于氧空位的存在．     

Fe掺杂In2O3薄膜的微结构与磁、输运性能

采用磁控溅射方法制备Fe掺杂In2O3基稀磁半导体(DMS)薄膜.通过XRD、XPS和XANES分析,确定Fe掺杂In2O3薄膜中没有出现Fe团簇以及Fe的氧化物第二相,Fe元素是以Fe2+和Fe3+的形式共同存在.通过输运特性ρ-T和HALL分析确定Fe掺杂In2O3薄膜的载流子浓度约4×1018cm-3,且Fe的掺杂并未改变In2O3的半导体属性.SQUID磁性测试显示Fe掺杂In2O3样品具有明显的室温铁磁性,铁磁性可以由束缚磁极子模型或双交换机制来解释.