新型温度不敏感的施密特触发器特性分析

与传统的6晶体管施密特触发器相比,由两个互补金属氧化物半导体(CMOS)反向器组成的施密特触发器已经提出,该触发器具有鲜明的转换阈值电压和复位集(RS).计算结果表明:新型施密特触发器在受温度影响方面明显优于传统施密特触发器.仿真结果表明:新型施密特触发器的温度系数是传统施密特触发器的五分之一.     

动态体效应CMOS施密特触发器

提出了一种利用MOS管的体偏置技术实现的低电压施密特触发器电路,利用动态体偏置实现的施密特触发器可以适用于深亚微米芯片,可广泛用于滤除芯片的输入噪声,提高输入信号的信噪比。     

由施密特触发器构成的三相移相触发器的设计

提出了由施密特触发器构成三相移相触发器的设计思路及方法,即在给定电压控制下,输出脉冲能在0~150°夹角范围内移相,其主要应用于调节全控整流桥电路的输出功率。     

抗电源Gauss噪声的新颖Schmitt-PPI电路结构

该文提出了一种由施密特触发器和带有源负载推挽倒相器组成的新颖Schmitt-PPI电路结构,可在CMOS脉冲电路中克服电源Gauss白噪声对电路的影响,避免误触发,得到较为稳定的脉冲．作者所研究的电路结构经过EDA工具的仿真,效果很好,并在实际电路上进行了应用验证．     

Liquid crystal 'blue phases' with a wide temperature range

Liquid crystal 'blue phases' are highly fluid self-assembled three-dimensional cubic defect structures that exist over narrow temperature ranges in highly chiral liquid crystals. The characteristic period of these defects is of the order of the wavelength of visible light, and they give rise to vivid specular reflections that are controllable with external fields. Blue phases may be considered as examples of tuneable photonic crystals with many potential applications. The disadvantage of these materials, as predicted theoretically and proved experimentally, is that they have limited thermal stability: they exist over a small temperature range (0.5-2 degrees C) between isotropic and chiral nematic (N*) thermotropic phases, which limits their practical applicability. Here we report a generic family of liquid crystals that demonstrate an unusually broad body-centred cubic phase (BP I*) from 60 degrees C down to 16 degrees C. We prove this with optical texture analysis, selective reflection spectroscopy, K?ssel diagrams and differential scanning calorimetry, and show, using a simple polarizer-free electro-optic cell, that the reflected colour is switched reversibly in applied electric fields over a wide colour range in typically 10 ms. We propose that the unusual behaviour of these blue phase materials is due to their dimeric molecular structure and their very high flexoelectric coefficients. This in turn sets out new theoretical challenges and potentially opens up new photonic applications.     

高效率宽输入范围电荷泵2倍压电路的设计

提出一种无阈值损耗的电荷泵倍压电路(2倍压电路),该电路采用衬底可变单元代替二极管连接的MOS管,消除了MOS器件的体效应及阈值损耗的影响,与传统电荷泵相比效率提高了20%,获得低至1.0V的宽输入范围.基于该结构采用TSMC 0.25μm BCD工艺设计了一款2.0AUSB功率开关芯片,使用spec-tre对整体电路进行了仿真验证,结果表明:该电荷泵电路的工作状态良好,同比输出电压提高了1.0V,效率最高可达90%,基于该工艺实现的电荷泵电路的版图面积仅为0.04mm2.     

一种基于LCC算法的新型RS码译码器

相比于传统的硬判决译码算法,RS码软判决译码算法能够获得更大的编码增益,但硬件实现较为复杂. 针对这一问题,本文在LCC软判决译码算法的基础上提出了一种改进型校验子算法,可在不影响译码性能的前提下大幅降低硬件复杂度. 仿真结果表明,本文设计的RS(255, 239)码η=3译码器,在BPSK调制下通过AWGN信道,相比于现有基于校验子的RS码译码器结构,硬件资源消耗减少20%. 采用SMIC 0.18 μm CMOS工艺实现,芯片面积仅为0.81 mm2.      

一种抑制系统不对称对STATCOM影响的新方法

电力电子装置通常设计运行在系统 (电网 )对称条件下 ,因此当系统电压不对称时可能会对装置产生严重影响。为提高电力电子装置在实际中的生存能力 ,以电压源逆变器 STATCOM在系统不对称情况下的数学模型为基础 ,分析了在系统不对称条件下参数对电压源逆变器的影响。并在此基础上提出了通过优化参数设计抑制系统不对称对电压源影响的新方法 ,同时对该方法的作用机理进行了理论分析。计算机仿真和动模实验研究验证了该方法的有效性     

存在温差的气体-颗粒两相流实验研究

为研究气体-颗粒两相流中温度梯度对流场特性的影响,采用三维粒子动态分析仪(particle dynamics analyzer, PDA)测量了水平管中颗粒的大小、速度和脉动速度之值.实验选用粒径小于100 μm的玻璃微珠,实验段中颗粒的体积分数约为10-4.通过PDA数据分析系统对小于2 μm和 48～52 μm颗粒的运动参数进行了分析,以小于2 μm颗粒作为两相中的气相参数.结果表明,在气粒两相流主流与壁面间存在温差时,两相流场的湍流强度和湍动能增加而横向速度减小,且在近壁区,湍流强度、湍动能和横向速度受温度场的影响更加显著.     

高压宽温工作电解液的研制

对宽温高压工作电解液进行了深入的研究,开发研制出了可用于400V高压铝电解电容器工作的宽温工作电解液,其主溶剂为乙二醇,主溶质为癸二酸,用此电解液制作的400V／100μF的铝电解电容器,通过了1000h日时105℃高温负荷寿命试验,取得了良好的试验结果。     

宽板坯结晶器流场和温度场数值模拟优化分析

以某钢厂宽板坯连铸结晶器为研究对象,通过FLUENT商业软件模拟结晶器内温度和速度场分布,证明原有水口存在上循环弱,热交换慢,保护渣熔化不均匀等缺点是铸坯出现表面纵裂纹的主要原因.针对原水口的缺点,设计出满足现场生产工艺条件的水口形状为扁形、侧孔倾角-15°、底部形状为凸底的新结晶器浸入式水口,并运用数值模拟手段对新水口形成的钢液流动形式进行了分析.结果表明,新水口各项参数均明显优于原有水口,现场实验证明新水口使用效果良好.     

菝葜多糖分离纯化工艺研究

为了优选菝葜多糖的分离纯化工艺,以多糖纯度、多糖出膏率与吸附率等为指标,考察醇沉静置温度、醇沉静置时间与大孔吸附树脂型号等因素,确定菝葜多糖的最佳醇沉工艺与大孔吸附树脂纯化工艺。得到菝葜多糖最佳醇沉工艺为取含生药1.0 g/mL的药液,加入乙醇,使乙醇体积分数达到80%,醇沉1次,室温25 ℃静置12 h,抽滤得醇沉物,70 ℃干燥;纯化工艺为采用AB-8型大孔吸附树脂,用1 BV的2.0 mg/mL(以粗多糖计)的上样液,以2 BV/h的流速上样,再用3 BV的纯水以3 BV/h的流速进行洗脱。结果表明该优选工艺稳定可靠,可用于菝葜多糖的分离纯化。     

不同污染经历的玉米在高低温胁迫下SOD酶活性的变化

 利用经历过污染时间长度不同的2个玉米品种的各4个种群进行高低温胁迫后,测定其叶片SOD酶活性,根据其变化分析经历污染后的种群抵抗温度胁迫的能力的变化,结果表明:随着污染经历的延长,各玉米种群的抵抗高低温胁迫的能力均有增加,玉米对污染及温度胁迫的适应呈现一定的协同性.     

低温CO_2吸收系数与温度的关系

针对HITRAN数据库缺乏CO_2在低温条件下的吸收谱线研究数据的问题,对波长位于1 572.34 nm处的低温下CO_2吸收谱线进行了研究,得到250～500 K范围内CO_2吸收系数的温度依赖经验公式.将该经验公式与文献中的实验数据进行计算对比,得到了气体质量分数平均误差为3.305%的对比结果.     

一种新型的高电源抑制比带隙基准源的设计

利用有源PMOS负载反相器组成电压减法器,将电源噪声引入运放反馈,得到了一种高电源抑制比的基准电压源。对基准源的低频电源噪声抑制进行了推导和分析。仿真结果表明,在3 V电源电压下,在-40~85℃范围内,温度系数低于1.976 ppm/℃;在27℃下,1 KHz时,电源抑制比达88 dB.     

反应性温度系数的计算方法

为了精确地计算反应性温度系数，采用动态规划的方法，求出了燃耗过程中控制棒的临界棒位。利用组件计算软件包ＴＰＦＡＰ，计算慢化剂（或燃料）在不同温度下组件的宏观截面。用节块格林函数法，求解三维中子扩散方程，求得慢化剂（或燃料）反应性温度系数。对于２００ＭＷ核供热堆在临界棒位下，作了三维反应性温度系数的计算，并与二维计算结果作了比较。结果表明，慢化剂温度系数的大小和控制棒插入有密切关系。二维无控制棒时计算的反应性温度系数比较接近三维带控制棒的计算结果，并且二维无控制棒的计算结果是一个保守的估值。     

光源相关色温计算方法的研究

结合色度学基本理论和遗传模拟退火算法，给出了一种关于计算光源相关色温的程序计算法和利用遗传模拟退火算法得到的计算光源相关色温的一个经验公式，运用该：手法和经验公式所得到计算值和理论值相比较十分接近．可直接应用到实际光源相关色温的计算中。     

长脉宽激光硅片弯曲成形温度机制研究

根据已开展的长脉冲激光弯曲硅片试验,利用Ansys仿真软件计算了硅片弯曲过程中温度场的分布形式,分析了长脉冲激光弯曲硅片的温度特点.计算结果表明,试验所用硅片在弯曲过程中存在较明显的温度振荡,同时在第一次扫描后半段出现脆性-塑性温度转变点,认为第1次扫描主要起预热硅片的作用,与试验过程中第1次扫描无明显弯曲现象相符.在随后的扫描过程中,根据上下表面温度差以及光斑直径与厚度的比例关系,说明弯曲现象的产生是温度梯度机制(TGM)和翘曲机制(BM)共同作用的结果,同时在分别对每次扫描前初始温度和扫描过程中最高温度的分析中发现,随着扫描次数的增加,温度逐渐上升,但增加量逐渐减小,最终几乎趋于不变.     

LS-SVM算法在无缝线路锁定轨温检测中的应用

提出一种改进的基于磁巴克豪森噪声（MBN）技术的无缝线路实际锁定轨温检测方法。该方法使用MBN技术检测钢轨温度应力,使用轨温计检测表面轨温,并采用最小二乘支持向量机（LS-SVM）算法建立线路的钢轨温度应力随钢轨表面轨温与实际锁定轨温差值变化的预测模型,最后将预测模型得到的温差和钢轨的表面轨温用于计算实际锁定轨温。通过对河北保定的一段无缝线路进行钢轨温度应力及表面轨温检测,证明该方法能提高检测的精度。     

转换温度中Berthelot物态方程内压强项温度指数的修正

设定Berthelot实际气体物态方程内压强项中待定的温度指数参数为α,根据热力学理论推导出具有温度指数参数的Berthelot实际气体转换温度与压强的函数关系式,应用计算机MATLAB模拟仿真技术绘制反转曲线,将其与气体实验反转曲线进行对比,确定两者拟合情况较好时的指数修正参数,得到修正后的Berthelot实际气体物态方程。修正后的Berthelot实际气体物态方程在描述气体通过节流手段获得低温时更贴近气体的实验行为,在节流制冷工艺流程中具有更强的使用价值和理论指导意义。