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1.
用小角X射线衍射方法对Si/Co多层膜进行了测试研究,应用衍射理论对测试中出现的周期数不多的强峰和其间的一系列次强峰进行了分析,在计算多层和单层膜厚度时,提出利用相邻两个衍射峰的角度之差来消除系统误差和定位误差的简便方法,使数据处理得到简化.最后,通过XPS分析指出,在膜层界面具有硅的化合物存在. 相似文献
2.
对小角X射线衍射法测出的Co/Si多层膜的平均折射率修正值为负的原因作了进一步的分析,提出了修正的具有化合物层的多层膜结构模型,运用光学多层膜理论计算小角衍射强度时代入了负的折射率修正值δ,得到的理论计算曲线与实验曲线趋于一致. 相似文献
3.
射频溅射中氩气压强对Ge/Si多层膜的影响 总被引:7,自引:0,他引:7
用射频磁控溅射制备了一系列Ge/Si多层膜,采用X射线小角衍射测量了不同溅射压强下制备的样品,计算出了多层膜的周期.通过计算机模拟实验曲线确定出了Ge和Si的分层厚度,计算出了不同压强下的溅射速率.实验和计算机模拟都表明了在衬底温度为590℃、溅射功率为150W的溅射条件下1.5~2.5Pa氩气压强时制备出的样品周期性、均匀性和平整性都比其它压强下制备的样品好. 相似文献
4.
采用自组装技术制备大面积有序聚苯乙烯微球模板.在此基础上,制备Co/Pt多层膜纳米碗列阵阵列.利用扫描电子显微镜(SEM)和振动样品磁强计(VSM)对样品表面形貌和磁性进行了分析.结果表明:纳米碗阵列保留了聚苯乙烯微球模板的有序形貌.磁性多层膜随着Pt或Co厚度的增大,矫顽力和Mr/Ms变化的总体趋势是先增大后减小.随着衬底胶体球半径的增加,曲率诱导作用逐渐减弱,矫顽力降低. 相似文献
5.
用超高真空磁控溅射设备在不同溅射压强及衬底温度的工艺条件下制备了一系列Co/Si多层膜.X射线小角衍射证实所研制的多层膜具有周期调制结构.分别采用不同的理论方法计算了多层膜的周期和折射修正项.表明修正项不再仅对折射效应修正,而应理解为更广义的修正项.并应用广义修正总多层膜厚度Bragg公式确定出了主峰之间次峰的级数. 相似文献
6.
用直流等离子体增强化学气相沉积(PCVD)方法在T225NG钛合金基体上制备出厚度约为6μm的TiN/TiN+Si/TiN多层膜,重点研究了多层膜及钛合金基材在室温和高温条件下的微动磨损行为,采用激光共焦扫描显微镜测定磨损体积,用扫描电子显微镜观察磨痕微观形貌.结果表明:在室温(25 ℃)至400 ℃范围内,微动初期和稳定阶段多层膜的摩擦系数比钛合金基体低,磨损体积也比钛合金基材明显降低;多层膜磨损体积随着温度的升高而增大;多层膜可以显著降低钛合金基材的磨损;多层膜的损伤主要表现为剥层和磨粒磨损形式. 相似文献
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Si3N4/TiN纳米多层膜的超硬效应 总被引:11,自引:0,他引:11
采用磁控反应溅射工艺制备了Si3N4/TiN陶瓷纳米多层膜,运用X射线衍射、航向电镜和显微硬度仪等对纳米多层膜的微结构、应力状态和硬度进行测试。研究结果表明,Si3N4/TiN多层腹中,Si3N4层为非晶态,TiN层为晶态,Si3N4/TiN多层膜的显微硬度既受调制周期^的影响,同时又与调制比有关,当调制比lsi3N4/lTiN=3和调制周期^=12.0nm左右时,多层膜的显微硬度达到最大值,其数 相似文献
8.
AlN/CrN纳米多层膜的制备及性能的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用多弧离子镀技术制备A1N/CrN纳米多层膜,研究了多层膜调制周期对A1N生长结构的影响以及纳米多层膜的机械性能.结果表明:在小调制周期下A1N会以立方结构存在,并与CrN层形成同结构共格外延生长,使纳米多层膜产生较大的晶格畸变;A1N/CrN纳米多层膜硬度和弹性模量随着调制周期的减小呈现上升的趋势,当调制周期小于8nm时其增速明显增大,并在调制周期为3.8nm时达到最高硬度35.0GPa和最高弹性模量405GPaA1N/crN纳米多层膜的硬度和弹性模量在小调制周期时的升高与c-A1N的产生并和CrN形成的共格结构有关. 相似文献
9.
离子束辅助沉积法制备TiAlN/TiB2纳米多层膜的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
运用离子束辅助沉积法(IBAD)制备了一系列具有不同调制比例的TiAlN/TiB2纳米多层膜,利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和纳米压痕等表征手段研究了薄膜调制比例对其硬度、内应力和膜基结合力等力学性质的影响.结果表明:随着调制比例从8∶1变化到25∶1,多层膜的硬度在29~34 GPa之间变化,所有多层膜的硬度均高于TiAlN和TiB2两种各体层材料通过混合法则得的结果,结合XRD结果分析认为,TiAlN(111)择优取向是薄膜硬度升高的一个重要原因. 相似文献
10.
《吉林师范大学学报(自然科学版)》2010,31(2)
利用反应磁控溅射方法制备了一系列不同调制比的多晶CrN/SiNx纳米多层膜.对多层膜在900℃条件下进行真空退火4个小时.结果发现,当调制周期中SiNx的层厚较小时,退火后发生了明显的界面融混;而当调制周期中SiNx层厚较大时,退火后不但没有发生界面融混,反而使界面变得更加清晰,这一变化和界面处CrSiN相的析出有关,相的析出有利于界面的平滑和多层膜热稳定性的提高. 相似文献
11.
采用热爆和自蔓延2种燃烧模式成功合成Al/Mg2Si复合材料.对比研究预热速率、压坯压力、Mg粉粒度、Al的体积分数对2种燃烧模式的影响.结果表明,随着预热速率的增加、压坯压力的增大、Mg粉粒度尺寸的减小,燃烧合成产物更加均匀致密,w(Al)=20%时产物致密性最好.通过比较2种模式下的产物,表明热爆模式优于自蔓延模式. 相似文献
12.
采用重力铸造法制备不同过剩硅含量的原位Mg_2Si/Al复合材料,研究过剩硅含量对Mg_2Si/Al复合材料组织和耐磨性的影响.结果表明:随着过剩硅含量、磷加入量的增加,初生Mg_2Si的体积分数增加,尺寸却减小;初生硅的体积分数随过剩硅含量的增加而增加;当过剩硅的含量增加到16%时,初生硅的平均尺寸没有发生明显变化,规则生长的α-Al树枝晶不断破裂,变得圆整;初生硅依附或包围初生Mg_2Si生长.当初生Mg_2Si和初生硅同时存在时,磷对初生Mg_2Si的变质效果优于其对初生硅的变质效果.干滑动试验发现,在恒定的载荷、滑动速率以及磨损距离下,随着过剩硅含量的增加,Mg_2Si/Al复合材料的磨损失重逐渐减小. 相似文献
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14.
采用分步沉淀法,以TEOS(正硅酸乙酯)为硅源制备了Cu-Zn-Si-Al双功能浆状催化剂。用XRD,TPR,NH3-TPD-MS等表征手段对催化剂结构性能进行了分析。结果表明,不同硅铝配比对催化剂性能有较大影响,随硅铝摩尔比增加,催化剂的还原性能增强;当硅铝摩尔比为1∶1时,催化剂具有最佳的催化性能。经分析认为,催化剂分散性能及催化剂中弱酸位的多少是影响其活性的主要因素。 相似文献
15.
采用燃烧波前沿淬熄法研究Al/Mg2Si复合材料在自蔓延高温合成(SHS)过程中的显微组织演变规律.用扫描电子显微镜观察和分析淬熄试样中的显微组织,通过XRD分析合成产物的相组成.研究结果表明,反应直接生成了Mg2Si而没有中间产物,Mg-Si可以在较低的温度下发生固-固反应生成Mg2Si;在淬熄合成过程中Al始终没有参与反应. 相似文献
16.
用热压法制备了 Si3N4 / Al2 O3细晶复合陶瓷 ,研究了热压过程中出现的氧化、致密性、相变等现象 ,讨论了热压温度对材料的力学性能及相组成的影响。结果表明 ,热压 Si3N4 / Al2 O3复合陶瓷需在氮气保护下进行 ,热压温度保持在 130 0℃左右为佳 ,热压温度越高 ,致密度下降 ,晶粒明显粗化 ,力学性能下降 ,其下降原因与较高温度下莫来石的形成有关 相似文献
17.
采用光学和激光共聚焦显微镜及扫描电镜等组织分析手段,研究了直径为110mm的Al-127Si-07Mg合金DC铸造铸锭在485℃盐浴加热保温过程中共晶Si形貌的演变.结果表明,在Mg的质量分数为07的共晶Al-Si合金半连续铸锭中,共晶Si在金相组织中为点状和细条状的混合物,但其空间形貌为珊瑚状;该半连续铸锭在重新加热保温初期,共晶Si相空间形貌的演变主要是珊瑚状Si相的粗化,随后在共晶Si继续粗化、球化的同时,部分长杆状共晶Si相逐渐演变成糖葫芦状,然后分裂成颗粒并球化和粗化;该铸锭在485℃加热保温过程中,共晶Si颗粒直径的粗化与加热保温时间符合229~267次幂的关系. 相似文献
18.
The sliding wear behavior of hypoeutectic, eutectic and hypereutectic Al - Si alloys under lubricating condition was investigated. The wear mechanism of three kinds of alloys was discussed and an effective way to improve the wear reslstance of Al - Si alloys was put forward, that is increasing the silicon content. 相似文献
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对比了电解铝硅合金和常规铝硅合金的耐蚀性.电化学试验和湿热试验结果表明电解铝硅合金具有良好的耐蚀性.讨论了电解铝硅合金耐蚀机理,含有较多的微量元素及合金组织均匀细小是其腐蚀性能良好的原因. 相似文献
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铝硅合金铸件中的二次枝晶间距 总被引:6,自引:0,他引:6
针对ZL105,ZL101,ZL109铝硅合金圆柱体铸件,在砂型铸造条件下,研究凝固时间τ,温度梯度G,凝固指数fi,温度梯度加速度aGAP与铸件二次枝晶间距λDAS,孔洞率P和极限抗拉强度σb之间的关系。 相似文献