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针对大面积衍射光栅刻划机在宏观尺度下进行微纳加工的工作特点以及纳米级刻线检测困难的问题,提出了一种光机电集成优化方法.此方法采用计算傅里叶光学和弦振动理论进行光栅刻线误差分析,结合振动实验及光学测量进行验证,最后采用智能优化方法对刻划系统进行结构参数优化.虚拟样机仿真结果表明,刻划系统的振动幅度降低了30%,验证了该集成优化方法的有效性. 相似文献
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报道一种新颖的激光开槽、埋槽电极硅太阳电池的结构、工艺流程及其研制结果。在AM1.5,25℃,100mW/cm^2的条件下,以面积为45cm^2的36片硅研制的硅太阳的输出参数的平均值为Jsc=36.1mA/cm^2,Voc=633mV,F.F.=0.798,η=18.23%,最后分析了这种高性能硅太阳电池的设计特点。 相似文献
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区熔再结晶制备多晶硅薄膜太阳电池 总被引:3,自引:0,他引:3
研究了区溶再结晶(ZMR)设备及其工艺特点。在覆盖SiO2的重掺P型单晶硅衬底上用快速热化学气相沉积(RTCVD)在其上沉积一层很薄的多晶硅薄膜,用区熔再结晶法对薄膜进行处理,得到了晶粒致密,且取向一致的多晶硅薄膜层。以此薄膜层为籽晶层,再在上面以RTCVD制备电池活性层,经过标准的太阳电池工艺,得到了转换效率为10.21%,填充因子为0.6913的电池产品。 相似文献
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硅基薄膜太阳电池由于材料成本、转换效率等特点受到人们的关注,就非晶硅薄膜、多晶硅薄膜、微晶硅薄膜和非微叠层太阳电池的研究现状做了简要的分析。 相似文献
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采用射频磁控溅射法制备了CdTe/ZnTe多层薄膜,并在制备单层CdTe薄膜和ZnTe薄膜的基础上,研究了衬底温度对CdTe/ZnTe多层薄膜性质的影响;通过XRD和透过谱、吸收谱的分析,对其结构进行了研究.结果表明在185 ℃下制备的CdTe/ZnTe多层膜中,CdTe和ZnTe均沿(111)晶面择优取向生长,尤其是ZnTe沿(111)晶面择优取向明显,衍射强度极大. 通过比较不同衬底温度,发现185 ℃生长的样品衍射峰强度最高,成膜质量较好;通过吸收谱图分析,185 ℃下沉积的样品对光有较好的吸收性. 相似文献
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采用等离子束溅射轰击刻蚀和溴甲醇腐蚀对CdTe薄膜表面进行后处理.对比研究了2种腐蚀条件下CdTe薄膜的光谱特性.结果表明:等离子束溅射轰击刻蚀可以彻底清除CdTe薄膜表面的氧化层,刻蚀后的CdTe薄膜颗粒更为均匀致密,等离子体刻蚀与溴甲醇腐蚀相比,可以改善CdTe薄膜表面的粗糙度,增强薄膜的附着力,改善薄膜的性能. 相似文献
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采用CO2脉冲激光掺杂,在P型和N型硅中掺入锑和铝,形成浅突变PN结太阳能电池,通过卢瑟福背散射,给出了PN结结深和杂质浓度分布,研究了预热温度、激光辐照能量密度、激光脉冲个数对方块电阻和太阳能电池开路电压的影响,并给出了太阳电池IV特性曲线 相似文献
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在温度循环下对CdS/CdTe太阳电池的性能作了研究,测定了其I-V特性曲线,计算了串联电阻和并联电阻.结果表明:经温度循环后,串联电阻增加,并联电阻下降,导致转换效率下降,用ZnTe作背接触层可改善电池性能和其稳定性. 相似文献
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CdTe薄膜的微观结构分析 总被引:3,自引:0,他引:3
应用真空蒸发技术制备CdTe薄膜,并借助于扫描电子显微镜(SEM)、扫描俄歇谱仪(AES)和X射线衍射仪(XRD)对其微观结构进行分析。主要研究了不同工艺条件、不同原子配比、以及不同掺杂浓度下制得的CdTe薄膜的结构、物相,研究结果表明:以Cd:Te=0.9:1原子配比制得的CdTe薄膜具有最佳的结晶度和组分计量比;掺杂会使CdTe薄膜的结构、物相有所改变。 相似文献
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通过调查近两年的最新文献资料,综述了有机太阳能电池的优劣和国际研究现状.从多个侧面阐述了日本有机太阳能研究现状,并探讨了今后有机薄膜器件研究的发展趋势和走向. 相似文献
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史济群 《华中科技大学学报(自然科学版)》1994,(3)
报道一种新颖的激光开槽、埋槽电极硅太阳电池的结构、工艺流程及其研制结果。在AM1.5,25℃,100mW/cm2的条件下,以面积为45cm3的36片硅片研制的硅太阳电池的输出参数的平均值为JSC=36.1mA/cm2,V∞=633mV,F.F.=0.798,η=18.23%,最后分析了种高性能硅太阳电池的设计特点。 相似文献
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CdS/CdTe多晶薄膜电池是一种利用CdS的优良窗口效应和CdTe良好的光电转换而做成的一种层叠的异质结薄膜太阳电池,是适用于制冷、新型、高效率、低成本的太阳能电池,具有低缺陷、能隙大、稳定性好的特点,并且制作工艺简单、经济,易于大面积沉积,而且还具有环保价值。综述了CdS/CdTe多晶薄膜太阳能电池的特性及它的发展,同时还归纳了一些适应大面积和低成本的生产工艺。 相似文献
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CuInS2是一种最具前景的太阳能电池光吸收材料。介绍了CuInS2(CIS)太阳能电池的研究和发展现状,以及一种低成本的CIS薄膜太阳能电池产业化技术。展望了CIS薄膜太阳能电池在我国的发展前景。 相似文献
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应用SILVACO仿真软件,对N、P区杂质浓度分别为1×1016和1×1017cm-3的非晶硅薄膜太阳能电池进行了后退火工艺仿真研究.结果表明:非晶硅薄膜太阳能电池的光谱响应特性随着后退火温度的升高和退火时间的增加而提高.与未后退火电池相比,保持后退火时间1 min,退火温度分别为900,950和1 000℃时,电池的短路电流(Isc)增加约5.39%;保持后退火温度为950℃,退火时间从1 min增加到5 min,电池的短路电流(Isc)提高约6.37%.但是,电池的光谱响应特性的提高与后退火工艺参数不成正比关系.为了减小后退火对电池杂质再分布的影响,确定最佳后退火工艺参数为950℃和4 min.研究表明在薄膜电池的生产中增加后退火工艺可以有效地提高薄膜太阳能电池的光谱响应性能. 相似文献
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讨论了Cds/CdTe异质结的电流电压特性,研究了Cds/CdTe太阳电池在AMl.5太阳光谱辐射下的转换效率,给出了不计所有损失的理想极限情况下,其电池转换效率可达27%。同时讨论了考虑部分材料参数影响的条件下,实际CdS/CdTe太阳电池的转换效率,在所选定的参数下为23%,从近期实际制备的CdS/CdTe太阳电池的进展,以及较为合理的理论推论和分析来看,此效率将有可能达到。 相似文献