电化学沉积时间对CaMoO_4薄膜制备影响研究

采用恒电流电化学制备技术,在高纯金属钼基体上直接制备了白钨矿结构的CaMoO4薄膜.研究发现电化学沉积时间对薄膜的表面形貌、晶格参数、薄膜附着力等有重要的影响,为了沉积出结晶良好、附着力较强的CaMoO4多晶薄膜,将沉积时间控制在工作电极电位达最大值所需时间附近比较好.     

水溶液中Co-Sb薄膜的电化学沉积

采用电化学循环伏安法分析了柠檬酸水溶液中Co2+、SbO+的沉积电位,利用恒电位沉积的方法,在不锈钢基片上,从柠檬酸水溶液中沉积出Co-Sb薄膜.运用X射线衍射和扫描电子显微镜对薄膜的结构、组成以及形貌进行了分析.结果表明,在柠檬酸水溶液中,Co2+和SbO+可同时沉积到不锈钢基片上,形成Co-Sb薄膜,在不同的沉积电位下,薄膜形成不同的物相.薄膜的形貌呈现颗粒状,分布比较均匀.薄膜在充满Ar的管式炉中热处理2h,热处理温度为400℃,结果发现薄膜物相组成发生了很大变化,转变为主要由晶体CoSb3组成,还有少量的CoSb形成.     

电化学原子层沉积研究现状及沉积体系的构建

近年来,电化学原子层沉积(Electrochemical atomic layer deposition,E-ALD)技术在制备催化、光电及热电等功能薄膜的研究和应用方面取得了较大进展.概述了E-ALD的发展历史、沉积原理、研究及应用情况,介绍了课题组研发的E-ALD系统的构成和生长过程的控制机理.     

La掺杂对化学沉积ZnS薄膜影响的电化学研究

采用化学沉积法在导电玻璃上制备了ZnS及其La掺杂薄膜.用扫描电子显微镜(SEM)对其形貌进行表征,并用CHI660B电化学综合分析测试仪对ZnS和La掺杂ZnS薄膜的沉积过程进行分析.结果表明,化学沉积法制备了致密的、由球状颗粒组成的ZnS薄膜,掺杂La后,由于电负性较低的La在电极表面的吸附,电位负移,沉积速率下降,薄膜颗粒尺寸增大.电化学方法为研究ZnS的化学沉积提供了有效的分析技术.     

电沉积银铟硒薄膜的光电化学特性研究

在钛片上用电沉积方法制得银铟硒薄膜,测试了银铟硒薄膜在多硫、多碘等氧化还原偶介电质中与铂电极（或石墨电极）构成的ＰＥＣ电池的开路光电压和短路光电流,研究了化学修饰对其光电效应的影响。     

阴极共沉积Ni（OH）2薄膜在碱淀粉液中的电化学特性

采用阴极电沉积法在镍基底上制备Ｎｉ（ＯＨ）薄膜,循环伏安法在１．０ｍｏｌ．ｄｍ＾－３ＫＯＨ溶液中测量了薄膜电极的催化析氧特性,沉积Ｎｉ（ＯＨ）２的薄膜电极比镍基底增加了２０ｍＡ．ｃｍ＾－２的析氧电流。在制膜过程中掺杂７％Ｃｅ（Ｖ／Ｖ）得到的复合氢氧化镍薄膜电极在碱溶液中的析氧电流又增加了约２０ｍＡ．ｃｍ＾－２,分光光度法和薄层扫描分析法对薄膜进行了成分分析。     

电化学法制备p型Cu2O半导体薄膜及其性能的表征

采用电化学沉积方法在铟锡氧化物(ITO)导电玻璃上沉积出Cu2O薄膜的基础上,研究了络合剂种类、沉积电位和溶液pH值对Cu2O薄膜结构和性能的影响.结果表明:在以乳酸为络合剂的电解液中沉积出的Cu2O薄膜的晶粒尺寸比以三乙醇胺为络合剂的电解液中沉积出的薄膜晶粒尺寸大,结晶度好,致密度更高;在含有乳酸络合剂的溶液中,随沉积电位的提高,薄膜成核密度增大,晶粒尺寸减小,致密度提高;随pH值增加,制备的薄膜晶向由沿(200)取向变为沿(111)取向.经Mott-Schottky曲线和紫外-可见光透射光谱计算表明,所获得的Cu2O薄膜具有p型半导体性能,禁带宽度为1.93eV.     

电化学沉积法制备Cu_2S薄膜及EPIR效应

以Na2S溶液为沉积液,在一定的温度、pH值、电压和时间下,采用电化学沉积的方法,在铜衬底上生长出一层质地均匀的蓝色Cu2S薄膜.通过XRD及SEM对样品的化学成分及表面与截面形貌进行表征,对Ag/Cu2S/Cu/Ag结构进行直流I-V及电脉冲诱导电阻转变(EPIR)效应测试.结果表明Ag/Cu2S/Cu/Ag结构的Ag/Cu2S结点处存在明显的EPIR效应,而且相对于单个Ag/Cu2S结点而言,Ag/Cu2S双结点具有更大的结点电阻且EPIR效应更明显.另外,Ag/Cu2S/Cu/Ag结构的EPIR效应还与测量的脉冲参数和测量温度有关.对于本样品而言,最佳测量温度为室温,脉冲宽度t0为0.000 1 s.     

电化学沉积法制备Cu2S薄膜及EPIR效应

以Na2S溶液为沉积液,在一定的温度、pH值、电压和时间下,采用电化学沉积的方法,在铜衬底上生长出一层质地均匀的蓝色Cu：s薄膜．通过XRD及SEM对样品的化学成分及表面与截面形貌进行表征,对G/Cu2S/Cu/Ag结构进行直流I-V及电脉冲诱导电阻转变（EPIR）效应测试．结果表明Ag/Cu2S/Cu/Ag结构的Ag/Cu2s结点处存在明显的EPIR效应,而且相对于单个Ag/cu2s结点而言,Ag/cu2S双结点具有更大的结点电阻且EPIR效应更明显．另外,Ag/Cu2S/Cu/Ag结构的EPIR效应还与测量的脉冲参数和测量温度有关．对于本样品而言,最佳测量温度为室温,脉冲宽度t0为0．00018．     

快速生长金刚石薄膜的装置及其工作性能

本文设计了用直流电弧等离子体喷射法快速生长金刚石薄膜的装置,并对其工作性能进行了研究。     

脉冲激光沉积制备薄膜的研究动态

综述了脉冲激光沉积制备薄膜的原理、特点,国内外对脉冲激光沉积的研究应用情况及目前的最新研究方向．着重分析了脉冲激光沉积过程中各主要沉积条件,如激光能量密度、靶－基体距、真空室气压及基体温度等对薄膜质量的影响．     

P型和N型Cu_2O薄膜的电化学制备

以FTO玻片为基底,在不同pH值下采用恒电位电化学沉积法制备Cu2O样品.利用XRD、SEM、EDS对样品的相组成、晶体结构、微观形貌和化学成分进行了表征,并对Cu2O薄膜的光电性质和载流子类型进行了测量和分析.结果表明Cu2O薄膜的半导体性质与所用电解液的酸碱度有关,在酸性条件下,如pH=4,5时制备的Cu2O薄膜为N型半导体,在中性和碱性条件下,如pH=6,7,8,9,10,11时,制备的Cu2O薄膜为P型半导体.实验结果对制备N型Cu2O以及Cu2O的PN型同质结提供了一种有效方法.     

室温电化学方法制备SrMoO4薄膜

采用恒电流技术于室温条件下直接在金属钼片上制备白钨矿结构的SrMoO4 薄膜 ,控制电化学反应的工艺条件为电流密度为 1mA cm2 、电解液的pH值为 13、电化学处理时间为 1h ,SEM和XRD分析结果表明制备的SrMoO4 薄膜为表面均匀致密且平均粒径为 2 μm的四方晶系单相薄膜 .     

CdTe的ICB淀积和成膜特性

应用一种新的薄膜淀积技术──ＩＣＢ方法，对ＣｄＴｅ薄膜的淀积进行了系统的研究。在单晶Ｓｉ及玻璃衬底上演积的ＣｄＴｅ膜具有定向生长的大晶粒结构，其晶粒尺寸、取向度与离化电流、加速电压等可控实验参数之间的关系在实验结果中得到了反映。通过考察入射原子团与表面的相互作用，研究了表面迁移能力以及电荷存在对成膜特性的影响。     

多晶3C-SiC薄层的淀积生长及结构性能分析

采用ＨＦＣＶＤ生长法,以较低生长温度,在Ｓｉ（１１１）衬底上淀积３Ｃ－ＳｉＣ（１１１）薄层。用ＸＲＤ、ＶＡＳＥ、ＸＰＳ等分析手段研究了薄层的结构、光学常数、组分及化学键等性能。ＸＲＤ显示薄层具有明显的择优取向特征。ＶＡＳＥ测量出薄层的折射率为２．６８６,光学常数随深度的变化曲线反映出薄层的多层结构。ＸＰＳ深度剖面曲线表明薄层中Ｓｉ／Ｃ原子比符合ＳｉＣ的理想化学计量比,其能谱证明Ｃ１ｓ与Ｓｉ２ｐ成键形成具有闪锌矿结构的３Ｃ－ＳｉＣ。     

NiB电极的电沉积法制备及其对煤电解加氢液化的催化作用

采用电化学沉积的方法,改变镀液配方中TMAB(三甲胺硼烷)浓度CTMAB、p H值和电流密度,制备不同B含量的非晶态NiB催化电极,并将其应用到煤电解加氢液化中.利用XRD,ICP,电化学测试等方法对所制备的NiB催化电极进行表征,结果表明p H=3.5,I=1 A/dm~2,CTMAB=10.0 g/L时所制备的NiB催化电极为非晶态结构,且B的含量最高达30%,对煤电解加氢液化的电流密度较大,说明B的含量是影响煤电解加氢液化反应活性的重要因素之一.以非晶态的NiB催化电极作为工作电极,比IrO_2作为工作电极可得到更高的液化率和H/C原子比,使煤的双键结构得到更有效的还原,这说明将B含量较高的NiB催化电极应用到煤电解加氢液化中比IrO_2电极有更好的反应活性和选择性.     

电化学方法制备聚苯胺膜及其表征

在室温条件下的酸性溶液中,以铜片为电极,采用液体的苯胺单体作为反应剂,通过扫描伏安法制备聚苯胺薄膜.利用循环伏安法(cyclic-voltametry,C-V)、扫描电子显微镜(scanning electron microscope,SEM)、X-射线衍射测试(X-ray diffraction,XRD)等手段对样品进行表征,同时详细考察合成条件对材料性能的影响.结果表明,在苯胺浓度为0.1 mol/L,硫酸浓度为1.0 mol/L,盐酸浓度为0.5 mol/L的混合溶液中,当扫描速度为0.06 V/s时,可获得颗粒尺寸在100 nm以下且均匀度比较高的聚合物.该聚合物具有良好的氧化还原可逆性.     

纳米TiO2/聚苯胺复合膜电极的电化学制备及其表征

采用1 mol/L硫酸作为介质, 扫描速度为100 mV/s, 扫描电位为-0.2~0.8 V, 用循环伏安法在纳米二氧化钛（Nano-TiO₂）膜电极上实现了苯胺的电化学聚合 , 借助透射电镜、 原子力显微镜、 X射线衍射仪、 红外光谱对制得的Nano-TiO_{2/聚苯胺（Nano-TiO2/PANI）复合膜进行表征. 结果表明, 复合膜的生成、 峰电流的大小受溶液浓度、 扫描速度以及扫描电位的影响, 成膜速度随溶液浓度增大而加 快, 但膜稳定性降低, 峰电流随扫描速度和电位增大而提高, 可逆性降低, 复合膜中Ti O2以10~35 nm晶粒分散于聚苯胺中.}     

Cu_2O薄膜的电化学制备及EPIR效应

以FTO玻片为基底,在不同pH值下采用恒电位电化学沉积法制备了Cu2O薄膜样品和Cu/Cu2O/Cu/FTO器件.通过XRD、SEM、EDS对样品的相组成、晶体结构、微观形貌和化学成分进行了表征和分析,并对Cu/Cu2O/Cu/FTO器件的电脉冲诱导电阻转变(EPIR)效应进行了测量.结果表明室温下Cu/Cu2O/Cu/FTO中存在明显的EPIR效应和忆阻器行为且与溶液酸碱性有关.在酸性和中性条件下,即pH=5、6、7时,Cu/Cu2O/Cu/FTO存在显著的EPIR效应,随着pH值的增加效应趋于减弱,当脉冲电压为6 V,脉冲宽度为0.001 s时,样品具有最大EPIR值.随pH进一步增加,在pH=8、9、10的碱性条件下,Cu/Cu2O/Cu/FTO的EPIR效应消失.