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相似文献
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1.
纳米氧化锌是具有优良性质的宽带隙半导体,在紫外光发射器件,透明导电材料,压电材料,气敏材料,太阳能电池等方面有着广泛应用。综述了纳米氧化锌最新的制备方法及应用的研究进展,提出了对以后研究的展望。  相似文献   

2.
以草酸与醋酸锌为原料,用室温固相合成法首先合成出前驱物二水合草酸锌,再经过460℃热分解2 h,得到纳米氧化锌.分别用十二烷基苯磺酸钠,硬脂酸钠对产物进行改性.通过X-射线粉末衍射、透射电镜对产物进行物相分析及形貌表征,用分光光度计研究了其在有机介质中的分散性.结果显示改性的纳米氧化锌粒径在30~70 nm,其分散性能明显好于未改性的纳米氧化锌.  相似文献   

3.
负载紫杉醇的两亲性共聚物纳米粒   总被引:1,自引:0,他引:1  
紫杉醇是一种天然抗癌药物,采用自乳化溶剂蒸发法制备了负载紫杉醇的聚乙二醇/聚己内酯三嵌段共聚物纳米粒(PMT),运用动态光散射(DLS)测定PMT的粒径和粒径分布,并用透射电子显微镜(TEM)表征形态结构。同时,还研究了投药量对PMT的影响及PMT的体外药物释放行为。实验结果表明:PMT的粒径为纳米级,且随着共聚物相对分子质量和载药量的增大而增大;PMT的体外释放无突释现象,释放速率缓慢。  相似文献   

4.
采用水热法以硝酸锌为原料,尿素为沉淀剂,同时加入表面活性剂,来制备绣球形纳米氧化锌。用SEM对制备的绣球形纳米氧化锌进行表征,发现得到绣球形氧化锌是由片状氧化锌自组装而成。通过改变锌盐的浓度、尿素的含量、反应时间、反应温度等条件,研究了这些条件对所得产物形貌的影响,并探讨了绣球形氧化锌的形成机理。在温度为120℃、时间为3~5h、锌盐的浓度为1.2mol/L条件下得到片状纳米氧化锌。随着锌盐浓度的增加,这些纳米片自组装成了绣球形氧化锌。  相似文献   

5.
介绍了纳米氧化锌的应用前景及国内外的研究现状,对制备纳米氧化锌的化学沉淀法、溶胶凝胶法、微乳液法、水热合成法、化学气相法的基本原理、影响因素、产物粒径大小,操作过程等进行了详细的分析讨论;提出了每种创造工艺的优缺点,指出其未来的研究方向是生产具有新性能、粒径更小、大小均一、形貌均可调控、生产成本低廉的纳米氧化锌.  相似文献   

6.
直接沉淀法纳米氧化锌的制备及表征   总被引:1,自引:0,他引:1  
以ZnCl2.2H2O和无水(NH4)2CO3为原料,采用直接沉淀法制备了纳米氧化锌.TG-DTG-DTA、IR分析结果表明,前驱体为碱式碳酸锌[Zn5(OH)6(CO3)2].前驱体经300℃煅烧1 h、2 h、3 h后分别得到粒径不同的纳米氧化锌.用XRD、TEM和BET等进行表征,300℃煅烧2 h得到的纳米氧化锌的最小粒径约为8 nm,最大约为15 nm,平均粒径约为12 nm,比表面积为80.56 m2/g,纯度达99.9%以上,结果较为满意.  相似文献   

7.
纳米氧化锌的制备与表征   总被引:4,自引:0,他引:4  
以草酸和醋酸锌为原料,用室温固相化学反应首先制备前驱物二水合草酸锌,进而在微波场辐射分解,得到产物纳米氧化锌。用X-射线粉末衍射和透射电镜对产物的组成、大小及形貌进行表征。结果表明:产物纳米氧化锌为粒度分布均匀的球形六角晶系结构,平均粒径约为8nm。  相似文献   

8.
采用两步溶液法在硅片表面制备了新颖的三维纳米结构氧化锌,并采用SEM和XRD等手段对其进行了表征.两步溶液法制备实验表明:当氧化锌种子层的生长制备时间在48 h、种子层外延生长时间超过7 h,在硅片表面就能得到三维纳米结构氧化锌.对三维纳米结构氧化锌的生长机理进行了初步探究.  相似文献   

9.
纳米氧化锌的制备及其研究进展   总被引:2,自引:0,他引:2  
纳米氧化锌具有许多特殊的性能,本文介绍了纳米氧化锌在各方面的应用状况;综述了国内外纳米氧化锌的制备方法及研究进展;讨论了目前纳米氧化锌制备中存在的问题。  相似文献   

10.
沉淀法制备纳米氧化锌的研究   总被引:20,自引:1,他引:19  
通过实验和理论分析,对均匀沉淀法和直接沉淀法制备纳米ZnO进行了比较,结果表明:以硝酸锌为原料,尿素为均匀沉淀剂制得的纳米ZnO粒径小,分布窄,分散性好,收率大体相等,远优于直接沉淀法制备的纳米ZnO.  相似文献   

11.
制备姜黄素纳米混悬剂,并对其体外释放行为进行研究.方法采用溶剂沉淀法制备姜黄素纳米混悬剂;以纳米混悬剂的粒径大小、多分散系数(PDI)和Zeta电位为指标,通过单因素试验设计优化处方及制备工艺;利用差示扫描量热法对其形态表征;使用桨法考察其体外释放行为.结果制备的纳米混悬剂平均粒径为(159.6±2.95)nm,PDI...  相似文献   

12.
纳米氧化锌的微乳液法制备及表征   总被引:1,自引:0,他引:1  
纳米ZnO可用于毛织物的后整理,使织物具有抗菌除臭、消毒、抗紫外线的功能.采用TritonX-100/正庚醇/正辛烷/盐水微乳液体系,以一定盐浓度的硝酸锌(Zn(NO3)2)水溶液(A)与碳酸钠(Na2CO3)水溶液(B),通过两个乳液混合的方法,制备出氧化锌超细微粒.并用差热分析(DTA)、透射电镜(TEM)和X射线衍射仪对其进行表征分析.实验表明,30℃时,以A型微乳液与B型微乳液通过乳液混合搅拌的反应方式制备出纳米ZnO微粒的前驱体,经80℃真空干、燥约5h后,在350℃下煅烧2h,得到了平均粒径约为10nm的超细ZnO粉末,且微粒粒径分布均匀、团聚少,多数为球状颗粒.  相似文献   

13.
以低品位氧化锌矿为原料,通过酸浸、净化除杂得到纯净的硫酸锌溶液.以碳酸氢铵为沉淀剂,采用直接沉淀法制备纳米氧化锌粉体.考察了碳酸氢铵和硫酸锌的物质的量之比、反应温度、反应时间、前驱体碱式碳酸锌的热分解温度及时间对纳米氧化锌粒径大小及锌沉淀率或产品纯度的影响.采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜等对产品的粒径及晶型结构进行检测.结果表明,所得产品为六方晶系氧化锌,形貌为球状,平均粒径为40 nm,ZnO质量分数达到97.5%.所设计工艺可得到技术指标达到GB/T 19589-2004 国家标准中纳米氧化锌粉体要求,且操作简便易行,易于工业化生产.  相似文献   

14.
研究一种简单、经济的制备纳米氧化锌的新方法,以工业氧化锌为原料、氨水为配位剂、碳酸氢铵为沉淀剂,首先反应得到与碳酸根共存的锌氨配合物溶液,通过改变体系的条件,使前驱物碱式碳酸锌均匀沉淀下来,将沉淀分离洗涤并烘干后,煅烧得到平均粒径20nm左右的ZnO。产品用红外光谱、X射线粉末衍射、透射电镜等进行了表征,并探讨了锌氨物质的量比对浸取率的影响、浸取液的精制、前驱物析出动力学,对整个工艺进行了优化。该法具有工艺简单、产品纯度高、成本低廉等显著优点,易于实现工业化生产,具有十分广阔的应用前景。  相似文献   

15.
PLD法制备纳米氧化锌薄膜   总被引:1,自引:2,他引:1  
目的研究制备高质量的纳米ZnO薄膜的最佳方案。方法通过反应条件和工艺参数的控制,用PLD法制备纳米氧化锌薄膜,对所制备的纳米氧化锌薄膜进行XRD谱研究,采用原子显微镜观察其形貌并研究氧化锌薄膜的各种光学性质。结果在激光脉冲能量为150 mJ、氧气压为20Pa条件下制备出了高质量的c轴择优取向的纳米氧化锌薄膜。结论制备工艺参数的控制对其性质有着极其重要的影响。  相似文献   

16.
纳米氧化锌的制备方法与应用   总被引:2,自引:0,他引:2  
纳米ZnO(1~100nm)粒子尺寸小,比表面积大,具有表面效应、体积效应、量子尺寸效应、宏观量子隧道效应和介电限域效应等.在陶瓷、紫外屏蔽、纺织、橡胶、催化剂和光催化剂、传感器和吸波材料、荧光屏和电容器、图象记录材料等众多方面有着广泛的应用,本文对纳米ZnO的制备方法及应用进行了综合评述.  相似文献   

17.
用柠檬酸盐法合成了ZnO纳米晶,研究了不同灼烧温度及同一温度不同灼烧时间对ZnO纳米晶晶化过程的影响,探讨了合成ZnO纳米晶的最佳实验条件.用X射线衍射、红外光谱、热失重、差热、透射电镜等实验手段对ZnO纳米晶进行了研究.实验结果表明,用柠檬酸盐法制得的ZnO纳米晶属立方晶系,形貌为球形,纯度高,粒径分布均匀,平均粒径20nm.  相似文献   

18.
纳米氧化锌的制备方法与应用   总被引:4,自引:0,他引:4  
纳米ZnO(1~100nm)粒子尺寸小,比表面积大,具有表面效应、体积效应、量子尺寸效应、宏观量子隧道效应和介电限域效应等.在陶瓷、紫外屏蔽、纺织、橡胶、催化剂和光催化剂、传感器和吸波材料、荧光屏和电容器、图象记录材料等众多方面有着广泛的应用,本对纳米ZnO的制备方法及应用进行了综合评述.  相似文献   

19.
研究纳米氧化锌晶须和氧化锌纳米粉末在紫外光光催化降解苯胺的能力,借助于色谱/质谱联用及紫外/可见光光谱对苯胺降解产物进行了分析.降解动力学研究结果表明,苯胺光降解符合准一级反应动力学规律,纳米氧化锌晶须催化反应速度比普通纳米粉末快,COD去除率高达89.4%;两者对苯胺光降解过程的中间产物相似,主要为醇类化合物,这些化合物进一步氧化为二氧化碳和少量聚合物.  相似文献   

20.
氧化锌(ZnO)是一种新型稀磁半导体材料,有优良的磁学及光学性质,透明度高,常温发光性能优异.根据半导体掺杂原理,以氧化锌为原料,过渡金属元素铜为掺杂元素,采用化学气相沉积法(CVD),制备了铜掺杂纳米氧化锌薄膜.利用晶向显微镜观察ZnO:Cu在衬底硅片上的表面形貌和生长情况,利用光致发光谱和分光光度计分析了样品的光发射和光吸收特性,研究了薄膜的伏安特性.发现铜掺杂对氧化锌薄膜的光吸收和光发射以及表面伏安特性都有很大的影响.随铜掺杂含量的增加,光吸收强度明显增大,光发射峰更加丰富.适当掺杂量的情况下,电流明显增大,但掺杂量太大,会引入缺陷和晶界,反而会使漏电流增大.10%-20%掺杂量为比较理想的掺杂量.  相似文献   

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