有效电容可调的单相电容电动机

为了使单相电容电动机具有良好的起动性能和运行性能，与副绕组串联的电容器需要不同的电容量。现在最普遍的作法是配置二只电容器，一只用于改善起动性能，另一只用于改善运行性能。本文阐述应用电子开关周期短接电容器，以获得可调的有效电容，从而达到上述目的的原理及方法。该法只需用一只电容器即可同时改善起动和运行性能．在２５０Ｗ．４极电容电动机上试验结果，与应用二只电容器的方法相比较，具有相近的起动性能。     

金刚石薄膜电容的欧姆接触

用本征金刚石薄膜制备的电容具有高储能，高击穿电压，耐高温，基本电阻可调节以及良好的化学稳定性等特点.金属与金刚石薄膜形成欧姆接触是电极金属的选取是制备金刚石薄膜电容的重要一步.本文主要研究金刚石薄膜的欧姆接触及其I-V曲线.     

GSFX-120薄膜电容测试分选机的结构设计

CSFX-120薄膜电容测试分选机的最大特点是采用一个动力源带动凸轮完成各种复杂的动作.通过介绍CSFX-120薄膜电容测试分选机的工作原理、性能指标,着重对分选机机械结构设计及关键技术难点进行了阐述,并对已批量生产的电容分选机市场前景进行了展望.     

异常电容器的电容分析

本文用保角变换法、复位函数法分析异常电容器的电容，证明了电容器几何形状和排列对电容器的电容影响。     

异常电容器的电容分析

用保角变换法、复位当分析异常电容器的电容，证明了电容器几何形状和排列对电容器的电容影响。     

CSFX-120薄膜电容测试分选机的结构设计

CSFX-120薄膜电容测试分选机的最大特点是采用一个动力源带动凸轮完成各种复杂的动作。通过介绍CSFX-120薄膜电容测试分选机的工作原理、性能指标，着重对分选机机械结构设计及关键技术难点进行了阐述，并对已批量生产的电容分选机市场前景进行了展望。     

采用SPWM电容的单相电机研究（I）

提出了一种用ＳＰＷＭ逆变电容替代单相双值电容电机中常规电容的方案。定性分析表明此方案取消了原电机中的离心开关，为电动机提供可连续变化的电容，使电机获得接近圆形的旋转磁场，且这种特点不随工作点的变化而变化，因而改善了电机性能，并为电机设计提供灵活性。     

叠层薄膜电容划切机的电气控制

叠层薄膜电容划切机是薄膜电容器生产工艺中的重要设备之一.介绍了叠层薄膜电容划切机在研制中所涉及的电气控制方面的技术,并对整机的工作原理、特性、技术创新等做了详细阐述.     

铁电薄膜电容率与厚度的关系研究

从热力学理论出发，计算了铁电薄膜电容率与厚度的关系，并对所得结果进行了讨论。     

金刚石薄膜电容的欧姆接触

用本征金刚石薄膜制备的电容具高储能，高击穿电压、耐高温，基本电阻可调节以及良好的化学稳定性等特点。金属与金刚石薄膜形成欧姆接触是电极金属的选取是制备金刚石薄膜电容的重要一步。本文主要研究金刚石薄膜的欧姆接触及其I-V曲线。     

碳纳米管薄膜电极电容去离子研究

采用低压化学气相沉积方法制备碳纳米管薄膜电极，研究碳纳米管薄膜的电容去离子行为.碳纳米管薄膜主要由中孔和部分大孔组成，适合电容去离子应用.详细研究了工作条件（流速、电压）和离子特性对碳纳米管薄膜电容去离子性能的影响.结果表明：电极电压越高，除盐率越高；存在一个最佳流速，此时除盐率最高；离子半径越小，电荷越小的离子，更容易吸附.     

聚酰亚胺薄膜电容栅FET湿度传感器的研制

一种聚酰胺（ＰＩ）薄膜电容栅ＦＥＴ微型湿度传感器已经初步研制成功。这是一个ｎ沟道壁强型器件，具有曲折栅结构，沟道长约１０μｍ，宽〉８０００μｍ；栅区绝缘层厚约３３０００Ａ（ＳｉＯ２＋Ｓｉ３Ｎ４）；一个ＡｕＰＩ－Ａｌ纵向湿敏电容覆植于绝缘栅上，本文叙述了该ＰＩ－ＨＵＭＦＥＴ的结构设计，工作原理和主要性能，对某些有关问题进行了初步讨论。     

N-掺杂石墨烯薄膜的超电容性质研究

采用自组装/源位还原法相结合制备了自支撑褶皱N-掺杂石墨烯薄膜。运用场发射扫描电镜、X射线粉末衍射和光电子能谱仪等表征手段对所制备的韧性薄膜进行了表征。电化学性能测试表明所制备的N-掺杂石墨烯薄膜具有良好的超电容特性:在1 A/g的电流密度下,其比容量为210 F/g;当电流密度增加10倍时,仍然具有初始容量的71.0%。在5 A/g的电流密度下循环1 000次后比容量值为原来的95.3%。     

梯形电容网络的等效电容

通过递推关系和相应的初始条件,给出了梯形电容网络总等效电容随级数n变化的具体表达式,并通过讨论指出:当网络级数n足够大时,等效电容总可以趋近于一个与负载电容C0无关的稳定值;只有当网络中的C1、C2都很小,且级数n不太大的情形下,负载电容C0的影响才显著.     

SrTiO3晶界层电容陶瓷的介电性能与晶粒大小的关系

采用二次烧结法制备SrTiO_3(STO)多晶陶瓷,研究瓷片介电性能与烧结温度和晶粒大小的关系.实验结果表明,STO晶粒尺寸随烧结的温度呈现先升高后下降的变化,相应的介电常数与晶粒变化类似,即随着温度升高先升后降.在保证还原性气体比例不变的条件下,STO瓷片的介电性能在1 440℃烧结2 h时达到最佳,介电常数为24 000,损耗在0. 02左右,温度系数小于20%.该结果基本达到Ⅲ类瓷技术标准,可广泛用于低频高介电路中.     

电容层析成像中微小电容检测的研究

本文对几种微小电容检测的方法进行了探讨，详细地阐述了交流电桥法微小电容检测的原理，提出并了一种交流型电容测量电路，其电路硷定性：信噪比、分辨率部比充／放电直流型转换电路的高。该电路能抑制杂散电容的干扰，能测量微小电容的变化。     

IGBT模块在薄膜电容分选机中的应用

绝缘栅双极晶体管(IGBT)因其性能优越、控制方便而广泛应用于电源、变频调速装置和电动汽车等领域.介绍了绝缘栅双极晶体管(IGBT)在薄膜电容分选机中的应用情况,分析了IGBT在实际应用中应注意的问题.     

采用SPWM电容的单相电机研究（Ⅰ）

提出了一种用ＳＰＷＭ逆变电容替代单相双值电容电机中常规电容的方案．定性分析表明此方案取消了原电机中的离心开关，为电动机提供可连续变化的电容，使电机获得接近圆形的旋转磁场，且这种特点不随工作点的变化而变化，因而改善了电机性能，并为电机设计提供灵活性．