双源真空蒸发制备CdS/CuInSe_2多晶异质结薄膜太阳电池

用双源真空蒸发制备CdS/CuInSe2多晶异质结薄膜太阳电池,并对电池的性能进行测试.在AM1.5,100mW/cm2的碘钨灯下,对1cm2的太阳电池测得其最大转换效率为6.2%.     

双源真空蒸发制备CdS／CuInSe2多晶异质结薄膜太阳电池

用双源真空蒸发制备CdS/CuInSe2多晶异质结薄膜太阳电池,并对电池的性能进行测试。在AM1．5,100mW/cm^2的碘钨灯下,对1cm^2的太阳电池测得其最大转换效率为6．2％。     

用于太阳电池的AlSb多晶薄膜

该文采用多靶共溅射方法先预沉积了Al-Sb复合薄膜,然后在N2气氛下进行退火得到Al Sb多晶薄膜。用XRD分析了Al Sb多晶薄膜的结构,用XRF测定了Al和Sb的原子比。最后用AMPS-1D模拟了采用该Al Sb多晶薄膜的太阳电池的光伏特性。结果表明,共溅射的方法可以获得结晶性能良好的Al Sb多晶薄膜,并且使用该薄膜的太阳电池可以具有较高的转换效率。     

CdS多晶薄膜的制备及其性能

采用化学水浴法(CBD)及85~65℃的高低温工艺模式,在醋酸镉体系中制备大面积硫化镉CdS多晶薄膜,经X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)和紫外-可见分光光度计(UV-VIS)等测试表征CdS多晶薄膜结构、形貌及光学性质。结果表明:CdS在85℃条件下快速成核,再逐渐降温至65℃慢速生长,可使大面积CdS多晶薄膜的粒径较大(约60 nm)、均匀性较好、致密度较高。通过优化85℃到65℃的高低温生长工艺,降温速率为2℃/min的条件下制备出厚度约50 nm的超薄CdS多晶薄膜,经氮气气氛400℃退火处理后,CdS晶粒长大,透过率降低,禁带宽度变窄。     

关于多晶CdS太阳电池不均匀性的研究

通过分隔测量开路电压V_(oc)显示出CdS太阳电池的不均匀性及其对电池效率的影响。结果如下;1.在烧结体和喷涂膜CdS太阳电池中,不均匀现象是普遍而明显的,有时显得很严重,对电池效率影响也很大。2.空气中热处理能使新制的CdS电池的V_(oc)普遍提高,同时使不均匀程度大大减小。3.衰降严重的CdS电池中,存在三种因素使局部地区的V_(oc)特别低;除锡焊点短路、Ag栅短路外,还有所谓的低压小块,它的出现与这一局部地区的Cu_2S组成和异质结特性发生显著变化有关。最后对上述结果作了分析和讨论。     

CdS多晶薄膜的异常电导现象研究

对化学池沉积方法（ＣＢＤ）制备的ＣｄＳ多晶薄膜的电导率测试,发现电导率－温度关系的异常现象,在室温附近,电导率随温度增加的变化逐渐变慢,出现异常;温度继续升高则恢复正常．本文就此异常现象和测试结果对ＣｄＳ多晶薄膜性能的影响进行了讨论．     

CIS／CdS薄膜太阳电池工艺探讨

本文介绍了用固态源硒化法制备ＣＩＳ太阳电池的工艺和技术关键,对如何提高ＣＩＳ膜的附着性和降低表面粗糙度提出了一些看法和改进措施,并对各环节中造成电池串联电阻过大的因素进行了讨论。     

CdS多晶薄膜的制备及其性能的研究

采用化学池沉积法,同时在３种衬底上沉积ＣｄＳ薄膜,利用电镜,透射光谱,Ｘ射线衍射和微电流高阻计等方法对沉积膜进行了测试分析,算出ＣｄＳ薄膜的能隙宽度Ｅ０和电导激活能Ｅα。结果表明：沉积膜表观均匀,密实,结晶取向性以ＳｎＯ２玻片衬底为佳;     

退火对CdS多晶薄膜电学性质的影响

对不同温度下退火的ＣｄＳ多晶薄膜测量了暗电导率σｄ和暗电导－温度关系,发现未退火ＣｄＳ的暗电导率为１０－５Ω－１ｃｍ－１,经退火后σｄ增加,在２００℃退火σｄ有极大值．退火后电导激活能Ｅａ减小     

射频磁控溅射制备CdS多晶薄膜及其性能研究

在室温和不同功率下,用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了CdS薄膜.运用探针式台阶仪、x射线衍射分析仪、紫外可见分光光度计、扫描电镜(SEM)等仪器对制备的CdS薄膜进行了表征分析.主要研究讨论了溅射功率对薄膜性质的影响.结果表明:制备的CdS薄膜为立方相和六方相的混合晶相,沿着六方(002)、(004)方向和立方(111)、(222)方向有着明显的择优取向;随着功率的增加,薄膜的厚度增加,晶粒的尺寸增大,光学吸收边红移.通过优化实验参数,在室温、0.6Pa、30W、纯氩气气氛条件下可以制备出结晶性能良好的CdS薄膜,禁带宽度为2.36eV.     

CdCl2处理退火CdS多晶薄膜的电学性质研究

对ＣｄＳ薄膜用不同浓度的ＣｄＣｌ２溶液处理后在不同温度下退火,发现其暗电导率σｄ和电导激活能Ｅａ随ＣｄＣｌ２溶液的浓度和退火温度的不同而不同,而且用ＣｄＣｌ２处理再退火的样品,暗电导率σｄ随温度Ｔ变化的关系（ｌｎσｄ１０００／Ｔ）为分段直线,对应于不同的Ｅａ．本文就上述结果进行了讨论,并用Ｃｌ－的扩散进行了解释．     

ZnTe多晶薄膜及其在CdTe太阳电池中的应用研究

用真空共蒸发法制备ZnTe(ZnTe :Cu)薄膜 .刚沉积的ZnTe(ZnTe :Cu)薄膜为高度 (111)择优取向的立方相 ,适度掺Cu为立方和六方混合相 ,晶粒大小 2 0～ 6 0nm .作为背接触层获得了转换效率为 11.6 %的太阳电池 .     

CIS／CdS太阳电池的研制

用蒸发硒化方法制作ＣｕＩｎＳｅ２（ＣＩＳ）膜，进而制成ＣＩＳ／ＣｄＳ太阳电池，转换效率达到７．６２％，文章对制作工艺、电池性能以及显著的退火效应进行了研究。     

CdCl2处理退火CdS多晶薄膜的电学性质研究

对CdS薄膜用不同浓度的CdCl     

低倍聚光多晶Si太阳电池的研制

本文报道了用50×50毫米~2浇铸多晶Si制成具有密栅、背场结构的低倍(2～5倍)聚光太阳电池,在AM1.5标准光强下,全面积转换效率达到10.2％,有效面积转换效率达到11.46％。在聚光2.73倍时,电池短路电流增益为2.5～2.71倍。在低倍聚光下工作的太阳电池的研制,国内尚未见报道。用多晶硅材料试制成这种电池,有可能进一步降低系统成本,在近期达到20～25元/峰瓦。     

新型高效薄膜太阳电池

人们越来越意识到，可再生能源将是最具发展潜力的产业。近年来由于全球对环保的重视，光伏产业得到飞速发展。正在兴起的光     

CuInSe2薄膜太阳电池

ＣｕＩｎＳｅ２是极具潜力的太阳电池新材料,其能量转换效率、使用寿命和抗辐射性能力是当今复晶及非晶薄膜太阳电池研究中的最高纪录。本文从材料科学的观点来介绍ＣｕＩｎＳｅ２薄膜的特性及制作过程并提及其材料品质可改善的程度。这方面的了解将有助于我国对于高效率薄膜太阳电池的研究。     

硅薄膜太阳电池的研制

本文阐述了用真空蒸镀法制作微晶—非晶硅薄膜p—i—n结构太阳电池的工艺过程及原理,所制得的电池开路电压Voc已超过500mv。     

退火对大面积CdTe多晶薄膜薄膜的影响

对近空间升华法制备的大面积(30×40 cm~2)CdTe多晶薄膜用不同方法进行退火处理,用XRD、C～V、I～V等研究了退火条件,退火方式对薄膜结构和器件性能的影响.结果表明:刚沉积的CdTe多晶薄膜呈立方相,沿着(111)方向择优取,向而退火后(111)(220)(311)等峰都有不同程度的增加.在纯氧气氛下,400℃退火还出现了新峰.随着退火温度的增加,电导激活能降低.经过连续退火装置在400℃下退火30分钟的电池,1/C~2和V成线性关系,具有较高的掺杂浓度、较理想的二极管因子和较高的转换效率.