500kV自耦变压器直流偏磁振动特征提取与模式识别方法研究

为了对自耦变压器直流偏磁进行有效检测,以变压器振动加速度信号为观测量,对比分析了直流偏磁前后500kV自耦变压器振动加速度频谱的变化特性,提出了奇偶次谐波比、频谱复杂度以及小波包能量等原始特征参数,利用主成分分析方法对原始特征参数去相关处理,采用最小二乘支持向量机的方法对直流偏磁主特征进行了模式识别。结果表明,直流偏磁对变压器振动时频特性影响显著,采取中性点电容隔直措施后,自耦变压器仍然存在较为严重的直流偏磁问题,所提出的原始特征参数能够有效反映变压器直流偏磁状态,利用主成分分析方法显著降低了特征空间维数,采用最小二乘支持向量机的方法能够实现自耦变压器直流偏磁主特征的模式识别,通过核函数参数对调整,识别准确率可达100%。所提出的方法为变压器直流偏磁的有效检测提供了技术支持。     

磁泡点阵的形成条件

实验研究了磁泡点阵的形成条件,发现石榴石磁泡薄膜样品在系列脉冲偏场作用下可以形成规则的泡阵,泡阵呈六角密排结构.形成泡阵的条件与脉冲偏场的幅度和脉冲宽度有关,存在一个与材料参量相关的阈值脉冲宽度,只有大于此阈值时才能够得到泡阵.对于某一直流偏场,形成泡阵的脉冲幅度不随脉冲宽度变化.直流偏场和脉冲偏场联合作用下形成泡阵的条件:脉冲幅度与直流偏场的Hb和为条泡转变场.还进一步探讨了脉冲宽度和脉冲频率对泡阵形成的影响.     

硬磁畴动态特性的进一步研究

实验研究了直流偏场为0时形成的枝状畴的一些动态特性,发现由这些枝状畴形成的硬磁畴均顺时针转动,通过与固定直流偏场下形成的硬磁畴的转动状态的比较,首次证明脉冲偏场上升沿和下降沿对形成的VBL所起的作用是不同的.     

实际工况下磁控饱和电抗器的振动研究

在不同的直流偏磁下,硅钢片会表现出不同的磁化特性以及磁致伸缩特性。为了研究实际工作状态中磁控饱和电抗器的振动,对不同直流偏磁下硅钢片的磁化特性和磁致伸缩特性进行测量。并基于测得的本构关系,建立磁控饱和电抗器的电磁-机械多场耦合模型。考虑铁心的电磁力和硅钢片的磁致伸缩效应,进行磁控饱和电抗器在不同直流偏磁下电磁场和机械场的数值计算,以得到磁通密度、应力和振动的分布情况以及直流偏磁程度对磁控饱和电抗器振动的影响,进而分析电抗器不同位置的振动情况,为减少磁控饱和电抗器的振动噪声提供有力的理论依据与计算方法。     

电场作用下海马锥体神经元等效应建模

为解决电磁刺激治疗癫痫神经疾病的有效性和安全性等问题,建立了容易引起癫痫发作的海马CA3区锥体神经元在外电场刺激下的等效应模型,并通过Matlab 数值仿真,分别研究了其在直流和交流外电场作用下的动力学特性。仿真结果表明,神经元的放电频率受到直流电场强度的调制,特别对电场的方向比较敏感。当电场为负向时,电场强度的变化对神经元的动力学特性影响明显,当电场为正向时,影响不明显;在交流电场刺激下,神经元的动力学特性改变具有外部电场频率依赖性,不同频率刺激下神经元会出现周期簇放电、同步放电、周期峰放电和混沌放电等状态。据此可指导医生制定更为有效安全的神经疾病电磁刺激治理方案。     

面内场作用下第一类哑铃畴的条泡转变与直流偏场关系的…

本文研究面内磁场作用下第一类哑铃畴的条泡转变与固定直流偏场（Ｈｂ）ｆ的关系。实验结果显示：（１）使ＩＤ发生条泡转变包需的面内场（Ｈｉｐ）ｓｂ随所高定的直流偏场（Ｈｂ）ｆ的增加而减小；（２）存在一个特征直流偏场（Ｈｂ）ｆ１，当（Ｈｂ）ｆ１时，在面内场     

直流偏场和面内场作用下ID畴壁中VBL链的消失

研究了直流偏场和面内场联合作用下第 类哑铃畴畴壁中 VBL链的消失 ,即软化过程 .实验发现 ,当直流偏场 Hb>Hsb′时 ,第 类哑铃畴的起始软化面内场 (Hip) OHB和临界面内场 Hip′的数值都比不加直流偏场时的数值低 ,并且随着直流偏场的增加而减小     

采用可削减直流偏磁集成磁件Cuk变换器的结构简化

在开关电源中存储和传递直流功率,会在其磁性元件中产生较大的直流偏磁,限制了磁件铁芯利用率和开关电源性能的提高,而现有可削减直流偏磁Cuk变换器存在元件多、结构和控制复杂等问题,为了研究一种既可以削减磁性元件的直流偏磁,又可以使电路拓扑结构简单的开关变换器,在分析可削减直流偏磁Cuk变换器原理的基础上,提出了一种采用可削减直流偏磁集成磁件Cuk变换器的简化结构,分析了集成磁件的工作状态,进行了电路仿真和实验研究,使经过简化的电路比原电路减少了一条包括电容和开关器件的支路,并将可控开关器件由四个减少为一个,仿真和实验验证了提出的采用可削减直流偏磁集成磁件Cuk变换器的简化结构是可行的.     

基于行波衰减理论的多端直流网络故障定位

摘 要 多端环型直流系统中,线路发生故障时,故障行波传播到故障线路端点的行波记录仪存在多种路径。若故障行波到达故障线路两端行波记录仪的最短路径不是沿着故障线路向两端传播的,而是经过相邻线路向端点传播的,传统上利用初始行波进行故障定位的方法不再适用,存在盲区问题。为解决盲区问题,研究了行波的衰减特性。故障行波经相邻线路到达故障线路的行波记录仪时,受线路分支的影响,行波的波头幅值发生衰减,而沿故障线路直接传播时,未经过分支行波波头幅值变化大。因此,提出了基于行波衰减理论的多端直流网络故障定位方法。另外,根据波速随频率变化特性,提出参考波速的想法和在线测量波速的方法。在PSCAD中搭建四端直流输电线路模型,调整故障类型以及故障位置进行仿真分析,结果表明此方法可以实现快速在线定位,可见所提方法解决盲区问题的适用性及准确性。     

交直流输电系统的模式分析和直流阻尼控制

给出了一个含3条直流线路的交直流输电系统以用于直流阻尼控制的研究,采用特征值分析法和暂态仿真分析了该系统的特性.该系统具有结构复杂、振荡模式多的特点,这些特点广泛地存在于实际的交直流输电系统,在设计直流阻尼控制器时必须予以考虑.文中基于该系统设计了多个直流阻尼控制器.根轨迹分析表明,直流线路两端的频率差在相位补偿设计方面比交流联络线的有功功率变化量具有更多的优点,因而被选为直流阻尼控制器的输入信号.暂态仿真结果表明所设计的直流阻尼控制器有效地增加了系统的阻尼.     

级联H桥型多电平逆变器中变压器偏磁抑制控制方法研究

为了抑制级联H桥型逆变器连接变压器时存在的变压器偏磁现象,通过对变压器偏磁现象的形成机理研究,发现变压器原边电压和副边电流的直流分量是造成变压器偏磁现象的主要原因。根据变压器偏磁原因,提出了几种通过抑制逆变器滤波电感电流中直流分量来消除原边电压直流分量的控制策略。通过对比分析发现,电压反馈辅助以滞环控制器和检测电感电流的偏磁抑制控制器的控制策略动态响应较快,偏磁抑制比较彻底。在样机平台上进行了实验,结果表明,偏磁抑制控制器的控制策略可以完全消除级联H桥型逆变器的变压器偏磁现象,并且在投切电阻负载实验中,电压恢复时间仅在20ms以内。     

面向场对处于直流偏磁场压缩状态下的ⅡD畴壁中布…

实验研究了面内场Ｈｉｐ对处于直流偏场Ｈｂ压缩状态下ⅡＤ畴壁中的垂布洛赫线链的影响，发现存在一个阈值直流偏场口口口口Ｈｂ）ｔｈ，当Ｈｂ〈（Ｈｂ）ｔｈ时，使ⅡＤ开始转变为ＩＤ、ＯＨＢ和ＳＢ的临界面内场     

直流偏磁下变压器绕组及垫块振动特性分析

直流偏磁使得变压器绕组振动加剧,目前采用将绕组简化为忽略垫块结构的圆柱模型的建模方法误差较大.建立包含垫块的线饼式绕组精细化模型,通过电磁场-结构场-流体场多物理场耦合的方法,在对直流偏磁下变压器磁场分布进行分析的基础上,对绕组及垫块的振动位移特性进行研究且进行实验验证.结果表明:直流偏磁下变压器漏磁增加且在特定角度分...     

400Hz正弦波逆变电源偏磁控制系统研究

研究了单相桥式正弦波逆变电源产生直流偏磁的原因,对输出变压器产生偏磁的各种情况进行了深入分析,充分地考虑了控制电路、主电路开关管特性不一致、驱动电路、调理电路以及负载扰动对变压器的影响,提出了一种新的偏磁控制系统.实验结果表明,该系统能消除逆变电源各部分所引起的直流偏磁,在400 Hz正弦波逆变电源中具有较高的实用价值.     

特高压直流输电对交流电网变压器的影响

本文以糯扎渡-鹤山±800 kV特高压直流输电系统为研究对象,分析了特高压直流输电系统采用单极大地方式运行时直流偏磁产生的原因及对交流变压器本身和电网的影响,对流过变压器绕组直流电流大小的相关问题进行了讨论,并结合目前江门电网的情况提出几点抑制流入变压器中性点地中直流的措施。     

直流偏场和面内场作用下OHB的条泡转变

实验研究了直流偏场和面内场共同作用下,液相外延石榴石磁泡膜中普通硬磁泡的条泡转变现象.实验表明,在室温下所有硬磁泡经条泡转变后存在2个特征偏场(Hb)Ⅰ和(Hb)Ⅱ,当Hb≤(Hb)I时,条泡转变后的泡畴全是软泡,当Hb≥(Hb)Ⅱ时,条泡转变后的泡畴全是硬磁泡.随着直流偏场的升高,普通硬磁泡的最小条泡转变面内场和最大条泡转变面内场逐渐降低.     

聚合物分散液晶全息光栅红外波段电光调制的特性

研究了聚合物分散液晶全息光栅在1 550 nm红外通信波段的电光调制特性，定性分析了不同驱动电压和不同频率的调制电场在红外波段上对聚合物弥散液晶全息光栅衍射效率和透射效率的影响.通过电介质理论，解释了交变调制电场的频率会改变聚合物弥散液晶全息光栅的介电常数，从而对电光调制的效果产生影响；验证了聚合物弥散液晶全息光栅作为红外光通信掺铒光纤放大器增益均衡器的可行性.     

脉冲偏场对形成正,负VBL的影响

实验研究了哑铃畴在固定旋转脉冲偏场作用下的特性，发出了影响正，负ＶＢＬ形成的条件，对于固定直流偏场下得到的硬磁畴，认为正，负ＶＢＬ的形成，只与硬化脉冲偏场的脉冲宽度（τｐ）ｂ有关。     

脉冲偏场对形成正、负VBL的影响

实验研究了哑铃畴在固定旋转脉冲偏场作用下的特性，发现了影响正、负ＶＢＬ形成的条件，对于固定直流偏场下得到的硬磁畴，认为正、负ＶＢＬ的形成，只与硬化脉冲偏场的脉冲宽度（τｐ）ｂ有关。     

变压器直流偏磁现象及其抑制措施

对变压器直流偏磁产生的原因及影响进行了分析,对现有的直流偏磁抑制措施及其优缺点分别进行了阐述,并对直流偏磁的研究方向进行了展望。