金属与金属氧化物复合靶制备Bi4Ti3O12薄膜

报道了金属与金属氧化物复合靶的射频溅射法，制备Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２（ＢＴＯ）铁电陶瓷薄膜的方法，研究了ＢＴＯ薄膜的晶体结构，表面形貌以及断面。实验表明采用复合靶能够制备质量好、成分均匀的ＢＴＯ薄膜，其结晶取向与基片材料有关，且退火工艺对膜的质量有影响。     

Bi4Ti3O12铁电薄膜溶胶—凝胶法制备过程中Bi—Ti溶胶的匀胶规律研究

介绍了Ｓｏｌｇｅｌ法制备Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜的工艺过程,研究了ＢｉＴｉ溶胶在Ｓｉ基片上的匀胶规律;用ＴＧＤＴＡ和ＴＥＭ技术研究了ＢｉＴｉ干凝胶的形态,并成功地在Ｐｔ／Ｔｉ／Ｓｉ基片上制备了ｃ轴取向的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜．     

SOI MOSFET浮体效应与抑制的研究

提出了一个新的物理解析模型分析薄膜ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴ强反型上的浮体效应,该模型考虑了器件的各种寄生电流成分,着重研究了浮体电位肛春对其他器件参数和各寄生电流成分的影响,成功地解释了器件处于背界面积累状态时的Ｋｉｎｋ现象和器件的异常击穿机理。根据所建乳体效应物理模型,研究了器件参数对ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴ浮体效应影响关系。     

多层氧化物薄膜气体敏感特性的研究

报道了采用ＰＥＣＶＤ方法制备多层薄膜材料，研究了不同结构薄膜材料的气敏特性，制得了具有优越性能的ＮＯｘ、乙醇和ＴＭＡ气体传感器     

纳米TiO2薄膜的制备及其光学特性研究

采用溶胶－凝胶法制备了纳米ＴｉＯ２薄膜,ＸＲＤ研究表明,纳米ＴｉＯ２薄膜随着热处理温度的升高,发生了从非晶状态向锐钛矿相的转变,最后转化为金红石相,ＵＶ－ＶＩＳ、俞 米ＴｉＯ２薄膜的致密度与成膜条件有关,Ｒａｍａｎ表明,随热处理温度的升高,纳米ＴｉＯ２薄膜的振动峰位发生移动,并且谱带明显宽化,表现出尺寸效应。     

MOPECVD法制备超微颗粒SnO2薄膜

以ＳｎＣｌ４液体为锡源用ＭＯＰＥＣＶＤＥ方法制备出了ＳｎＯ２薄膜,用Ｘ射线衍射仪和透射电镜（ＴＥＭ）分析了薄膜的晶体结构和ＳｎＯ２晶体的颗粒度,优化出制备超微颗粒ＳｎＯ２薄膜的最佳工艺,并给出此膜蒸发上电极,制成ＳｎＯ２气敏器件,测量其对乙醇的气敏特性,实验证明减小ＳｎＯ２晶体的粒度可以改进元件的气敏特性。     

采用IOT的新型电视发射机

本文介绍了国际上最新发展的采用ＩＯＴ的ＵＨＦ电视发射机，对比了ＩＯＴ、电子管、速调管及全固态发射机的相互特点，介绍了一些生产ＩＯＴ发射机厂家的设备，对电视发射机生产厂和用户及电视发送教学有一定的参考价值     

TCP／IP,OSI及其转换

本文简要介绍了ＴＣＰ／ＩＰ及ＯＳＩ协议，讨论了ＯＳＩ的优越性与ＴＣＰ／ＩＰ不足，以及ＴＣＰ／ＩＰ向ＯＳＩ转换的必然性，并指出转化的策略。     

不同衬底温度下制备的Co-Al-O介质颗粒薄膜的巨磁电阻效应

利用射频反应溅射的方法在不同衬底温度（Ｔｓ）下制备了Ｃｏ－Ａｌ－Ｏ介质颗粒薄膜。薄膜的本征电阻及磁电阻值密切依赖于薄膜制备过程中的衬底温度。通过原子力显微镜对样品表面的观察发现：以Ｃｏ为基的纳米磁性颗粒的尺寸随Ｔｓ的增加而变大,并且颗粒之间由完全初介质分离逐渐变化到互相连接．对应这种结构上的变化,薄膜的电导机制由隧道效应向金属性电导转变,相应地薄膜的磁电阻值也发生了变化。     

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ＩＮＳＩＴＵＣＯＭＢＩＮＥＤＴＥＭＰＥＲＡＴＵＲＥＰＲＯＧＲＡＭＭＥＤＲＥＤＵＣＴＩＯＮ┐ＭＯＳＳＢＡＵＥＲＳＰＥＣＴＲＯＳＣＯＰＩＣＴＥＣＨＮＩＱＵＥＳＴＵＤＹＯＦＴＨＥＩＮＴＥＲＭＥＤＩＡＴＥＳＦＯＲＭＥＤＤＵＲＩＮＧＴＨＥＲＥＤＵＣＴＩＯＮＯＦ...