一种CMOS过热保护电路

提出了一种用于集成电路内部的过热保护电路。采用0.6цmn阱互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺的spectre仿真结果表明，此电路对因电源电压、工艺参数变化而引起的过热保护阈值点漂移有很强的抑制能力。通过引入反馈的方法解决了过热保护电路中热振荡带来的危害。     

介绍一种晶体管触发电路

介绍了一种晶体管触发电路的工作原理、电路参数的选取及实际应用。     

CMOS集成电路的一种成品率优化方法

利用各样本点ＰＳＰＩＣＥ模拟结果,结合秉参数抽样技术,提出了一种有效的集成电路成品率优化新方法,通过对ＣＭＯＳ集成运放的成品率优化证明了该方法的有效性和实用性。     

MCML单元电路晶体管尺寸设计

通过建立数学模型得出功耗延时积最优化时对应的MCML电路工作的电流,在matlab环境下得出晶体管大小的最优化算法,由电流和约束条件确定电流源、逻辑运算、有源负载晶体管尺寸大小。     

双层线性规划的一种全局优化方法

根据双层线性规划全局最优解可在约束域极点上达到的性质和线性规划对偶理念,引进上层目标函数对应的一种割平面约束,对双层线性规划的约束域不断进行切割,求得问题更好的可行解,提出了一种利用单纯形法寻找双层线性规划全局最优解的方法。算例说明了算法的求解过程,并验证了算法的有效性。     

一种低功耗CMOS LNA优化设计方法

基于SMIC 0.18 CMOS工艺,设计了一个工作频率为5.8 GHz的差分低噪声放大器。针对低功耗电路的设计要求,通过在输入级增加电容实现了限定功耗下的输入和噪声同时匹配。仿真结果表明,设计的低噪声放大器具有良好的综合性能指标。增益为22.47 d B,噪声系数为1.167 d B,输入反射系数(S11)、输出反射系数(S22)、反向隔离度(S12)分别为-24.74 d B、-17.37 d B、-31.52 d B。在1.5 V电源电压下,功耗为17.3 m W。     

CMOS 6管静态存储单元晶体管尺寸的估算

文章采用萨方程对CMOS工艺的6管静态存储单元结构进行分析计算,探讨了在工艺特征尺寸确定的情况下,晶体管沟道宽度为何值时存储阵列的数据输出延迟最小的估算方法;利用Matlab求解得到一个非线性方程;该方法适用于不同的存储阵列和特征尺寸,可以快速地估算出晶体管沟道宽度,为设计存储器单元版图时提供了方便。     

一种新的全局优化方法及应用

通过对模拟退火，遗传算法和趋化性算法的分析比较，提出了一种新的随机优化方法，从它在过程Flowshop优化调度中的应用可以看出，本文所提出的方法搜索速度快，精度高，实施方便，优于模拟退火法，遗传算法及其某些改进算法所得到的结果。     

求解无约束全局优化问题的一种方法

提出一种新的求解无约束全局优化问题的方法,该方法把修正的BFGS方法与填充函数方法相结合,使得目标函数f(x)的当前局部极小点x*1可以移到目标函数的另一个局部极小点-x,且f(x*1)≥f(-x),同时-x也是填充函数的极小值点;然后再以为初始点求f(x)的局部最优解.反复以上过程,最终可以找到f(x)的全局最优解.     

一种新安江模型参数的全局优化方法

将全局优化方法SCE-UA用于新安江模型的参数优化中,以月潭流域1978—1991年共14年的实测降雨、径流资料以及1982—1988年实测洪水资料为例,对新安江模型参数全局优化方法进行研究.研究结果表明,单纯利用SCE-UA方法得到的最优参数组会随着资料长度的变化而变化,体现出了优化结果的不稳定性.进而引入赵人俊的新安江模型参数客观优化理论,将SCE-UA方法与该理论相结合.研究结果表明,该方法可避免因参数之间的相关性导致参数优化结果的不稳定现象,可大大降低模型的不确定性.通过检验,该方案可以较好地用于新安江模型参数优化中.     

利用TCAD方法优化设计金属栅CMOS工艺及电路

为了降低集成电路制造工艺的成本,用计算机辅助工艺设计(TCAD)的方法开发了金属铝栅CMOS工艺.首先利用3μm金属铝栅工艺对模拟软件TSUPREM-4和器件模拟软件MED ICI进行了校准,再对金属铝栅1.5μm短沟道CMOS工艺进行器件结构、工艺和电气性能等参数的模拟,以最简约工艺在现有工艺线上成功流水了1.5μm铝栅CMOS.实际测试阈值电压为±0.6V,击穿达到11V,各项指标参数的模拟与实际测试误差在5%以内,并将工艺开发和电路设计结合起来,用电路的性能验证了工艺.利用TCAD方法已成为集成电路和分立器件设计和制造的重要方法.     

基于符号分析法的CMOS模拟单元电路自动优化技术

在CMOS单元电路自动优化中提出了一个新的设计方法。此方法采用符号分析技术自动生成描述电路性能的精确解析方程,进而将性能符号方程作为遗传优化算法中的评价电路性能的准则。对于固定拓扑的电路,遗传优化算法通过寻优过程产生满足性能约束的电路设计参数集,从而实现设计者所希望的设计目标。实际电路的优化结果表明此方法能较好地满足性能要求,同时所需的设计时间较短,从而说明该方法是一个具有灵活性和可靠性的设计方法。     

一种简单的CMOS过温保护电路

目的 对已有的过温保护电路进行分析,提出一种结构简单,功耗较低的过温保护电路.方法 引用峰值电流源作为启动电路,并尝试避免使用传统的迟滞比较器,采用了简单的结构实现比较功能.结果 实现了一种简单的过温保护电路的设计.结论 Hspice仿真结果 表明该电路可以实现过温保护.     

一种采用CMOS工艺实现LDD自动温度补偿电路的方法

为了采用CMOS工艺实现单芯片半导体激光驱动器中的自动温度补偿电路,提出了温度与补偿电流之间具有差分放大器增益特性的补偿电路结构.给出了电路的原理图,讨论了补偿特性的理论分析方法.对补偿特性进行了仿真,给出了仿真曲线.整个芯片采用CSMC 0.6 μm混合信号工艺实现,测试表明,在-20℃～+85℃内可以满足常用半导体激光器的温度补偿需要,消光比的波动小于1.2 dB.     

低功耗模糊控制器的CMOS模拟电路实现

为了解决软件实现的模糊控制器速度低的问题,研制了模拟电路实现的模糊控制器.设计了以下单元电路: 结构精简的新型Z型、 Gauss型和S型隶属度函数电路、电流模求小电路和一种不需要除法器的重心法去模糊电路.以此构造的两输入一输出9条规则的零阶TS模糊控制器已在无锡上华0.6 μm CMOS工艺下制造.测试结果表明: 在±2.5 V的工作电压下精度为±3.5%, 功耗仅为3.5 mW, 模糊推理的速度是0.67×106 s-1.该控制器在功耗、精度和面积上有优势,可用于实时控制.     

一种TN-LCD背电极CMOS驱动电路的设计

基于南科(ACSMC)3 um铝栅N阱CMOS工艺,讨论了一款集成了TN-LCD驱动电路的消费类电子芯片,它的工作电压为1.5 V。文章详细介绍了LCD背电极驱动电路的设计,该驱动电路采用1/2 Duty、1/2Bias的驱动方式,具有电路结构简单、显示质量高和对比度高等优点;实测结果和Hspice仿真结果均满足设计要求。     

高精度轨对轨CMOS峰值检测电路设计

介绍了一种高精度轨对轨CMOS峰值检测电路设计。基于信号“先缩小后放大”,在MOS采样开关管控制下电源对存储电容充电,该电路实现了轨对轨峰值检测,降低了检测电路的工作电流,提高了MOS开关管的速度和峰值检测的精度。该电路设计基于CSMC 0.5 um CMOS工艺,采用了5 V单电源,检测精度小于1 mV ,检测电压范围为0～Vdd ,整个检测电路的静态电流消耗为2 mA,正常工作频率为0.1 HZ～10 KHz。     

CMOS OTA电路的统计优化设计

考察了CMOS集成电路统计最优化问题的特殊性.用统计方法估计电路成品率,并结合CMOS制造工艺的统计特性对OTA单元电路进行成品率优化设计.     

一种用于锁相环的正反馈互补型电荷泵电路

给出了一种新型的互补型电荷泵电路．采用正反馈技术,电路由CSMC1．2μm CMOS工艺实现,可工作在2V的低电压下．Spectre仿真结果显示,电荷泵的工作频率为100MHz时,功耗为0．08mW,输出信号的电压范围宽(0～2V),电路速度快,波形平滑,抖动小,在不增加电路功耗的前提下消除了传统电荷泵电路的电压跳变现象．该电荷泵电路可以很好地应用于低电源电压、高频锁相环电路．