镜面抛光硅衬底上金刚石薄膜的生长

在镜面抛光硅衬底上加负偏压,利用微波等离子体化学气相沉积方法生长金刚石薄膜。通过改变偏压成核阶段的不同条件制备出一系列样品,与直接在镜面抛光硅衬底上不加偏压直接生长的金刚石膜相比,成核密度明显提高,可达４×１０＾９ｃｍ＾－２。     

在不同衬底上用纳米引晶法选择性生长金刚石薄膜

采用光刻工艺和纳米引晶技术,在抛光的单晶Ｓｉ衬底上形成带有超细金刚石纳米粉的引晶图案,并利用引晶处与抛光Ｓｉ处金刚石成核密度的巨大差异,在光滑的Ｓｉ３Ｎ４和Ｍｏ衬底上实现金刚石薄膜的高选择性生长。     

氧氛围下PLD法沉积纳米金刚石薄膜

用固体脉冲激光 (Nd∶YAG)烧蚀石墨靶在镜面αAl2 O3(0 0 0 1)上沉积纳米金刚石薄膜 .用Raman谱、XRD衍射谱和SEM分别对薄膜的成键情况和表面形貌进行了分析 .结果表明 :显微Raman谱出现三个峰包 :115 0cm- 1 、13 5 0cm- 1 、15 80cm- 1 ,分别对应着纳米金刚石特征峰、石墨的D峰和G峰 ;XRD衍射谱在 41.42°出现金刚石的 (10 0 )衍射峰 .实验结果表明 ,影响薄膜生长的关键参数主要是氧气压的大小和衬底的温度 .在氧气压为 6Pa和衬底温度为 5 5 0℃时 ,制备的薄膜质量较好 .对用PLD法在氧气氛围下生长的金刚石薄膜的生长机理进行了分析     

硅微尘上金刚石膜的生长

采用微波等离子体方法在硅微尖上生长了金刚石膜，并利用ＳＥＭ和Ｘ射衍射方法对金刚石膜进行了研究。     

CVD金刚石薄膜表面晶形研究

本文较详细地研究了采用ＨＦＣＶＤ方法在Ｓｉ、Ｍｏ等衬底上生长出的不同表面晶形的多晶金刚石薄膜，讨论了生长条件（衬底温度、碳源浓度、反应压强）对金刚石薄膜晶粒形貌的影响．结果表明在ＨＦＣＶＤ方法中，金刚石薄膜表面晶形对生长条件十分敏感，生长条件的微小变化就会导致不同表面晶形的生长．     

丙酮对金刚石膜生长速率的影响

采用灯丝热解化学气相沉积方法，在不同的碳源气体氢气中合成金刚石薄膜，并研究不同工艺条件下金刚石膜生长速率。结果表明，在较低的灯丝分解气体温度和较近的灯丝与衬底距离条件下，以丙酮为碳源气体合成的金刚石膜具有 的生长速率的较好的质量。     

用原子力显微镜观察金刚石膜核化过程

对衬底负偏压热灯丝ＣＶＤ金刚石膜核化过程进行了研究。利用原子力显微和扫描电子显微镜观察和分析结果表明,在衬底负偏压下正离子对Ｓｉ衬底表面轰击导致产生了大量的小坑几尖劈端,以此作为核化点,从而促进了核化过程。     

MPCVD法沉积金刚石薄膜中等离子体光谱

从等离子体发射光谱变化这一角度研究在不同沉积条件下等离子体中电子平均能量的特点，分析碳源气体分析与电子的碰撞以及碳氢基团的能态变化，从而对等离子体法沉积金刚石薄膜微观机理进行初步探索。     

球形真空镀汞膜电极基体对电极性能的影响

本文在研制真空镀汞膜电极中,用金锑钨钼银镍作为镀汞膜电极垂体.着重研究了这些不同金属基体所制出电极的性能,用25次微分溶出新极谱法对电极使用寿命,膜条件选择性、重视性及酸碱适合范围作了全面分析和比较.     

热壁外延法生长Zn1—xMnxSe半磁半导体薄膜

作者用热壁外延方法在(100)GaAs衬底上生长Zn_(1-x)Mn_xSe拉半磁半导体薄膜,并用X射线衍射(XRD)、喇曼散射、俄歇电子能谱(AES)等技术对薄膜性能作了研究.实验结果表明已成功地生长出(100)Zn_(1-x)Mn_xSe单晶薄膜,其中x最大达到0.17.     

铁磁薄膜中静磁表面波和体波的能流方向

铁磁薄膜波导中的静磁表面波和体波是色散的,波矢显示各向异性.一般,静磁波的能流方向与传播波矢非共线.文中研究分析了静磁表面波和体波的能流方向随频率和外偏置磁场方向的变化规律.     

原子力显微镜研究多晶硅和铝硅合金表面形貌

利用原子力显微镜研究了不同淀积温度条件下低压化学气相淀积多晶硅薄膜的表面形貌。发现淀积时间一定时，随着淀积温度的升高，多晶硅薄膜的晶粒尺寸和表面粗糙度均非线性地增大。     

γ沸石氟硅酸铵脱铝补硅机理研究

用氟硅酸铵溶液处理NaNH_4Y可制得新型超稳Y沸石FSEY,本文通过比较不同条件下制得的FSEY的相对结晶度、晶胞大小及硅铝比,探讨了氟硅酸铵脱铝补硅机理。结果表明脱铝和补硅是分步完成的,脱铝比补硅快而且同时受氢离子浓度和氟离子浓度的影响,采用较便宜易得的原料也可制得优质FSEY。     

春小麦液膜覆盖栽培效应研究

液膜覆盖栽培技术在甘肃省沿黄新灌区春小麦栽培中试验应用,其结果表明,新型土壤结构调理剂－土面液膜喷洒在地面所形成的黑色胶结膜,在小麦出苗至拔节期能有效地起到增温保墒作用,0～20cm耕层土较露地栽培提高0．7～1．2℃,0～40cm土壤含水量提高46．8～158．2g/kg。抽穗后无明显作用,对土壤不产生机械性污染,可使小麦生育期进程提前2～3d,增产率达10％左右。     

快中子辐照对小麦幼苗生长以及过氧化物酶和酯酶同功酶的影响

本文研究了快中子辐照对小麦幼苗生长以及过氧化物和酯酶同功酶的影响。结果表明，随着辐照剂量的增大，小麦幼苗的苗高、鲜重和干重都明显降低；叶绿素ａ和叶绿素ｂ也出现缓慢下降趋势；然而，膜透性却逐渐升高。过氧化物酶同功酶酶谱发生了很大的变化。处理１少一条带（Ｒｆ０．１８），增加三条带（Ｒｆ０．３４、０．３７、０．３８）；处理２少一条带（Ｒｆ０．１８），出现了三条新带（Ｒｆ０．０１７、０．０３９、０．５７）；处理３少一条带（Ｒｆ０．１８），增加一条新带（Ｒｆ０．５７）。脂酶同功酶也发生了变化。