甲酸锂晶体生长动力学

本文介绍并讨论了在３１３．３５Ｋ和３０６．４６Ｋ情况下－水甲酸锂晶体不同晶面的生长速率与过饱和度之间关系的动力学数据，以及观察到的母液包藏情况．说明了测量的（Ｒ、σ）曲线能够用ＢＣＦ表面扩散模型──应用于溶液中的晶体生长加以解析．计算了不同阶段活化能的数值并跟在水溶液中生长的其它物质相比较．只有在过饱和度小于１％的情况下才能生长出无母液包藏的一水甲酸锂晶体．     

二水甲酸锶晶体生长机制

采用静态体视显微法测定了在３．０３．１５Ｋ下，二水甲酸锶晶体的（１１０）和（０１１）面的生长速率，通过用生长速率（Ｒ）与过饱和度（σ）的关系，计算了生长参数，发现其生长机制符合水溶液中晶体生长的ＢＣＦ面扩散模型。研究了体扩散对生长速率的影响，结果表明：在低过饱和度下，体扩散影响很小，当过饱和度σ≥０．２００时，体扩散影响显著。     

一水甲酸锂单晶的培养

用水溶液降温法生长了光学优质的一水甲酸锂大单晶，尺寸约为３．５ｃｍ×４ｃｍ×５ｃｍ．给出 了一甲酸锂单晶体透光率和二次谐波相位匹配的实验结果．     

丁二酸对α半水脱硫石膏晶体生长习性与晶体形貌的影响

采用扫描电镜、显微红外分析仪和X光电子能谱研究了丁二酸对α半水脱硫石膏晶体生长习性与形貌的影响,从晶体生长角度分析了丁二酸的晶形调节作用机理.结果表明:丁二酸显著改变了α半水脱硫石膏晶体的生长习性,使其由长棒状转变为短柱状或片状,且晶体发育更完整,晶体尺度变大;控制丁二酸的掺量,可制备长径比为1:1的短柱状α半水脱硫石...     

二水甲酸钇晶体最佳相位匹配角的计算

本文给出了二水甲酸钇晶体折射率的Ｓｅｌｌｍｅｉｅｒ公式。计算了该晶体从１．０６４μｍ到０．６７４μｍ的各种基波波长的Ｉ型和Ⅱ型倍频相位匹配角以及相应的有效非线性系数，求出了最佳匹配角，描述了最佳匹配角的相对非线性系数随基波波长的变化规律。还进行了三倍频（１．０６４μｍ＋０．５３２μｍ→０．３５５μｍ）的最佳匹配角的计算。对该晶体进行了１型倍频实验，验证了相位匹配曲线，实验结果与计算结果吻合。     

温度和柠檬酸钠对卵磷脂-水有序体系中草酸钙晶体生长的影响

在卵磷脂-水体系中研究了温度和柠檬酸钠（Na3cit）对卵磷脂（PC）-水有序体系中草酸钙（CaOx）晶体物相和晶面的影响，采用X-射线衍身仪对产物进行表征，结果发现：（1）随着温度从0℃升高70℃，产物中-水草酸钙（COM）含量逐渐增加；（2）相同温度下，加入Na3cit后二水草酸钙（COD）的含量大大高于没有Na3cit的体系；（3）Na3cit的诱导影响比温度的影响要大得多；（4）在有序体系中，COD的（411）晶面和COM的（020）晶面优先生长。     

坩埚热导率对晶体生长温度场的影响

本文通过有限元数值方法计算了坩埚热导率对晶体生长温度场的影响,指出当坩埚热导率大于晶体材料的热导率时,生长区域的纵向温梯会有大幅度减小,反之,温梯变化较小。并且认为当坩埚侧面与环境的热交换系数很大时,坩埚热导率的影响作用变小。并指出坩埚热导率可以通过热处理及其他手段予以调节。     

一水盐酸环丙沙星晶体空间群的确定

为深入研究一水盐酸环丙沙星晶体的晶体结构和晶习,实验制备了一水盐酸环丙沙星晶体.采用DSC和TG技术分别分析了一水盐酸环丙沙星晶体的脱水、熔化、分解温度和晶体的水含量;测定了晶体的X射线粉末衍射数据;采用Cerius2分子软件对衍射数据进行指标化.结果表明,晶体属于单斜晶系,其晶胞参数a、b、c和β分别为12.93×10-10m、19.56×10-10m、7.07×10-10m和91.10°,根据消光规律判断其空间群为P21/c.     

蓝宝石晶体生长过程中晶体畸形现象的实验研究

采用提拉法生长大尺寸蓝宝石的过程中,经常遇到晶体畸形而使生长失败问题。通过改进工艺多炉次的实验研究,分别分析在提拉过程中的下种、放肩、等径阶段产生畸形晶体的原因。指出在晶体生长过程中提拉速度的工艺参数的设定不合适是畸形形成的主要原因之一。同时,在装炉阶段注重温场对称性是保证晶体正常生长必要条件。     

油田水中甲酸和乙酸的低压离子色谱检测

为避免油田水中大量的氯离子对甲酸和乙酸测定的干扰，采用减压蒸馏的新方法来处理待测试样，不仅消除了氯离子的干扰，而且回收率较高，在95．0％－97．5％之间，用低压离子色谱法（LPIC）分析试样并进行了线性、精密度、回收率和干扰试验，结果表明方法的回收率在96．0％－100％之间，相关系数分别为0．9998和0．9989，变异系数小于1．8％，检测限小于0．1μg/mL。     

甲酸钠晶体生长及其性能

合成甲酸钠晶体，测定其在水中的溶解度。采用降温法从ｐＨ＝９的水溶液中生长出外形完整的大尺寸单晶，并对该晶体进行红外光谱，差示扫描量热测量、晶体透光率和晶体粉末倍频效应测试。还讨论了结构与性能的关系。     

富勒烯晶体的液相生长和形貌

进行了不同条件下富勒烯晶体的液相生长，探讨了它的生长过程，分析了生长富质量晶体的条件，获得了宏观量级的单晶；用扫描电镜研究了所出现的各种形貌，并用透射电镜分析了晶体的结构，有完整无缺陷的单晶生成。     

TGFB晶体在混合溶剂中的生长和动力学研究

用定态体视显微镜法测量了ＴＧＦＢ晶体在５％,８％,１０％的甘油—水混合溶剂中的生长速率（Ｒ）与相对过饱和度（σ）的函数关系,Ｒ与σ的关系符合Ｂｕｒｔｏｎ,Ｃａｂｒｅｒａ和Ｆｒａｎｋ提出的关于晶体生长的螺旋位错机制的面扩散模型．根据Ｂｅｎｎｅｍａ修正的ＢＣＦ模型估算了ＴＧＦＢ生长的动力学参数．     

超高温氧化物晶体及其生长技术

超高温氧化物晶体,比如钇稳定氧化锆、氧化镁、氧化铀以及部分稀土氧化物等,熔点往往高达2 300℃以上。它们在激光、超导、核燃料等领域具有重要应用,但在生长方法、坩埚材料、温度监测、温场控制等方面面临多重挑战。本文总结了目前少数几种超高温氧化物晶体生长研究进展,分析了各种生长技术的优缺点,探讨了超高温氧化物晶体生长的前景。     

ACRT强迫对流对Bridgman晶体生长过程液固界面形状影响的数值研究

用数值方法研究了ACRT（加速坩埚旋转技术）强迫对流条件下垂直Bridgman法半导体材料CdTe单晶体生长过程。结果表明,ACRT强迫对流使液相等温线的形状翻转,径向温度梯度由负值变为正值,并显地 减小了液固界面的凹陷深度。随着ACRT对流无量纲控制参数Re、ωmaxt1、ωmaxt2的增加,对流的作用增强。     

圆盘状晶体生长问题的摄动分析

圆盘状晶体生长是自由晶体生长中典型的生长模式,在其生长过程中顶部和底部的生长速度缓慢,而边缘部分由于热扩散机制的作用而生长速度较快,容易形成花样.由于边缘界面上存在小扰动的作用,从而表现为数学模型的边界条件中出现一个小参数.通过用摄动方法对边界条件中含有小参数的问题进行分析,将其转化为较容易求解的问题,然后用数学物理的方法求出这些问题的解,最后对解的形式进行分析,得到了与实验相符的结果,即固相中的温度场呈现出指数型振荡衰减.     

二维非稳态晶体生长问题解的稳定性

对在均匀流场作用下的二维非稳态晶体生长控制方程进行了分析，证明了原定解问题的解是稳定的．     

反应条件与硅酸钙水合晶体的生长规律

以扫描电镜和X-射线衍射为主要手段,对不同材料、不同本征钙硅比及不同反应温度条件下所得到的硅酸钙水合晶体进行了结构分析,并讨论了Tobermorite和Xonotlite的生成规律。结果表明:这两种硅酸钙水合晶体与反应条件关系较为密切。     

TiN/SiC纳米多层膜中的晶体互促生长

研究了TiN／SiC纳米多层膜中的晶体互促生长效应,采用磁控溅射法制备了一系列不同厚度SiC和TiN的TiN／SiC纳米多层膜以及TiN、SiC单层膜．利用透射电子显微镜、X射线衍射仪、扫描电子显微镜和X射线能量色散谱仪分析了多层膜的微结构．结果表明,尽管TiN和SiC的单层膜分别以纳米晶态和非晶态存在,但由TiN和SiC通过交替沉积形成的纳米多层膜却能够生长成为晶体完整性良好的柱状晶并呈现强烈的择优取向,显示了一种异质材料晶体生长的相互促进作用．纳米多层膜中的晶体互促生长效应与新沉积层原子在先沉积层表面上的移动性有重要关系。