低能电子束光刻的Monte Carlo模拟

利用Mott截面和介电函数模型,借助Monte Carlo方法模拟了电子在光刻胶PMMA和衬底中的弹性散射和非弹性散射.通过统计电子的能量沉积分布,发现低能电子的大部分能量沉积在光刻胶中而非衬底,所以在电子束光刻中有着更高的效率.并且还得到了在不同的入射电子能量下,光刻胶完全曝光所对应的的最佳厚度.     

蒙特卡罗方法数值模拟二维原子光刻

间距为半波长的纳米点制作可以进一步推动纳米计量的发展.基于经典粒子光学模型,采用蒙特卡罗思想提供初始条件,数值分析了偏振方向平行于光场平面、正交激光驻波场形成的光格点的汇聚与沉积特性.针对不同激光功率以及横向发散角分析了沉积纳米点的三维结构,同时也讨论了基板摆放位置对沉积结构的影响.数值模拟结果表明,在厚透镜及沟道化情况下得到了特征较好的纳米点.横向发散角以及基板位置的摆放是影响纳米点质量的重要因素.     

X射线Bragg-Fresnel元件中金属吸收层的热变形问题

研究 X射线 Bragg- Fresnel元件中金属吸收层的热变形问题 .给出因 X射线辐射引入的热载荷所产生的金属吸收层衍射图形尺寸膨胀量及金属吸收层热应力的计算结果 .探讨 X射线 Bragg- Fresnel元件基底材料的选择和厚度尺寸与元件在热载荷作用下热变形的关系     

X射线光刻机的开发研制

X射线光刻是一种能满足大规模集成电路生产的加工技术 .本文论述了X射线光刻技术的发展历史和前景 ,阐述X射线光刻机的光源、曝光系统、掩摸和步进驱动平台等的主要结构和研制动机 ,提出在X射线光刻机设计中要注意的几个主要问题     

三维残余应力及深度分布的X射线分析和计算

针对X射线法在测定铍等轻元素材料内部残余应力及其深度分布时的不足，研究一种分析和计算轻元素材料内部全三维残余应力及其深度分布的新方法，提出了包括考虑平衡条件和表面边界条件的基于线弹性理论的一种模型方程，对分析和计算原理，实验装置和实验作了介绍，编制出相应的计算机数据处理程序，能够对轻元素材料表面及内部任何一点进行全三维残余应力分析和计算，文中最后用铍的实验数据对程序进行了验证，结果表明，正应力分量σ11，σ22随黉度的变化较大，而切应力分量σ12，σ13和σ23及正应力分量σ33均很小。     

粉末多晶X射线衍射积分强度公式的研究

分析了粉末多晶X衍射积分强度公式常见推导方式中存在的问题 ,即近似条件不明确 ,物理图象欠清楚。采用本文总结的正空间———倒空间———正空间分段分析方法 ,提出了一个物理图象清晰的新的推导方式 ,最后同样得到粉末多晶X射线衍射积分强度公式     

高分子环行链在界面上吸附的Monte Carlo模拟

用Monte Carlo方法模拟了高分子环形链在界面上的吸附情况,得到不同吸附层里的构象数量(最大链长为N=19)和链原子数量(最大链长为N=13).计算了均方根吸附层厚度和平均吸附层厚度,研究表明,在同一吸附层里,其构象数量和链原子数量均随链长的增加呈增大趋势;链长一定时,随着吸附层递增,所含链原子数量呈递减趋势;均方根吸附层厚度和平均吸附层厚度均随链长的增加呈增大趋势.     

He—Ne激光对鲱鱼DNA X射线衍射谱的影响

用He-Ne激光处理鲱鱼DNA，测试处理前后鲱鱼DNA的X射线衍射谱。结果显示处理前后鲱鱼DNA的X射线衍射谱发生了明显变化。为激光生物学效应的机理解释提供了实验依据。     

基于特殊X射线光刻技术的空心微针制备技术

介绍了2种基于特殊X射线光刻技术的空心微针制备方法.一种为基于2次不同X射线光刻技术的制备方法,即第1次为通常意义的带掩膜板光刻,第2次为无掩膜板光刻;另一种为基于2次移动掩膜板光刻加1次通常意义的带掩膜板光刻技术的制备空心微针方法.结果表明:在面积为5mm×5mm的聚合物基板上制备了25根空心微针阵列.     

片状BGO闪烁体γ能谱的Monte Carlo模拟和实验测量

用Mohte Carlo 方法模拟~(137)Cs 的0.661MeV 的γ射线在片状BGo 闪烁(?)(21.5×21.5×5mm~3和22.5×22.5×1mm~3)中的能谱,并与实验测量能谱作了此较,对康普顿散射的连续谱进行了讨论.