冻结水溶液中Gd~（3＋）离子ESR线宽的温度效应

分别以ＬａＣｌ３、ＮｄＣｌ３水溶液为基质，在１００～２７０Ｋ温度范围内，对冻结水溶液中Ｇｄ３＋离子的ＥＳＲ线宽进行了研究．德拜温度上下，线宽的温度效应不同．两种基质中，Ｇｄ３＋离子的ＥＳＲ线宽的温度效应有较大差异．     

非单晶硅基薄膜光致发光特性的研究

非单晶硅氢基薄膜材料，经高温退火及高温氧化可制备纳米尺寸的晶粒，室温下发出可见光。发光强度强烈依赖于晶粒大小和结晶体在网络中的体积比。发光来源于量子尺寸效应和表面发光中心。     

P型单晶硅电解掺氢的研究

分别对 P 型单晶硅电解掺氢的电极制作、实验装置、电解液的选择、电解后浅杂质浓度的分布等进行了研究。并用 G—V 法证明了分别以 H_2SO_4和H_3PO_4为电解掖时对 P 型单晶硅电解掺氢都能使硅片表面附近几个微米范围内浅杂质浓度下降,在 H_3PO_4中掺氢效果较 H_2SO_4中更为显著。     

多晶硅与单晶硅的扩散比较

相同工艺下多晶硅和单晶硅的扩散结果区别非常明显，在扩散温度较低时，多晶硅扩散后的方块电阻大于相同条件下的扩散单晶硅；在扩散温度较高时，多晶硅扩散后的方块电阻小于单晶硅，文章从多晶硅的结构特点对此现象进行了解释。     

非晶与单晶硅电解掺氢的研究

用电解方法在非晶硅中掺入了原子氢，使非晶硅中悬挂键的ＥＳＲ信号明显下降，相应悬键密度由２．５×１０￣（１８）ｃｍ￣（－３）下降为８×１０￣（１７）ｃｍ￣（－３）．并发现以Ｈ＿３ＰＯ＿４为电解液时，对作为阴极的非晶硅和Ｐ型单晶硅均有轻度的腐蚀作用，在Ｈ＿２ＳＯ＿４中电解，温度高达２２０℃，对硅也无腐蚀作用．     

钕离子注入单晶硅合成硅化物的研究

用ＭＥＶＶＡ离子源将Ｎｄ离子注入到单晶硅中形成钕硅掺杂层,用ＸＲＤ分析了掺杂层的物相,用ＡＥＳ分析了掺杂层中离子的浓度分布,分析表明,在强流钕离子注入后,掺杂层中有硅化物形成,且形成相的种类随注量,束流密度及后续热处理条件的改变而变化,还对钕硅化物的形成过程进行了初步讨论。     

单晶硅片温度的拉曼光谱测定

 提出测定单晶硅片温度的拉曼散射光谱法.选择硅的520cm^-1散射带进行观测,分别记录下它的stokes和anti-stokes散射分量的强度,计算得到了硅表面激光焦斑处的温度,多次测定结果甚为一致,表明非接触拉曼光谱测定温度可与硅晶体结构的拉曼光谱研究同时进行,拉曼光谱测温法具有一定的实用性和普遍意义.     

方解石的辐照效应和ESR测年法的研究

本文研究了人工合成方解石和天然石笋样品的ESR谱及在α、β、γ射线辐照下的效应。由实验测出的TD和D值,计算出周口店第四地点石笋平均年龄为(6.0±0.8)×10~4年,此值与轴系法测得的平均年龄(6.5±0.4)×10~4年一致。     

流动池的电化学现场ESR理论

用隐式差分法解了EC_1和EC_2反应在流动池的电化学现场ESR测量中的稳态对流扩散方程.由计算结果提出了一个测量随后化学反应速度常数的简单方法,并讨论了该方法的测量限度及流动池参数对测量的影响.     

晶体取向对镍基单晶DD6合金蠕变性能的影响

针对航空发动机镍基单晶涡轮叶片高温服役下蠕变寿命的取向敏感性难题,开展了DD6单晶合金[001]、[011]与[111]3种典型取向在980℃下的蠕变试验,获得了服役温度下单晶合金的蠕变寿命、伸长率,均为[111]取向＞[001]取向＞[011]取向;通过对蠕变过程中微观组织演化以及蠕变断裂后断口形貌进行分析,揭示了不...     

单晶硅微尺度侧磨表面质量影响因素试验研究

为了获得具有较好表面质量的典型硬脆材料单晶硅微结构,采用微尺度磨削技术,利用直径为0.9 mm的微磨棒沿单晶硅(100)晶面进行磨削.首先通过三因素五水平的正交试验分析出影响单晶硅微尺度磨削表面粗糙度的主次因素;其次优化出获得较小表面粗糙度的单晶硅微尺度磨削工艺;最后通过单因素试验研究单晶硅微磨削表面粗糙度(Ra)随工艺参数的变化规律.结果表明:在沿单晶硅(100)晶面的微磨削过程(20 000 r/min≤v_s≤60 000 r/min,20μm/s≤v_w≤170μm/s和3μm≤a_p≤15μm)中,主轴转速对R_a影响最大;当主轴转速(v_s)为50 000 r/min、进给速度(v_w)为20μm/s、磨削深度(a_p)为3μm时,R_a最小;R_a随vs的增大基本呈减小趋势,但v_s过大时机床主轴出现振动,R_a出现增大趋势.R_a随v_w和a_p的增大而增大.     

过热处理对单晶高温合金拉伸性能的影响

不同温度条件下,对DD6单晶高温合金保温1 h后空冷处理,以模拟合金的过热服役情况,研究了合金在不同温度过热处理后的显微组织和1 000℃的拉伸性能.结果表明,DD6合金在1 100,1 150和1 200℃过热处理后,γ''相尺寸稍有增大.1 250℃过热处理后,γ''相尺寸明显增加,尺寸极不均匀,大部分γ''/γ相界面为锯齿状.1 300℃过热处理后,少部分γ''相具有锯齿状的γ''/γ相界面,大部分为重新析出的细小γ''相.1 320℃过热处理后,γ''相全部回溶后重新析出不规则、细小的γ''相.合金在1 200℃过热处理后屈服强度和抗拉强度明显降低,其他温度下过热处理对合金的拉伸性能影响较小.这主要是因为合金在1 200℃过热处理后,γ基体通道宽度最大,而γ''相体积分数最小.     

单晶硅微观力学性能研究

本文介绍了在纳米硬度计上进行的单晶硅微压痕测试实验及结果分析,以对单晶硅的微观力学性能有所认识。微压痕测试表明：单晶硅的弹性模量在压入载荷小于2400μN的范围内随载荷变化而波动变化：而在压入哉荷大于2400μN后保持相对的稳定值（约为214GPa）;单晶硅的表面硬度在压入栽荷小于1000μN的范围内随载荷变化而线性增大,而后突然降低并保持相对的稳定值（135GPa-15GPa）;单晶硅在纳米压入过程中,材料的破坏形式为脆性破裂,并且随压入载荷的增大而在压痕边沿产生堆积,堆积程度亦逐渐增大。     

应用光伏方法估算硅单晶表面态俘获截面

提出一个可以非破坏性地估算半导体单晶的表面态俘获截面σon和σ-p的新方法.此法基于变温光伏测量，采用（111）p型硅单晶（NA=1.5×1016cm-3）为实验样品.由于表面势垒高度ΦBP=0.5756V,表面复合速度sn=4.8×103cm*s-1以及表面态密度Ds=6.7×1011cm-2*eV-1可由光伏方法测算，则表面态俘获截面σon≈5×10-13cm2与σ-p≈2×10-12cm2可通过应用Shockley-Read体复合理论于表面而被估算.此结果与其它方法得到的有关报导的结果相一致.     

单晶镍基高温合金DD98微铣削表面质量试验

为研究单晶高温合金的微铣削表面质量,使用M.A.FORD双刃端铣刀,刀刃直径为0.8 mm,试验材料为单晶高温合金DD98,完成正交试验研究.通过极差分析找出主轴转速、进给速度、铣削深度对微铣削表面质量影响的主次因素,即主轴转速的影响最大,铣削深度其次,进给速度最小;采用统计学知识,获得切削工艺参数的优化组合,使表面粗糙度最小,即主轴转速为n=3.6 kr/min,铣削深度为ap=5μm,进给速度为v=100μm/s,对此优化方案重复试验,表面粗糙度值为951 nm.并对其切削机理和影响表面质量及形貌的原因进行深入的分析,对单晶高温合金的微加工理论的机理揭示具有一定的指导意义.     

冲击下C轴硫化镉单晶的相变特性

采用前后压电石英计方法系统地研究了c 轴硫化镉单晶在高速平面撞击下的相变特性,首次得到了这种材料的冲击Hugoniot 曲线,并观察到与相变机制有关的应力松弛和双波结构现象.与弹塑性波不同的是,这种由于相变引起的双波结构波形的弹性前驱波,在一定压力范围内,其幅值不随传播距离而衰减.实验结果推断出,相变点同时可能又是屈服点,相变与塑性两种机制也许存在某种耦合作用。     

用场发射涨落法研究原子在金属单晶面上的表面扩散

本文介绍了用场发射涨落法研究吸附原子(或分子)在金属单晶面上表面迁移的原理、实验装置和方法以及所取得的新的研究结果。这些研究结果包括:吸附的气体(H_2,O_2,CO等)在W(110)面上的表面扩散;吸附的气体(H_2)在Ni(100)面上的表面扩散;在较高温度时钨台阶表面上钨原子的表面自扩散和热租糙化过程的研究等。     

前角对单晶镍纳米加工影响的分子动力学仿真

应用分子动力学仿真研究了单晶镍的纳米加工过程.通过研究加工力的变化规律,发现加工初期加工力剧烈波动与工件中产生了较大体积的层错结构有关.采用不同前角的刀具进行了一系列加工仿真,结果表明:在刀具前角的增大过程中,加工力及前刀面与切屑之间的摩擦系数逐渐减小;由于前角的增大使刀具对切屑的推挤作用与切屑的整体弯曲减弱,切屑高度增加及切屑中完好的FCC原子比也逐渐增加;工件亚表面的缺陷原子数目逐渐减少,损伤深度也呈减小趋势.采用负前角加工时,工件亚表面损伤较严重,出现了层错四面体结构和LC位错;工件内部高温原子数随刀具前角的增大而逐渐减少,并且工件的温度分布以刀具圆角为中心向工件内部辐射.     

一种单晶镍基合金高温蠕变相关参数的试验研究

通过测定［００１］取向单晶镍基高温合金的蠕变曲线及位错运动的应力σ０,建立了综合蠕变方程,计算出蠕变不同阶段的激活能及相关参数．结果表明：内应力σ０随温度升高明显降低,在试验的应力和温度范围内,蠕变的不同阶段,具有不同的激活能Ｑ,时间指数ｍｉ和结构因子Ｂｉ,其中蠕变Ⅰ、Ⅲ阶段Ｂｉ值对激活能影响较大．