气相沉积法一步可控合成氧化铜纳米阵列

利用气相沉积的方法于铜基片表面可控生长形成氧化铜纳米阵列,通过控制反应温度及反应时间,得出不同生长密度、不同长度及不同直径的氧化铜纳米阵列,研究了该种方法所依据的实验条件对生长形成氧化铜纳米阵列的生长密度、平均长度以及平均直径的制约关系.结果表明:温度越高,则氧化铜纳米阵列生长越密且平均直径越小;反应时间越长,则氧化铜纳米阵列平均长度越大.在此基础上分析了该纳米阵列的生长机制,并最终确立实现不同规格铜基氧化铜纳米阵列可控合成的依据.作为对比,该氧化铜纳米阵列进行硫化处理后所形成的特殊云杉式分级结构相比于硫化铜片直接在铜的表面所生长形成的硫化亚铜阵列更有利于与电解液的接触,为其在电化学上的应用创造了可能.     

ZnO纳米线阵列的生长机制

通过化学气相沉积方法在Si衬底上制备了规则排列的ZnO纳米线阵列．利用扫描电子显微镜观察了合成的氧化锌纳米结构的形貌,表明当In在前驱物中引入超过0．3g时,在Si衬底上合成的纳米结构都是纳米线阵列;高分辨透射电子显微镜图像、x射线图谱和x射线能谱均表明合成的ZnO纳米线阵列具有纤锌矿结构,择优沿（001）方向生长．提出了在Si衬底上生长ZnO纳米线阵列的机制．     

小米中掺入色素的液相色谱特性研究

采用YWG-C18柱分离合成色素,用二阶阵列管检测器寻找最佳波长,标准曲线法定量,结果准确,方法使用简便.     

一种阵列天线与干扰抵消技术相结合的宽带CDMA接收机

提出了一种自适应阵列天线与干扰抵消技术相结合的DS-CDMA接收机,通过改进的并行干扰抵消技术,对阵列天线合成后"峰指"信号中的多址干扰信号作进一步的消除或抑制.通过理论分析和仿真,验证这种接收机在Rayleigh衰落信道下,较单独使用阵列天线接收或并行干扰抵消技术,具有更好的接收性能.     

ZnO微/纳米管阵列的亲疏水性能

采用水热法以Zn(CH3COO)2和NH3.H2O作为原材料,以Zn片作为锌源,在75℃下合成了大量的ZnO微/纳米管结构.通过改变反应时间、反应温度、溶液的pH、不同衬底等生长参数,研究了不同生长条件对其亲疏水性能的影响.结果表明,合成的ZnO微/纳米管阵列具有优良的疏水性能,可应用于自清洁的微米级或纳米级器件.     

CeO_2纳米线阵列的制备

以阳极氧化铝膜(AAO)为模板通过溶胶-凝胶法合成了CeO2 纳米线阵列,并通过扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)以及X射线光电子能谱(XPS)等对CeO2 纳米线进行了表征.     

基于特征向量的阵列误差矩阵最优闭式解

阵列互耦和幅相误差的综合作用会严重影响MUSIC算法的测向性能. 该文重点研究了由互耦和幅相误差 引起的阵列误差校正问题,给出3 种阵列误差矩阵校正算法. 它们具有相同的计算模式和理论框架,均可通过计算某 个Hermite矩阵最小特征值对应的特征向量获得最优闭式解. 算法I未利用阵列误差矩阵的任何性质,算法II利用了阵列 误差矩阵的稀疏性,算法III利用了某些规则阵列的阵列误差矩阵的特殊结构. 仿真实验比较了3 种校正算法的估计精 度,结果表明,尽可能利用阵列误差矩阵的特殊性质有利于提高阵列误差矩阵的校正精度.     

近场条件下的MIMO雷达阵列优化

在近场条件下运用遗传算法对MIMO雷达阵列进行优化. 构造优化MIMO阵列近场方向图旁瓣的适应度函数,提出一种基于FFT的快速算法用以高效评估适应度,采用“成对交叉策略”保证遗传算法进化过程中阵列稀疏率恒定. 对有无对称约束两种情况下的阵列优化结果进行比较,分析表明,若在MIMO阵列优化中加入对称
约束,则优化针对的聚焦点所在距离上所有角度均小于该点的目标,用优化所得之阵列扫描它们时可保持性能.     

基于亚铁磁材料-YIG的负折射率特异材料的设计及电磁特性研究

基于磁导率为负的亚铁磁材料-YIG,在其中嵌入等效介电常数为负的金属导体线阵列结构,合成出负折射率电磁特异材料.利用有效媒质理论数值计算了复合材料的等效介电常数与等效磁导率的频率响应特性.计算结果表明存在C波段电磁波频率的重叠区域,使复合材料的等效介电常数与等效磁导率同时为负;表明了利用有效媒质理论基于亚铁磁材料可以设...     

L波段平面微带阵列天线的优化设计

介绍了微带阵列天线方向图相乘原理,利用三维电磁场仿真软件Ansoft HFSS对L波段平面微带阵列天线进行了仿真设计,给出了理论分析过程,利用宏定义优化了贴片的尺寸,最后给出阵列天线的仿真曲线.仿真结果表明,该L波段平面微带阵列天线具有高增益、低副瓣的特点.