首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到18条相似文献,搜索用时 78 毫秒
1.
2.
研究多原子晶体中强耦合表面极化子的性质.采用Tokuda改进的线性组合算符和幺正变换方法导出了表面极化子的振动频率和声子平均数,讨论了多原子晶体中强耦合表面极化子的振动频率和声子平均数与拉格朗日乘子u和电子一声子耦合参数α的关系.结果表明:表面极化子的振动频率λ和声子平均数N随耦合参数α和拉格朗日乘子u的增加而增加.  相似文献   

3.
研究多原子极性晶体中强耦合表面极化子内部激发态的性质 ,采用线性组合算符和么正变换方法计算多原子极性晶体中强耦合表面极化子的第一内部激发态的能量  相似文献   

4.
本文利用不等式讨论了界面极化子的温度关系。强耦合界面极化子的基态能量、状态州半径及有效质量均与温度有密切关系。界面极化子只能存在于静态介电常数较小的一侧。  相似文献   

5.
6.
本文采用线性组合算符法,在强耦合范围内讨论了N维极性晶体中光学大极化子的基态,导出了极化子的基态能量和有效质量.  相似文献   

7.
8.
有些极性晶体,电子与表面光学声子(SO)耦合强,与表面声学声子(SA)耦合弱,本文采用线性组合算符方法,导出了极性晶体中声学形变势表面极化子的振动频率和有效哈密顿量,并对两种极限情况进行了讨论。  相似文献   

9.
极性晶体膜中极化子的性质   总被引:1,自引:0,他引:1  
使用格林函数法研究在极性晶体膜中极化子自能的一些性质.对GaAs进行了计算,结果表明:在绝对零度时,极性晶体膜中电子与体纵光学声子相互作用能的绝对值随极性晶体膜的厚度的增加而增加,随后几乎保持不变.  相似文献   

10.
本文计及电子发射和吸收多个虚声子对极化子的影响,用改进了的线性组合算符法讨论了极性晶体中的慢速运动极化子的性质,给出了极化子基态能量,有效质量和围绕电子的平均虚声子数的解析式,在极限情形下,得到了中间耦合理论和强耦合理论的结果,在普适耦合情形,给出了数值计算结果,在电子-声子耦合常数α≥7.2时,得到了较强耦合理论更为合理的基态能量上限,以及围绕电子的平均虚声子数和极化子的有效质量。  相似文献   

11.
12.
本文同时计及电子一体纵光学声子及电子一面光学声子的作用,采用LLP变分法及变分微扰法,导出了膜内束缚极化子基态和激发态能量与温度的关系以及束缚极化子有效质量与温度的关系。  相似文献   

13.
多原子极性晶体中极化子质量的重正化   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文研究多原子极性晶体中与声子任意强度耦合极化子的性质,采用线性组合算符和拉格朗日乘子法,分別导出了在强、弱耦合情形下极化子的有效哈密顿量,得到了强、弱耦合极化子的重正化质量。  相似文献   

14.
本文利用Huybrechts的线性组合算符法和一简单的么正变换研究了极性晶体内强耦合磁极化子的特性。导出了磁极化子的基态能量和回旋共振频率。并对晶体作了数值计算,从而对强耦合晶体进行了定量的探讨。结果表明:磁极化子的基态能量随磁场B的增加而减少,回旋共振频率随磁场B的增加而加大  相似文献   

15.
采用线性组合算符和变分法研究了极性晶体中激子与IO声子强耦合、与LO声子弱耦合体系的基态能量,推导出了激子的自陷能和诱生势的表达式,并以AgCl/AgBr晶体为例进行了数值计算。结果表明,轻空穴激子的自陷能不仅与激子的坐标z有关,而且电子—空穴间距离ρ对激子自陷能的影响也十分显著;轻空穴激子和重空穴激子的诱生势不仅与电子—空穴间距离ρ有关,而且激子距离晶体界面的位置z对诱生势的影响也十分显著。  相似文献   

16.
采用Huybrechts线性组合算符法和变分法,研究了极性膜中电子与LO声子和SO声子均为弱耦合极化子自陷能的温度依赖性。  相似文献   

17.
研究了压电晶体中表面极化子的性质.首先用微扰法导出了压电晶体中表面极化子的有效哈密顿量,有效质量以及电子-表面声学声子作用的有效势,进而用变分法计算了表面态能量.研究结果指出:表面极化子的自陷能、有效势和有效质量不仅与压电常数、质量密度、声速、声子的德拜波数有关,而且也与电子至表面的距离有关.随着电子远离晶体表面,有效势、有效质量逐渐减小.压电晶体中电子-声学声子作用诱生的有效势是库仑型的,它使电子的能级降低,形成表面态.  相似文献   

18.
采用改进的线性组合算符和幺正交换方法研究极性晶体中极化子的性质.导出了极性晶体中极化子的声子平均数与极化子的速度的关系.通过RbCl和AlSb晶体进行数值计算,结果表明:极性晶体中强弱耦合极化子的声子平均数均随极化子的速度的增加而增加.  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号