L—B单分子膜制备的MIS结构和电容电压特性

利用Ｌ－Ｂ单分子功能膜的绝缘性制作ＭＩＳ器件，通过对它的结构和电容－电压特性曲线的研究，发现ＬＢ膜可以改善ＭＯＳ器件的性能和消除ＭＯＳ器件的“异常”Ｃ－Ｕ特性现象，利用ＣＵ特性曲线可以检测Ｌ－Ｂ膜成膜质量，利用零偏压时的电容值可以计算各成膜材料的介电常数。     

用L-B膜实现MIS结构的C-V特性研究

测定了多种具有金属／L－B膜绝缘层／半导体（Si）结构的纳米厚度有机功能膜的C－V特性．研究发现C－V特性受到L－B膜的分子组分和氧化膜厚度的影响．     

SnO_2·ZnO纳米微粒／硬脂酸交替L－B膜的制备及结构

采用胶体化学方法制备了ＳｎＯ_２．ＺｎＯ微粒的水溶胶和有机溶胶，实验结果表明，ＳｎＯ_２·ＺｎＯ胶体存在着明显的量子尺寸效应。应用Ｌ－Ｂ膜技术制备了ＳｎＯ_２·Ｚｎｏ纳米微粒／硬脂酸交替Ｌ－Ｂ膜，用原子力显微镜观察了ＳｎＯ_２·ＺｎＯ纳米微粒／硬脂酸交替Ｌ－Ｂ膜的形貌。通过加热除去硬脂酸后的ＳｎＯ_２·ＺｎＯ膜有好的气敏性及对酒精的选择性。     

金刚石薄膜热敏器件特性

本文采用热丝ＣＶＤ方法和在以石英为衬底的金属钛梳状微电极上制备出的均匀致密、结晶完整的金刚石薄膜，制成了金刚石薄膜热敏器件．对其热敏特性的测试结果表明，该热敏元件具有检测温度范围宽、响应快、灵敏度高、性能稳定等优点．     

脂肪取代基卟啉的合成及其L-B膜

合成了两种脂肪基卟啉及以Co2+,Zn2+为中心离子的金属卟啉。用红外光谱、紫外可见光谱和元素分析进行了表征。将上述六种卟啉制成L-B膜,并测定了膜的性质。     

MIM与MIS隧道结的结构特点及其发光效应

对ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ－Ｍｅｔａ）及ＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ－Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）隧道结的结构特点作了简单介绍，着重分析了其发光效应及发光光谱特性，并由此对隧道结的发光机理进行了讨论。     

磺化酞菁铜L-B膜的制备及紫外可见吸收光谱

研究磺化酞菁铜（ＣｕＴｓＰｃ）Ｌ－Ｂ膜的制备方法,并利用紫外可见吸收光谱研究它的结构。结果表明：磺化酞菁铜（ＣｕＴｓＰｃ）是具有独特的平面分子结构的非两亲性长链分子,可采用静电相互作用来制备这种Ｌ－Ｂ膜。（ＣｕＴｓＰｃ）Ｌ－Ｂ膜中的磺化酞菁铜分子主要以面对面的二聚体形式存在,磺化酞菁铜分子平面按平行于载片平面的方式排列。     

Na-Mg弱掺杂ZnO薄膜的结构和电学特性

报道了用溶胶凝胶法制备由Na、Mg两种元素共同掺杂的ZnO薄膜,研究了在Na-Mg共同掺杂情况下,ZnO薄膜的表面形貌、微结构和电学性质.通过改变Na、Mg掺杂量与Zn的比值,ZnO薄膜可呈现良好的c-轴取向.同时,经过Hall效应测量发现:ZnO薄膜的电阻率、载流子浓度和迁移率随着Na、Mg的掺杂量而变化,并出现离散性,薄膜电阻率最低可达0.57×105Ω.cm,具有P-型传导性.     

利用金属／绝缘本／半导体（MIS）结构研究IPN的介电常数

采用自制的制膜工具有n-型硅片上制备了互穿聚合物网络（IPN）绝缘层膜。用真空镀在IPN膜上蒸镀铝圆项电极形成了Al/IPN/n-Si(MIS)结构。在室温条件下测定了电容－电压（C－V）特性。根据测定的C－V特性曲线计算了IPN膜的介电常数。     

单苯分子器件I-V特性的紧束缚近似法研究

采用紧束缚近似法对由单苯基分子构成的三端器件的I-V特性进行了研究,所得结果近似表现出了MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)器件的电学规律;同时模拟并讨论了该器件的I-V特性随温度的变化规律．发现：电流幅值随门电压的增大而增加,温度对电流幅值有重要影响．文中所得结论为分子器件和纳米器件的开发提供了理论基础．     

萘衍生物的聚合膜结构及膜的pH响应

以电化学方法得到一系列的萘衍生物聚合膜。通过Ｘ－光电子能谱，反射红外光谱方法研究了聚（１－萘胺）的聚合形式。采用量子化学计算得到本文所研究的萘衍生物的电荷密度、分子总能量等电子结构参数。发现这些聚合物ｐＨ响应与其电子结构参数有一定的关系。     

应用于MIS中的结构管理设计法

提出了ＭＩＳ结构管理器的概念及实现方法，并在此基础上提出了一种用结构管理器控制ＭＩＳ系统结构的设计方法。