掺镧氟化钡晶体的闪烁光慢成分抑制特性

研究不同掺Ｌａ浓度下ＢａＦ２闪烁晶体的慢成分抑制特性对于该晶体的实际应用具有十分重要的意义，通过同步辐射闪烁光衰减时间谱和Ｘ光激发发射光谱的测量，系统地获得了在掺Ｌａ含量小于或等于１％（质量百分比）范围内国产ＢａＦ２；Ｌａ闪烁晶体的快、慢成分抑制比，两种独立方法的实验结果基本吻合。     

掺锂塑料闪烁体的制备与性能

为了提高塑料闪烁探测器对低能中子的探测灵敏度,可在塑料闪烁体中引入热捕获截面积较大的6Li。通过酸碱中和反应合成了甲基丙烯酸锂,对其进行了结构表征,随后将其溶解到甲基丙烯酸中,并将甲基丙烯酸溶液转移至溶有第一闪烁物质和移波剂的苯乙烯溶液中,通过热聚合的方法制备出掺锂塑料闪烁体。所得闪烁体的最大掺锂质量分数为0. 89%,且随着掺锂量的增多,闪烁体的荧光性能逐渐降低;相对于蒽晶体,最大掺锂量的闪烁体的光产额为46. 27%;最大掺锂量塑料闪烁体的衰减时间为1. 64 ns。     

质子辐照后的KNbO3晶体的光折变响应特性

实验研究了质子辐照的KNbO₃晶体随光强变化的光折变响应特性,并测量了其光折变时间常数。实验结果揭示出在质子辐照后的KNbO₃晶体中存在着2种不同的光栅,其一是慢成分,是由晶体本身的光折变效应所产生;另一个则是快成分,是由于质子辐照后所产生的辐照效应。实验结果还反映出这2种光栅是由2种不同种类的载流子产生的。     

LaCl3:Ce晶体的拉曼光谱

掺铈氯化镧(LaCl3:Ce)闪烁晶体具有高光输出和快衰减特性,是目前作为甄别γ射线和中子、精确测量γ射线能量的最佳闪烁晶体。测量研究LaCl3:Ce的结构及振动模式有着重要的意义,在简单介绍有关拉曼散射基本理论,对氯化镧晶体结构与振动模式分析的基础上,利用实验测定结果讨论掺铈对氯化镧拉曼光谱的影响。     

掺铑BaTiO3晶体的二波耦合特性

以ＢａＴｉＯ３：Ｒｈ晶体中的相向和前向二波耦合特性进行了实验观测，并进行了理论分析。结果表明，掺铑ＢａｓＴｉＯ３晶体相向二波耦合能量转移特性与前向二波耦合能量转移特性存在较大差别。二波耦合的能量转移方向不仅依赖于光生载流子的电荷符号，而且与光折变晶体的电光系数各分量的相对大小有关。     

光子晶体耦合腔波导中的慢光特性研究

研究了二维光子晶体耦合腔波导的慢光传输特性.利用平面波展开法分析不同结构的耦合腔波导的色散曲线.分析发现,光子晶体耦合腔波导的慢光特性与点缺陷微腔的几何尺寸有关.通过调制点缺陷的半径可以改变慢光导模的中心频率.另外发现,点缺陷微腔间距也是影响耦合腔波导慢光特性的重要参数.增大距离n,零色散点导模的群速度明显下降,可以获得群速度为0.005c的慢光模式,而导模的中心频率变化不大.该分析结果为设计不同要求的慢光波导结构提供重要参考.     

固溶La_2O_3的A矿性质及其水化性能

运用化学分析、ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＤＴＡ等测试手段，研究了稀土氧化物Ｌａ２Ｏ３对Ａ矿性质及其水化性能的影响。结果表明：Ｌａ２Ｏ３的掺入细化了Ａ矿晶体，并使Ａ矿晶系由三斜向单斜转变。随着Ｌａ２Ｏ３掺量增加，Ａ矿水化速度及其浆体强度（尤其是早期强度）不断降低，凝结时间不断延长     

BGO晶体的性能研究

利用蒙特卡罗方法,模拟不同能量的γ射线在BGO晶体中的闪烁过程及不同厚度不同包装下闪烁光的空间分布,发现点光源模型对于晶体出光平面上闪烁光强分布是适用的.模拟表明：BGO与包装之间的界面粗糙时比光滑时空间分辨更好;闪烁中心离出光面越近位置分布越窄,且晶体厚度为4 mm时光产额最大.     

NaI(Tl)晶体的性能研究

利用蒙特卡罗方法,模拟能量为140KeV的γ射线在NaI(Tl)晶体中的闪烁过程及不同厚度不同包装下闪烁光的空间分布,得出点光源模型对于晶体出光平面上闪烁光强分布是适用的结果.模拟表明,NaI(Tl)与包装之间的界面粗糙时比光滑时空间分辨更好;闪烁中心离出光面越近位置分布越窄,且晶体厚度11mm时光产额最大.     

薄圆盘CsI(Tl)晶体闪烁特性蒙特卡罗模拟

利用蒙特卡罗方法,模拟99mTc 140 keV γ射线在圆盘状CsI(Tl)晶体中的闪烁过程及不同厚度不同包装下闪烁光的空间分布,得出点光源模型对于晶体出光平面上闪烁光强分布是适用的结果.模拟表明,CsI(Tl)与铝(Al)之间界面为粗糙时要比光滑时位置分辨更好;闪烁中心离出光面越近,位置分布越窄;晶体厚度为7 mm时光输出最大,光输出半高宽约为7.3 mm.     

光子晶体光纤中基于SBS实现慢光的数值模拟

通过运用四阶龙格库塔法和特征线法对基于光子晶体光纤的受激布里渊散射耦合方程组进行数值求解,讨论不同纤芯直径的光子晶体光纤在相同的Stokes波功率和相同的Stokes波强度下对受激布里渊散射慢光产生的影响,发现芯径越小PCF的时延特性越好,但是伴随着较大的脉冲展宽,对于Stokes波脉冲,较小的输入Stokes波功率具有更大的时延.考察不同的脉冲宽度对光子晶体光纤中的慢光的影响,发现较短的脉冲具有更大的相对时延并伴随着较大的脉冲展宽.通过改变小芯径光子晶体光纤的占空比,讨论光子晶体光纤的结构变化对受激布里渊散射慢光的影响,发现小芯径PCF的占空比越小,对应的SBS慢光的时延越大,脉冲展宽也越明显.以上结论可以为慢光缓存器的设计提供理论参考.     

铝锑共掺氧化锌纳米线阵列LED发光性能研究

氧化锌(ZnO)纳米线因具有良好的结晶质量和独特的半导体性质,在光电子器件领域有重要应用前景.利用双元素共掺来提高掺杂元素在ZnO内的固溶度,是获得p型导电ZnO材料的有效方法.本文中利用化学气相沉积法制备Al和Sb共掺的p型ZnO纳米线阵列,通过XRD、SEM、EDS和XPS等手段分析共掺ZnO纳米线的形貌、成分和晶体质量,发现共掺ZnO具有良好的(001)晶向外延取向生长特性,且通过调整升温速率可以调控掺杂ZnO纳米线的晶体质量.基于n-GaN衬底外延生长的共掺ZnO纳米线阵列,构建异质结型LED器件.Ⅰ-Ⅴ曲线结果表明,在±4 V电压下,器件整流比高达13.7,纳米线异质结开启电压为3 V,器件表现出良好的pn结电学特性.电致发光(EL)光谱结果显示,共掺ZnO纳米线LED器件发光峰中心波长约为650 nm,表现为橙红光发射.     

BGO闪烁晶体的辐照损伤及恢复研究进展

介绍了BGO(Bi4Ge3O12)闪烁晶体的发光原理,简述了国内外某些针对BGO闪烁晶体的辐照实验.分析了晶体受到辐照前后透射率、相对光输出及吸收系数的变化.分析表明:BGO闪烁晶体辐照损伤的主要因素是形成俘获色心,通过退火及光子照射可以使闪烁晶体的性能得到一定的恢复.简要介绍了提高BGO闪烁晶体耐辐照性能的方法,并指出通过掺杂及改变晶体生长方法是提高晶体耐辐照性能最重要的方法.     

掺镁掺钛LiNbO3晶体的光谱与光折变特性研究

测试了一组掺杂不同浓度Ti、Mg杂质的LiNbO3:Ti:Mg晶体的ON-谱，用光斑法观察了这组样品的光折变特性，实验结果表明，在LiNbO3:Ti:MgI晶体中，钛可以起到复合镁的作用，使得LiNbO3晶体的掺镁阈值浓度增高，并且掺镁阈值浓度始终大于接钛浓度，提出了[Ti·Mg]的复合杂质模型，能很好地解释实验现象，根据这种模型和实验证明：LiNbO3:Ti晶体中掺入大于Ti浓度5％mol以上的Mg，晶体仍可成为抗光折变的。     

近化学计量比掺铁铌酸锂晶体光折变中心的研究

对不同锂铌比的掺铁铌酸锂晶体的光折变光栅的写入与擦除过程进行了研究,发现单中心模型已经不适用于近化学计量比掺铁铌酸锂晶体的光折变过程.通过对光折变光栅的擦除曲线的拟合发现,近化学计量比掺铁铌酸锂晶体的擦除过程为双指数过程,说明对于近化学计量比掺铁铌酸锂晶体光折变中心为两种.     

重掺镁LiNbO_3∶Fe晶体的光谱与光折变特性研究

研究了重掺镁LiNbO3∶Fe晶体的透射光谱与光折变特性 .结果表明 ,LiNbO3∶Fe晶体在重掺镁后 ,镁离子把晶体中的铁离子“挤”入铌位是重掺镁LiNbO3∶Fe晶体抗光折变的原因所在 .在重掺镁 (≥ 5mol% )LiNbO3∶Fe的晶体中 ,作为施主中心的Fe2 的特征吸收“台阶”的消失和 350 4cm- 1的OH吸收带的出现 ,都直接证明了铁离子从锂位进入了铌位 ,并以Fe3 Nb 的形式存在 .     

双掺杂LiNbO3晶体光谱和光折变特性

报道了双掺杂CeFe,CeMn,MnFe生长态LiNbO3(LN)的光谱及光折变效应二波耦合增益特性.研究表明,双掺杂浓度较高时,生长态的LiNbO3晶体的透过率光谱范围较小,光折变效应二波耦合增益较低.几种双掺杂晶体都比单掺Fe晶体的光折变效应二波耦合增益低,表现出较强的抗光折变特性.     

光子晶体波导慢光效应的理论分析

介绍了光子晶体慢光技术相对其他实现慢光的技术特点。通过Kramers—Kronig关系分析讨论利用光子晶体波导产生慢光的机理,在此基础上总结出利用光子晶体实现慢光的三种物理机制即：布里渊区边界上的别向波和反射波的布拉格共振效应;全反射效应;介导导模和带隙导膜之间反向交叉点处的反交叉共振效应。     

双包层As2Se3硫化物光子晶体光纤受激布里渊散射慢光

研究了双包层As₂Se₃硫化物光子晶体光纤内、外包层结构对受激布里渊散射慢光特性的影响.在分析双包层As₂Se₃硫化物光子晶体光纤结构对布里渊增益谱的影响时,考虑了声场的高阶模式.研究结果表明,内包层占空比的变化对慢光特性影响较大,随内包层占空比的增加,布里渊增益谱的主峰逐渐降低,第二个峰值逐渐上升,时间延迟量增加,布里渊增益的变化趋势与其相似.但这些特性受外包层占空比的变化影响较小,布里渊增益谱的第二个峰值略微上升,而时间延迟及增益变化很小.因此双包层As₂Se₃硫化物光子晶体光纤的慢光特性受内包层占空比影响较大.而与内包层相比,这些特性受外包层占空比的影响较小.     

双掺杂LiNbO_3晶体光谱和光折变特性

报道了双掺杂Ce :Fe ,Ce :Mn ,Mn :Fe生长态LiNbO3(LN)的光谱及光折变效应二波耦合增益特性 .研究表明 ,双掺杂浓度较高时 ,生长态的LiNbO3晶体的透过率光谱范围较小 ,光折变效应二波耦合增益较低 .几种双掺杂晶体都比单掺Fe晶体的光折变效应二波耦合增益低 ,表现出较强的抗光折变特性